A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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スパッタリングターゲット
本発明のスパッタリングターゲットは、インジウム（Ｉｎ）元素、亜鉛（Ｚｎ）元素及び添加元素（Ｘ）を含む酸化物から構成され、添加元素（Ｘ）はタンタル（Ｔａ）、及びニオブ（Ｎｂ）から選ばれる少なくとも１つの元素からなり、各元素の原子比が所定の関係式を満たす複数のスパッタリングターゲット材を、基材に接合材により接合して形成されるスパッタリングターゲットであって、前記複数のスパッタリングターゲット材間に形成される間隙に配置される基材保護部材を有する。
A sputtering target according to the present invention is formed by using a bonding material to bond a plurality of sputtering target members to a substrate. The sputtering target members are composed of oxides containing indium (In), zinc (Zn), and an additional element (X), with the additional element (X) being at least one element selected from among tantalum (Ta) and niobium (Nb), such that the atomic ratios for the respective elements satisfy prescribed relationships. The sintering target has substrate protecting members positioned in the gaps formed between the plurality of sputtering target members.
スパッタリングターゲット
本発明のスパッタリングターゲットは、インジウム（Ｉｎ）元素、亜鉛（Ｚｎ）元素及び添加元素（Ｘ）を含む酸化物から構成され、添加元素（Ｘ）はタンタル（Ｔａ）、及びニオブ（Ｎｂ）から選ばれる少なくとも１つの元素からなり、各元素の原子比が所定の関係式を満たす複数のスパッタリングターゲット材を、基材に接合材により接合して形成されるスパッタリングターゲットであって、前記複数のスパッタリングターゲット材間に形成される間隙に配置される基材保護部材を有する。
A sputtering target according to the present invention is formed by using a bonding material to bond a plurality of sputtering target members to a substrate. The sputtering target members are composed of oxides containing indium (In), zinc (Zn), and an additional element (X), with the additional element (X) being at least one element selected from among tantalum (Ta) and niobium (Nb), such that the atomic ratios for the respective elements satisfy prescribed relationships. The sintering target has substrate protecting members positioned in the gaps formed between the plurality of sputtering target members.