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SINTERED COMPACT OF YTTRIUM OXYFLUORIDE AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE MEMBER USING THE SAME
To provide a sintered compact of yttrium oxyfluoride which is easily heated by radiation and dissipates heat while maintaining a composition for securing corrosion resistance against plasma such as halogen and oxygen.SOLUTION: A sintered compact of yttrium oxyfluoride containing both Y5O4F7 and YF3 as a main ingredient contains 0.02 to 0.3 wt.% of carbon, and has an L value of 20 to 55 in a Lab color space.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】 ハロゲンや酸素などのプラズマに対する耐食性を確保できる組成を維持しながら輻射加熱、放熱しやすいオキシフッ化イットリウムの焼結体を提供する。【解決手段】 Y5O4F7とYF3を主成分とするオキシフッ化イットリウムの焼結体であって、0.02~0.3重量%のカーボンを含有し、Lab表色系においてL値が20~55であることを特徴とするオキシフッ化イットリウムの焼結体。【選択図】 図1
SINTERED COMPACT OF YTTRIUM OXYFLUORIDE AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE MEMBER USING THE SAME
To provide a sintered compact of yttrium oxyfluoride which is easily heated by radiation and dissipates heat while maintaining a composition for securing corrosion resistance against plasma such as halogen and oxygen.SOLUTION: A sintered compact of yttrium oxyfluoride containing both Y5O4F7 and YF3 as a main ingredient contains 0.02 to 0.3 wt.% of carbon, and has an L value of 20 to 55 in a Lab color space.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】 ハロゲンや酸素などのプラズマに対する耐食性を確保できる組成を維持しながら輻射加熱、放熱しやすいオキシフッ化イットリウムの焼結体を提供する。【解決手段】 Y5O4F7とYF3を主成分とするオキシフッ化イットリウムの焼結体であって、0.02~0.3重量%のカーボンを含有し、Lab表色系においてL値が20~55であることを特徴とするオキシフッ化イットリウムの焼結体。【選択図】 図1
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オキシフッ化イットリウムの焼結体及び該オキシフッ化イットリウムの焼結体を用いた半導体製造装置用部材
SATO EMIKO (author) / ITO YASUTAKA (author)
2022-10-03
Patent
Electronic Resource
Japanese
European Patent Office | 2023
|European Patent Office | 2023
European Patent Office | 2022
|European Patent Office | 2017
|European Patent Office | 2019
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