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CHEMICAL VAPOR DEPOSITED SILICON CARBIDE ARTICLES
화학적 기상 증착된 실리콘 카바이드 물체들 및 이들을 생산하는 방법이 개시된다. 화학적 기상 증착된 실리콘 카바이드 물체들은 소결된 세라믹 조인트들에 의해 함께 결합된 복수 개의 파트들로 구성된다. 조인트들은 물체들의 조인트들에서 공차를 강화하고 유지한다. 물체들은 반도체 공정에 사용될 수 있다.
CHEMICAL VAPOR DEPOSITED SILICON CARBIDE ARTICLES
화학적 기상 증착된 실리콘 카바이드 물체들 및 이들을 생산하는 방법이 개시된다. 화학적 기상 증착된 실리콘 카바이드 물체들은 소결된 세라믹 조인트들에 의해 함께 결합된 복수 개의 파트들로 구성된다. 조인트들은 물체들의 조인트들에서 공차를 강화하고 유지한다. 물체들은 반도체 공정에 사용될 수 있다.
CHEMICAL VAPOR DEPOSITED SILICON CARBIDE ARTICLES
화학적 기상 증착된 실리콘 카바이드 물체들
2015-07-31
Patent
Electronic Resource
Korean
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
Preferred Orientation of Chemical Vapor Deposited Polycrystalline Silicon Carbide Films
British Library Online Contents | 2002
|Electrical Characteristics of Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposited Silicon Carbide Thin Films
British Library Online Contents | 2003
|Silicon carbide whisker reinforced silicon carbide composites by chemical vapor infiltration
British Library Online Contents | 2006
|High temperature structural stability of chemically vapor-deposited silicon carbide filaments
British Library Online Contents | 1993
|British Library Online Contents | 1999
|