A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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OXIDE SPUTTERING TARGET THIN FILM TRANSISTOR USING THE SAME AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR
박막 트랜지스터를 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 소스 전극, 상기 소스 전극과 동일층에 위치하며 상기 소스 전극과 마주보는 드레인 전극, 상기 게이트 전극과 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극 사이에 위치하는 산화물 반도체층 그리고 상기 게이트 전극과 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극 사이에 위치하는 게이트 절연막을 포함하고, 상기 산화물 반도체층은 산화 탈륨을 포함한다.
A thin film transistor includes a gate electrode, a source electrode, a drain electrode disposed on the same layer as the source electrode and facing the source electrode, an oxide semiconductor layer disposed between the gate electrode and the source electrode or the drain electrode, and a gate insulating layer disposed between the gate electrode and the source electrode or the drain electrode, in which the oxide semiconductor layer includes thallium and at least one of indium, zinc, tin, and gallium. Also an oxide sputtering target including: an oxide including thallium (Tl); and at least one of indium, zinc, tin, and gallium.
OXIDE SPUTTERING TARGET THIN FILM TRANSISTOR USING THE SAME AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR
박막 트랜지스터를 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 소스 전극, 상기 소스 전극과 동일층에 위치하며 상기 소스 전극과 마주보는 드레인 전극, 상기 게이트 전극과 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극 사이에 위치하는 산화물 반도체층 그리고 상기 게이트 전극과 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극 사이에 위치하는 게이트 절연막을 포함하고, 상기 산화물 반도체층은 산화 탈륨을 포함한다.
A thin film transistor includes a gate electrode, a source electrode, a drain electrode disposed on the same layer as the source electrode and facing the source electrode, an oxide semiconductor layer disposed between the gate electrode and the source electrode or the drain electrode, and a gate insulating layer disposed between the gate electrode and the source electrode or the drain electrode, in which the oxide semiconductor layer includes thallium and at least one of indium, zinc, tin, and gallium. Also an oxide sputtering target including: an oxide including thallium (Tl); and at least one of indium, zinc, tin, and gallium.
OXIDE SPUTTERING TARGET THIN FILM TRANSISTOR USING THE SAME AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR
산화물 스퍼터링 타겟, 이를 이용한 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
2020-04-16
Patent
Electronic Resource
Korean
OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OF THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR AND SPUTTERING TARGET
| European Patent Office | 2016
OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OF THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR AND SPUTTERING TARGET
| European Patent Office | 2016
OXIDE SPUTTERING TARGET, THIN FILM TRANSISTOR USING THE SAME
| European Patent Office | 2015
Oxide for semiconductor layer of thin-film transistor, sputtering target, and thin-film transistor
| European Patent Office | 2015
| European Patent Office | 2024