A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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METHOD OF PRODUCING CESIUM TUNGSTEN OXIDE SINTERED BODY AND CESIUM TUNGSTEN OXIDE TARGET
To provide a cesium tungsten oxide sintered body capable of forming a cesium tungsten oxide thin film by a sputtering method at a film deposition rate faster than that of a conventional one, a method for manufacturing the same, and a cesium tungsten oxide target.SOLUTION: There is provided a cesium tungsten oxide sintered body comprising cesium tungsten oxide powder, wherein an atomic ratio of cesium to tungsten of the cesium tungsten oxide sintered body is 0.15 to 0.50:1, and a crystal structure of the cesium tungsten oxide sintered body is hexagonal system, and an average crystal grain size of the cesium tungsten oxide sintered body is 15 μm or more and less than 100 μm.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】スパッタリング法により従来よりも速い成膜レートでセシウムタングステン酸化物薄膜を成膜可能なセシウムタングステン酸化物焼結体及びその製造方法、セシウムタングステン酸化物ターゲットを提供することを目的とする。【解決手段】セシウムタングステン酸化物の粉末からなるセシウムタングステン酸化物焼結体であって、前記セシウムタングステン酸化物焼結体のセシウムとタングステンの原子比率が、０．１５〜０．５０：１であり、前記セシウムタングステン酸化物焼結体の結晶構造は六方晶を有し、かつ、前記セシウムタングステン酸化物焼結体の平均結晶粒径が１５μｍ以上１００μｍ未満である。【選択図】図１
METHOD OF PRODUCING CESIUM TUNGSTEN OXIDE SINTERED BODY AND CESIUM TUNGSTEN OXIDE TARGET
To provide a cesium tungsten oxide sintered body capable of forming a cesium tungsten oxide thin film by a sputtering method at a film deposition rate faster than that of a conventional one, a method for manufacturing the same, and a cesium tungsten oxide target.SOLUTION: There is provided a cesium tungsten oxide sintered body comprising cesium tungsten oxide powder, wherein an atomic ratio of cesium to tungsten of the cesium tungsten oxide sintered body is 0.15 to 0.50:1, and a crystal structure of the cesium tungsten oxide sintered body is hexagonal system, and an average crystal grain size of the cesium tungsten oxide sintered body is 15 μm or more and less than 100 μm.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】スパッタリング法により従来よりも速い成膜レートでセシウムタングステン酸化物薄膜を成膜可能なセシウムタングステン酸化物焼結体及びその製造方法、セシウムタングステン酸化物ターゲットを提供することを目的とする。【解決手段】セシウムタングステン酸化物の粉末からなるセシウムタングステン酸化物焼結体であって、前記セシウムタングステン酸化物焼結体のセシウムとタングステンの原子比率が、０．１５〜０．５０：１であり、前記セシウムタングステン酸化物焼結体の結晶構造は六方晶を有し、かつ、前記セシウムタングステン酸化物焼結体の平均結晶粒径が１５μｍ以上１００μｍ未満である。【選択図】図１
METHOD OF PRODUCING CESIUM TUNGSTEN OXIDE SINTERED BODY AND CESIUM TUNGSTEN OXIDE TARGET
セシウムタングステン酸化物焼結体及びその製造方法、セシウムタングステン酸化物ターゲット
SATO KEIICHI (author)
2020-04-30
Patent
Electronic Resource
Japanese
| European Patent Office | 2019
SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR FORMING CESIUM TUNGSTEN OXIDE FILM
| European Patent Office | 2024
SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR FORMING CESIUM TUNGSTEN OXIDE FILM
| European Patent Office | 2022
TUNGSTEN OXIDE SINTERED BODY SPUTTERING TARGET AND OXIDE THIN FILM
| European Patent Office | 2022
| European Patent Office | 2024