A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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SPATTERING TARGET MATERIAL, METHOD OF PRODUCING THE SAME, AND THIN FILM
To provide a spattering target material suppressed in generation of particles.SOLUTION: The spattering target material is represented by Ba1-XLaXSnO3 where X is a number of 0.0010 or larger and 0.10 or smaller, is composed of an oxide having a perovskite structure, has a relative density ([an apparent density/a real density]×100) of 90.0% or more, and an area of a plate surface of 300 mm2 or more. The volume resistivity at a room temperature is 20 Ωcm or less, and the volume resistivity has a tendency of increasing accompanied by temperature rise. When making a film using the spattering target material of the present invention, a thin film having a high electron mobility of 0.5 cm2/Vs or higher can be provided by a predetermined heating treatment.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】パーティクルの発生が抑制されたスパッタリングターゲット材を提供すること。【解決手段】スパッタリングターゲット材は、Ｂａ１−ＸＬａＸＳｎＯ３（ｘは０．００１０以上０．１０以下の数をいう）で表され、ペロブスカイト構造を有する酸化物からなり、相対密度（［見掛け密度／真密度］×１００）が９０．０％以上であり、板面の面積が３００ｍｍ２以上であるスパッタリングターゲット材である。室温における体積抵抗が２０Ω・ｃｍ以下で、温度上昇に伴って体積抵抗が上昇する傾向を示す。また、本発明のスパッタリングターゲット材を用いて成膜すれば、所定の加熱処理により電子移動度が０．５ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上と、高い電子移動度を有する薄膜が提供できる。【選択図】図１
SPATTERING TARGET MATERIAL, METHOD OF PRODUCING THE SAME, AND THIN FILM
To provide a spattering target material suppressed in generation of particles.SOLUTION: The spattering target material is represented by Ba1-XLaXSnO3 where X is a number of 0.0010 or larger and 0.10 or smaller, is composed of an oxide having a perovskite structure, has a relative density ([an apparent density/a real density]×100) of 90.0% or more, and an area of a plate surface of 300 mm2 or more. The volume resistivity at a room temperature is 20 Ωcm or less, and the volume resistivity has a tendency of increasing accompanied by temperature rise. When making a film using the spattering target material of the present invention, a thin film having a high electron mobility of 0.5 cm2/Vs or higher can be provided by a predetermined heating treatment.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】パーティクルの発生が抑制されたスパッタリングターゲット材を提供すること。【解決手段】スパッタリングターゲット材は、Ｂａ１−ＸＬａＸＳｎＯ３（ｘは０．００１０以上０．１０以下の数をいう）で表され、ペロブスカイト構造を有する酸化物からなり、相対密度（［見掛け密度／真密度］×１００）が９０．０％以上であり、板面の面積が３００ｍｍ２以上であるスパッタリングターゲット材である。室温における体積抵抗が２０Ω・ｃｍ以下で、温度上昇に伴って体積抵抗が上昇する傾向を示す。また、本発明のスパッタリングターゲット材を用いて成膜すれば、所定の加熱処理により電子移動度が０．５ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上と、高い電子移動度を有する薄膜が提供できる。【選択図】図１
SPATTERING TARGET MATERIAL, METHOD OF PRODUCING THE SAME, AND THIN FILM
スパッタリングターゲット材及びその製造方法並びに薄膜
YOSHIDA KAZUMA (author)
2021-10-11
Patent
Electronic Resource
Japanese
| European Patent Office | 2023
SPATTERING TARGET, METAL OXIDE PRODUCING METHOD, AND SPATTERING TARGET MANUFACTURING METHOD
| European Patent Office | 2018
| European Patent Office | 2016
European Patent Office | 2019