A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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산화물 소결체 및 그 제조 방법, 스퍼터 타겟, 산화물 반도체막, 그리고 반도체 디바이스의 제조 방법
In, W 및 Zn을 포함하고, In2O3 결정상 및 In2(ZnO)mO3 결정상(m은 자연수를 나타낸다)을 포함하고, 인듐 원자에 배위하는 산소의 평균 배위수가 3 이상 5.5 미만인 산화물 소결체 및 그 제조 방법, 그리고 In, W 및 Zn을 포함하고, 비정질이며, 인듐 원자에 배위하는 산소의 평균 배위수가 2 이상 4.5 미만인 산화물 반도체막이 제공된다.
There are provided an oxide sintered material and a method of manufacturing the same as well as an oxide semiconductor film. The oxide sintered material contains In, W and Zn, includes an In2O3 crystal phase and an In2(ZnO)mO3 crystal phase (m represents a natural number), and an average number of oxygen atoms coordinated to an indium atom is 3 or more and less than 5.5. The oxide semiconductor film contains In, W and Zn. The oxide semiconductor film is amorphous, and an average number of oxygen atoms coordinated to an indium atom is 2 or more and less than 4.5.
산화물 소결체 및 그 제조 방법, 스퍼터 타겟, 산화물 반도체막, 그리고 반도체 디바이스의 제조 방법
In, W 및 Zn을 포함하고, In2O3 결정상 및 In2(ZnO)mO3 결정상(m은 자연수를 나타낸다)을 포함하고, 인듐 원자에 배위하는 산소의 평균 배위수가 3 이상 5.5 미만인 산화물 소결체 및 그 제조 방법, 그리고 In, W 및 Zn을 포함하고, 비정질이며, 인듐 원자에 배위하는 산소의 평균 배위수가 2 이상 4.5 미만인 산화물 반도체막이 제공된다.
There are provided an oxide sintered material and a method of manufacturing the same as well as an oxide semiconductor film. The oxide sintered material contains In, W and Zn, includes an In2O3 crystal phase and an In2(ZnO)mO3 crystal phase (m represents a natural number), and an average number of oxygen atoms coordinated to an indium atom is 3 or more and less than 5.5. The oxide semiconductor film contains In, W and Zn. The oxide semiconductor film is amorphous, and an average number of oxygen atoms coordinated to an indium atom is 2 or more and less than 4.5.
산화물 소결체 및 그 제조 방법, 스퍼터 타겟, 산화물 반도체막, 그리고 반도체 디바이스의 제조 방법
2023-08-31
Patent
Electronic Resource
Korean