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PZT METHOD OF MANUFACTURING PZT-BASED FERROELECTRIC THIN FILM
(과제) CSD 법을 이용하여 1 층당 100 ㎚ 이상의 후막을 도포, 가소, 소성해도, 크랙이나 막밀도의 저하가 일어나지 않고 치밀하며 결정 배향성이 우수한 PZT 계 강유전체 박막을 얻는다. (해결 수단) 결정면이 (111) 축방향으로 배향된 하부 전극을 갖는 기판의 하부 전극 상에, PZT 계 강유전체 박막 형성용 조성물을 도포, 가소한 후, 소성하여 결정화시켜 하부 전극 상에 PZT 계 강유전체 박막을 제조할 때, PZT 계 강유전체 박막 형성용 조성물을 CSD 법으로 하부 전극면에 도포하여 형성된 졸막에 대해, 적외선을 사용하면서, 실온 등의 소정 온도로부터 승온시켜 200 ∼ 350 ℃ 의 범위 내의 온도로 유지하는 제 1 유지 단계와, 제 1 유지 단계의 유지 온도로부터 승온시켜 제 1 유지 단계의 유지 온도보다 높은 350 ∼ 500 ℃ 의 범위 내의 온도로 유지하는 제 2 유지 단계를 포함하는 온도 패턴에 의해 순조롭게 가소를 실시한다.
[Task] To obtain a dense PZT-based ferroelectric thin film having excellent crystal orientation in which cracking or a decrease in the film density does not occur even when a thick film having a film thickness per layer of 100 nm or more is coated, calcined, and fired using a CSD method. [Means for Resolution] When a PZT-based ferroelectric thin film is manufactured on a lower electrode by coating, calcining, and then firing so as to crystallize a PZT-based ferroelectric thin film-forming composition on the lower electrode of a substrate having the lower electrode in which the crystal plane is oriented in a (111) axis direction, the PZT-based ferroelectric thin film-forming composition is coated on the surface of the lower electrode using a CSD method, and calcination is slowly carried out on a formed sol film in a temperature pattern including a first holding step in which the temperature of the composition is increased frog a predetermined temperature such as room temperature using infrared rays and the composition is held at a temperature in a range of 200°C to 350°C and a second holding step in which the temperature of composition is increased from the holding temperature of the first holding step and is held at a temperature in a range of 350°C to 500°C higher than the holding temperature of the first holding step.
PZT METHOD OF MANUFACTURING PZT-BASED FERROELECTRIC THIN FILM
(과제) CSD 법을 이용하여 1 층당 100 ㎚ 이상의 후막을 도포, 가소, 소성해도, 크랙이나 막밀도의 저하가 일어나지 않고 치밀하며 결정 배향성이 우수한 PZT 계 강유전체 박막을 얻는다. (해결 수단) 결정면이 (111) 축방향으로 배향된 하부 전극을 갖는 기판의 하부 전극 상에, PZT 계 강유전체 박막 형성용 조성물을 도포, 가소한 후, 소성하여 결정화시켜 하부 전극 상에 PZT 계 강유전체 박막을 제조할 때, PZT 계 강유전체 박막 형성용 조성물을 CSD 법으로 하부 전극면에 도포하여 형성된 졸막에 대해, 적외선을 사용하면서, 실온 등의 소정 온도로부터 승온시켜 200 ∼ 350 ℃ 의 범위 내의 온도로 유지하는 제 1 유지 단계와, 제 1 유지 단계의 유지 온도로부터 승온시켜 제 1 유지 단계의 유지 온도보다 높은 350 ∼ 500 ℃ 의 범위 내의 온도로 유지하는 제 2 유지 단계를 포함하는 온도 패턴에 의해 순조롭게 가소를 실시한다.
[Task] To obtain a dense PZT-based ferroelectric thin film having excellent crystal orientation in which cracking or a decrease in the film density does not occur even when a thick film having a film thickness per layer of 100 nm or more is coated, calcined, and fired using a CSD method. [Means for Resolution] When a PZT-based ferroelectric thin film is manufactured on a lower electrode by coating, calcining, and then firing so as to crystallize a PZT-based ferroelectric thin film-forming composition on the lower electrode of a substrate having the lower electrode in which the crystal plane is oriented in a (111) axis direction, the PZT-based ferroelectric thin film-forming composition is coated on the surface of the lower electrode using a CSD method, and calcination is slowly carried out on a formed sol film in a temperature pattern including a first holding step in which the temperature of the composition is increased frog a predetermined temperature such as room temperature using infrared rays and the composition is held at a temperature in a range of 200°C to 350°C and a second holding step in which the temperature of composition is increased from the holding temperature of the first holding step and is held at a temperature in a range of 350°C to 500°C higher than the holding temperature of the first holding step.
PZT METHOD OF MANUFACTURING PZT-BASED FERROELECTRIC THIN FILM
PZT 계 강유전체 박막의 제조 방법
2018-12-31
Patent
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