A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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STACKED STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS MEMBER
적층 구조체(10)는, AlN 및 MgAl2O4를 주상(主相)으로서 포함하는 복합 소결체에 의해 형성되는 제1 구조체와, 세라믹스 소결체에 의해 형성되고, 상기 제1 구조체에 적층되어 접합되는 제2 구조체를 구비한다. 그리고, 상기 제1 구조체와 상기 제2 구조체의 선열팽창계수의 차는, 0.3 ppm/K 이하이다. 이것에 의해, 열응력에 기인한 제1 구조체와 제2 구조체의 접합부의 손상을 억제할 수 있다.
A stacked structure includes a first structure formed of a composite sintered body that contains AlN and MgAl2O4 as main phases, and a second structure formed of a ceramic sintered body and stacked on and bonded to the first structure. A difference in linear thermal expansion coefficient between the first structure and the second structure is less than or equal to 0.3 ppm/K.
STACKED STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS MEMBER
적층 구조체(10)는, AlN 및 MgAl2O4를 주상(主相)으로서 포함하는 복합 소결체에 의해 형성되는 제1 구조체와, 세라믹스 소결체에 의해 형성되고, 상기 제1 구조체에 적층되어 접합되는 제2 구조체를 구비한다. 그리고, 상기 제1 구조체와 상기 제2 구조체의 선열팽창계수의 차는, 0.3 ppm/K 이하이다. 이것에 의해, 열응력에 기인한 제1 구조체와 제2 구조체의 접합부의 손상을 억제할 수 있다.
A stacked structure includes a first structure formed of a composite sintered body that contains AlN and MgAl2O4 as main phases, and a second structure formed of a ceramic sintered body and stacked on and bonded to the first structure. A difference in linear thermal expansion coefficient between the first structure and the second structure is less than or equal to 0.3 ppm/K.
STACKED STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS MEMBER
적층 구조체 및 반도체 제조 장치 부재
2023-11-13
Patent
Electronic Resource
Korean
STACKED STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS MEMBER
| European Patent Office | 2021
SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS MEMBER AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS
| European Patent Office | 2022