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SPUTTERING TARGET MEMBER, SPUTTERING TARGET, METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET MEMBER, AND METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING FILM
Provided is a sputtering target member that has a low specific resistance and is suitable for maintaining a stable sputter discharge. Said sputtering target member contains MgO and Ti oxide, wherein: when the total of Mg, Ti, and O is 100 at%, the elements satisfy, in terms of at%, 10≤Mg≤47, 5≤Ti≤50, and 37≤O≤51, respectively; and an X-ray diffraction profile obtained by analyzing a sputtered surface by an X-ray diffraction method has a diffraction peak derived from a Ti2O phase.
L'invention concerne un élément de cible de pulvérisation cathodique qui a une faible résistance spécifique et est approprié pour maintenir une décharge de pulvérisation stable. Ledit élément de cible de pulvérisation cathodique contient du MgO et de l'oxyde de titane dans des proportions telles que lorsque le total de Mg, Ti et O est de 100 % at., les éléments satisfont respectivement les relations suivantes, en termes de % at. : 10 ≤ Mg ≤ 47, 5 ≤ Ti ≤ 50, et 37 ≤ O ≤ 51, respectivement; et un profil de diffraction des rayons X obtenu par analyse d'une surface pulvérisée par un procédé de diffraction des rayons X a un pic de diffraction provenant d'une phase TiO2.
低い比抵抗であって、安定したスパッタ放電を維持することに適しているスパッタリングターゲット部材を提供する。Ｍｇ、Ｔｉ及びＯの合計を１００ａｔ％とした場合に、各元素が１０≦Ｍｇ≦４７ａｔ％、５≦Ｔｉ≦５０ａｔ％、３７≦Ｏ≦５１ａｔ％を満たし、ＭｇＯとＴｉ酸化物を含有するスパッタリングターゲット部材であって、スパッタ面をＸ線回折法により分析することにより得たＸ線回折プロファイルが、Ｔｉ2Ｏ相を由来とする回折ピークを有する。
SPUTTERING TARGET MEMBER, SPUTTERING TARGET, METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET MEMBER, AND METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING FILM
Provided is a sputtering target member that has a low specific resistance and is suitable for maintaining a stable sputter discharge. Said sputtering target member contains MgO and Ti oxide, wherein: when the total of Mg, Ti, and O is 100 at%, the elements satisfy, in terms of at%, 10≤Mg≤47, 5≤Ti≤50, and 37≤O≤51, respectively; and an X-ray diffraction profile obtained by analyzing a sputtered surface by an X-ray diffraction method has a diffraction peak derived from a Ti2O phase.
L'invention concerne un élément de cible de pulvérisation cathodique qui a une faible résistance spécifique et est approprié pour maintenir une décharge de pulvérisation stable. Ledit élément de cible de pulvérisation cathodique contient du MgO et de l'oxyde de titane dans des proportions telles que lorsque le total de Mg, Ti et O est de 100 % at., les éléments satisfont respectivement les relations suivantes, en termes de % at. : 10 ≤ Mg ≤ 47, 5 ≤ Ti ≤ 50, et 37 ≤ O ≤ 51, respectivement; et un profil de diffraction des rayons X obtenu par analyse d'une surface pulvérisée par un procédé de diffraction des rayons X a un pic de diffraction provenant d'une phase TiO2.
低い比抵抗であって、安定したスパッタ放電を維持することに適しているスパッタリングターゲット部材を提供する。Ｍｇ、Ｔｉ及びＯの合計を１００ａｔ％とした場合に、各元素が１０≦Ｍｇ≦４７ａｔ％、５≦Ｔｉ≦５０ａｔ％、３７≦Ｏ≦５１ａｔ％を満たし、ＭｇＯとＴｉ酸化物を含有するスパッタリングターゲット部材であって、スパッタ面をＸ線回折法により分析することにより得たＸ線回折プロファイルが、Ｔｉ2Ｏ相を由来とする回折ピークを有する。
SPUTTERING TARGET MEMBER, SPUTTERING TARGET, METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET MEMBER, AND METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING FILM
ÉLÉMENT DE CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE, CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN ÉLÉMENT DE CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
スパッタリングターゲット部材、スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲット部材の製造方法、及びスパッタ膜の製造方法
SHIMOJUKU AKIRA (author) / SATO ATSUSHI (author)
2020-10-08
Patent
Electronic Resource
Japanese
SPUTTERING TARGET MEMBER AND METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET MEMBER
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