A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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SPATTERING TARGET, SPATTERING TARGET PRODUCTION METHOD, CRYSTAL OXIDE THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC EQUIPMENT
Provided is a spattering target (1) comprising an oxide sintered compact including an In element, a Ga element, and an O element. Said sintered compact includes a crystal structure represented by In2O3, the atomic composition ratio of the Ga element in the oxide sintered compact satisfies expression (1), and the flexural strength of the oxide sintered compact is 140 MPa or greater. Expression (1): 8 ≤ Ga/(In+Ga) ≤ 20
L'invention concerne une cible de projection (1) comprenant un comprimé fritté d'oxyde contenant un élément In, un élément Ga et un élément O. Ledit comprimé fritté comprend une structure cristalline représentée par In2O3, le rapport de composition atomique de l'élément Ga dans le comprimé fritté d'oxyde satisfait l'expression (1), et la résistance à la flexion du comprimé fritté d'oxyde est supérieure ou égale à 140 MPa. Expression (1) : 8 ≤ Ga/(In+Ga) ≤ 20
Ｉｎ元素、Ｇａ元素、及びＯ元素を含む酸化物焼結体を備えるスパッタリングターゲットであって、前記焼結体が、Ｉｎ２Ｏ３で表される結晶構造を含み、前記酸化物焼結体中の前記Ｇａ元素の原子組成比が下記式（１）を満たし、前記酸化物焼結体の抗折強度が１４０ＭＰａ以上である、スパッタリングターゲット（１）。 ８≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）≦２０ ・・・（１）
SPATTERING TARGET, SPATTERING TARGET PRODUCTION METHOD, CRYSTAL OXIDE THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC EQUIPMENT
Provided is a spattering target (1) comprising an oxide sintered compact including an In element, a Ga element, and an O element. Said sintered compact includes a crystal structure represented by In2O3, the atomic composition ratio of the Ga element in the oxide sintered compact satisfies expression (1), and the flexural strength of the oxide sintered compact is 140 MPa or greater. Expression (1): 8 ≤ Ga/(In+Ga) ≤ 20
L'invention concerne une cible de projection (1) comprenant un comprimé fritté d'oxyde contenant un élément In, un élément Ga et un élément O. Ledit comprimé fritté comprend une structure cristalline représentée par In2O3, le rapport de composition atomique de l'élément Ga dans le comprimé fritté d'oxyde satisfait l'expression (1), et la résistance à la flexion du comprimé fritté d'oxyde est supérieure ou égale à 140 MPa. Expression (1) : 8 ≤ Ga/(In+Ga) ≤ 20
Ｉｎ元素、Ｇａ元素、及びＯ元素を含む酸化物焼結体を備えるスパッタリングターゲットであって、前記焼結体が、Ｉｎ２Ｏ３で表される結晶構造を含み、前記酸化物焼結体中の前記Ｇａ元素の原子組成比が下記式（１）を満たし、前記酸化物焼結体の抗折強度が１４０ＭＰａ以上である、スパッタリングターゲット（１）。 ８≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）≦２０ ・・・（１）
SPATTERING TARGET, SPATTERING TARGET PRODUCTION METHOD, CRYSTAL OXIDE THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC EQUIPMENT
CIBLE DE PROJECTION, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CIBLE DE PROJECTION, COUCHE MINCE D'OXYDE CRISTALLIN, TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET ÉQUIPEMENT ÉLECTRONIQUE
スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲットの製造方法、結晶酸化物薄膜、薄膜トランジスタ、及び電子機器
ITOSE MAMI (author) / KAIJO AKIRA (author)
2023-10-05
Patent
Electronic Resource
Japanese
SPATTERING TARGET, METAL OXIDE PRODUCING METHOD, AND SPATTERING TARGET MANUFACTURING METHOD
| European Patent Office | 2018
SPATTERING TARGET MATERIAL, METHOD OF PRODUCING THE SAME, AND THIN FILM
| European Patent Office | 2021
European Patent Office | 2019
| European Patent Office | 2017