A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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SiC SiC SiC SiC CRUCIBLE SiC SINTERED BODY AND METHOD OF PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL
본 발명에서는, 용액법으로 SiC 단결정을 제조할 때, Si-C 용액의 수용부로서 사용하는 도가니로서, SiC를 주성분으로 하는 산소 함유량이 100ppm 이하인 도가니를 사용한다. 또한, 다른 형태에서는, Si-C 용액의 수용부로서의 도가니 내에 SiC를 주성분으로 하는 산소 함유량이 100ppm 이하인 소결체를 수용한다. 이러한 SiC 도가니나 SiC 소결체는, 산소 함유량이 2000ppm 이하인 SiC 원료 분말을 성형ㆍ소성시켜 얻어진다. 이들 주성분인 SiC는 Si 및 C의 원이 되고, 가열에 의해 Si-C 용액 중에 Si 및 C가 용출되지만, 산소 함유량이 100ppm 이하이기 때문에 Si-C 용액 중에서의 가스 발생이 억제된다. 그 결과, 저결함이며 고품질인 SiC 단결정을 장시간에 걸쳐 안정적으로 제조하는 것이 가능해진다.
In the present invention, in producing a SiC single crystal in accordance with a solution method, a crucible containing SiC as a main component and having an oxygen content of 100 ppm or less is used as the crucible to be used as a container for a Si-C solution. In another embodiment, a sintered body containing SiC as a main component and having an oxygen content of 100 ppm or less is placed in the crucible to be used as a container for a Si-C solution. The SiC crucible and SiC sintered body are obtained by molding and baking a SiC raw-material powder having an oxygen content of 2000 ppm or less. SiC, which is the main component of these, serves as a source for Si and C and allows Si and C to elute into the Si-C solution by heating.
SiC SiC SiC SiC CRUCIBLE SiC SINTERED BODY AND METHOD OF PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL
본 발명에서는, 용액법으로 SiC 단결정을 제조할 때, Si-C 용액의 수용부로서 사용하는 도가니로서, SiC를 주성분으로 하는 산소 함유량이 100ppm 이하인 도가니를 사용한다. 또한, 다른 형태에서는, Si-C 용액의 수용부로서의 도가니 내에 SiC를 주성분으로 하는 산소 함유량이 100ppm 이하인 소결체를 수용한다. 이러한 SiC 도가니나 SiC 소결체는, 산소 함유량이 2000ppm 이하인 SiC 원료 분말을 성형ㆍ소성시켜 얻어진다. 이들 주성분인 SiC는 Si 및 C의 원이 되고, 가열에 의해 Si-C 용액 중에 Si 및 C가 용출되지만, 산소 함유량이 100ppm 이하이기 때문에 Si-C 용액 중에서의 가스 발생이 억제된다. 그 결과, 저결함이며 고품질인 SiC 단결정을 장시간에 걸쳐 안정적으로 제조하는 것이 가능해진다.
In the present invention, in producing a SiC single crystal in accordance with a solution method, a crucible containing SiC as a main component and having an oxygen content of 100 ppm or less is used as the crucible to be used as a container for a Si-C solution. In another embodiment, a sintered body containing SiC as a main component and having an oxygen content of 100 ppm or less is placed in the crucible to be used as a container for a Si-C solution. The SiC crucible and SiC sintered body are obtained by molding and baking a SiC raw-material powder having an oxygen content of 2000 ppm or less. SiC, which is the main component of these, serves as a source for Si and C and allows Si and C to elute into the Si-C solution by heating.
SiC SiC SiC SiC CRUCIBLE SiC SINTERED BODY AND METHOD OF PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL
SiC 도가니 및 SiC 소결체 그리고 SiC 단결정의 제조 방법
2024-06-04
Patent
Electronic Resource
Korean
SiC CRUCIBLE, SiC SINTERED BODY, AND METHOD OF PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL
| European Patent Office | 2018
SiC crucible, SiC sintered body, and method of producing SiC single crystal
| European Patent Office | 2022
SiC CRUCIBLE, SiC SINTERED BODY, AND METHOD OF PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL
| European Patent Office | 2017
SiC SiC SiC SiC CRUCIBLE SiC SINTERED BODY AND METHOD OF PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL
| European Patent Office | 2023
CRUCIBLE, METHOD FOR PRODUCING CRUCIBLE, AND METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL
| European Patent Office | 2024