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COMPLEX SINTERED BODY, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF COMPLEX SINTERED BODY
To provide a complex sintered body with high density that has high plasma corrosion resistance, high specific volume resistance, and high heat conductivity.SOLUTION: A complex sintered body comprises AlN and MgAlO. Open porosity of the complex sintered body is less than 0.1%. A relative density of the complex sintered body is larger than or equal to 99.5%. The sum of content rate of AlN and MgAlOin the complex sintered body is 95 weight% or more and 100 weight% or less. The content rate of MgAlOin the complex sintered body is 15 weight% or more and 70 weight% or less. The complex sintered body with high density can be thereby provided which has high plasma corrosion resistance, high specific volume resistance, and high heat conductivity.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】高いプラズマ耐食性、高い体積抵抗率、および、高い熱伝導率を有する高密度の複合焼結体を提供する。【解決手段】複合焼結体は、ＡｌＮと、ＭｇＡｌ２Ｏ４とを備える。当該複合焼結体の開気孔率は、０．１％未満である。当該複合焼結体の相対密度は９９．５％以上である。当該複合焼結体におけるＡｌＮおよびＭｇＡｌ２Ｏ４の合計含有率は、９５重量％以上かつ１００重量％以下である。当該複合焼結体におけるＭｇＡｌ２Ｏ４の含有率は、１５重量％以上かつ７０重量％以下である。これにより、高いプラズマ耐食性、高い体積抵抗率、および、高い熱伝導率を有する高密度の複合焼結体を提供することができる。【選択図】図１
COMPLEX SINTERED BODY, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF COMPLEX SINTERED BODY
To provide a complex sintered body with high density that has high plasma corrosion resistance, high specific volume resistance, and high heat conductivity.SOLUTION: A complex sintered body comprises AlN and MgAlO. Open porosity of the complex sintered body is less than 0.1%. A relative density of the complex sintered body is larger than or equal to 99.5%. The sum of content rate of AlN and MgAlOin the complex sintered body is 95 weight% or more and 100 weight% or less. The content rate of MgAlOin the complex sintered body is 15 weight% or more and 70 weight% or less. The complex sintered body with high density can be thereby provided which has high plasma corrosion resistance, high specific volume resistance, and high heat conductivity.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】高いプラズマ耐食性、高い体積抵抗率、および、高い熱伝導率を有する高密度の複合焼結体を提供する。【解決手段】複合焼結体は、ＡｌＮと、ＭｇＡｌ２Ｏ４とを備える。当該複合焼結体の開気孔率は、０．１％未満である。当該複合焼結体の相対密度は９９．５％以上である。当該複合焼結体におけるＡｌＮおよびＭｇＡｌ２Ｏ４の合計含有率は、９５重量％以上かつ１００重量％以下である。当該複合焼結体におけるＭｇＡｌ２Ｏ４の含有率は、１５重量％以上かつ７０重量％以下である。これにより、高いプラズマ耐食性、高い体積抵抗率、および、高い熱伝導率を有する高密度の複合焼結体を提供することができる。【選択図】図１
COMPLEX SINTERED BODY, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF COMPLEX SINTERED BODY
複合焼結体、半導体製造装置部材および複合焼結体の製造方法
YAGI EN (author) / KATSUTA YUJI (author)
2019-10-03
Patent
Electronic Resource
Japanese
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