A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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PRODUCT MADE FROM SILICON CARBIDE FOR SHIELDING
탄화 규소 분말 및 소결 첨가제를 고상으로 소결함으로써 얻은 제품이 제공되며, 상기 제품은 98.5 % 초과의 상대 밀도를 가지고, 그레인의 형태로 존재하는 92 중량% 초과의 SiC, 2 중량% 미만의 원소 산소, 및 총 6 중량% 미만의 다른 원소를 포함하고, 상기 제품은 상기 그레인의 전체 수를 기준으로 SiC 그레인의 수의 10 % 초과가 3 초과의 신장 인자 F(F > 3)를 가지고, 신장 인자 F가 3 초과인 상기 그레인의 수의 50 % 초과가 3 ㎛ 초과의 폭을 가지고, 상기 제품 내의 다른 SiC 그레인이 1 ㎛ 초과 및 20 ㎛ 미만의 평균 등가 직경을 갖는 것을 특징으로 한다.
A product obtained by solid-phase sintering of a silicon carbide powder and of a sintering additive, the product having a relative density of greater than 98.5% and including: more than 92% by weight of SiC present in the form of grains, less than 2% by weight of elemental oxygen, less than 6% by weight, in total, of other elements, wherein more than 10% by number of the SiC grains, on the basis of the total number of the grains, have an elongation factor F of greater than 3 (F>3), wherein more than 50% by number of the grains, the elongation factor F of which is greater than 3, have a width of greater than 3 micrometers, and wherein the other SiC grains in the product have a mean equivalent diameter of greater than 1 micrometer and less than 20 micrometers.
PRODUCT MADE FROM SILICON CARBIDE FOR SHIELDING
탄화 규소 분말 및 소결 첨가제를 고상으로 소결함으로써 얻은 제품이 제공되며, 상기 제품은 98.5 % 초과의 상대 밀도를 가지고, 그레인의 형태로 존재하는 92 중량% 초과의 SiC, 2 중량% 미만의 원소 산소, 및 총 6 중량% 미만의 다른 원소를 포함하고, 상기 제품은 상기 그레인의 전체 수를 기준으로 SiC 그레인의 수의 10 % 초과가 3 초과의 신장 인자 F(F > 3)를 가지고, 신장 인자 F가 3 초과인 상기 그레인의 수의 50 % 초과가 3 ㎛ 초과의 폭을 가지고, 상기 제품 내의 다른 SiC 그레인이 1 ㎛ 초과 및 20 ㎛ 미만의 평균 등가 직경을 갖는 것을 특징으로 한다.
A product obtained by solid-phase sintering of a silicon carbide powder and of a sintering additive, the product having a relative density of greater than 98.5% and including: more than 92% by weight of SiC present in the form of grains, less than 2% by weight of elemental oxygen, less than 6% by weight, in total, of other elements, wherein more than 10% by number of the SiC grains, on the basis of the total number of the grains, have an elongation factor F of greater than 3 (F>3), wherein more than 50% by number of the grains, the elongation factor F of which is greater than 3, have a width of greater than 3 micrometers, and wherein the other SiC grains in the product have a mean equivalent diameter of greater than 1 micrometer and less than 20 micrometers.
Manufacturing method of silicon carbide product and silicon carbide product
| European Patent Office | 2024
High-Resistance Silicon Carbide Product Forming Method and High-Resistance Silicon Carbide Product
| European Patent Office | 2022