A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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SiC CRUCIBLE, SiC SINTERED BODY, AND METHOD OF PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL
When producing an SiC single crystal with a solution method, a crucible having SiC as the primary component and having an oxygen content of no greater than 100 ppm is used as the crucible that serves as a housing unit of an Si-C solution. In another embodiment, a sintered body having SiC as the primary component and having an oxygen content of no greater than 100 ppm is housed inside of the crucible serving as the housing unit of an Si-C solution. Such an SiC crucible or SiC sintered body is obtained by forming / sintering an SiC raw material powder having an oxygen content of 2000 ppm or less. In both cases, SiC, the primary component, becomes a source of Si and C, which elute into the Si-C solution through heating, and since the oxygen content is no greater than 100 ppm, the generation of gas in the Si-C solution is suppressed. As a result, SiC single crystals with few defects and high quality can be produced stably and over a long period of time.
Dans un mode de réalisation selon l'invention, lors de la production d'un monocristal de SiC par un procédé en solution, un creuset comprenant du SiC à titre de composant principal et ayant une teneur en oxygène n'excédant pas 100 ppm est utilisé comme creuset servant d'unité de cuve d'une solution de Si-C. Dans un autre mode de réalisation, un corps fritté comprenant du SiC à titre de composant principal et ayant une teneur en oxygène n'excédant pas 100 ppm est placé à l'intérieur du creuset servant d'unité de cuve d'une solution de Si-C. Le creuset en SiC ou le corps fritté en SiC est obtenu par mise en forme/frittage d'une poudre de SiC de départ ayant une teneur en oxygène de 2000 ppm ou moins. Dans les deux cas, le composant principal, SiC, devient une source de Si et C, qui s'éluent dans la solution de Si-C par chauffage, et comme la teneur en oxygène n'est pas supérieure à 100 ppm, la génération de gaz dans la solution de Si-C est supprimée. Par conséquent, des monocristaux de SiC comportant peu de défauts et de qualité élevée peuvent être produits de manière stable et sur une longue période de temps.
本発明では、溶液法でＳｉＣ単結晶を製造するに際し、Ｓｉ－Ｃ溶液の収容部として用いる坩堝として、ＳｉＣを主成分とする酸素含有量が１００ｐｐｍ以下の坩堝を用いる。また、別の態様では、Ｓｉ－Ｃ溶液の収容部としての坩堝内にＳｉＣを主成分とする酸素含有量が１００ｐｐｍ以下の焼結体を収容する。このようなＳｉＣ坩堝やＳｉＣ焼結体は、酸素含有量が２０００ｐｐｍ以下のＳｉＣ原料粉を成形・焼成して得られる。これらの主成分であるＳｉＣはＳｉおよびＣの源となり、加熱によりＳｉ－Ｃ溶液中にＳｉおよびＣが溶出するが、酸素含有量が１００ｐｐｍ以下であるためＳｉ－Ｃ溶液中でのガス発生が抑制される。その結果、低欠陥で高品質なＳｉＣ単結晶を、長時間に渡って安定的に製造することが可能となる。
SiC CRUCIBLE, SiC SINTERED BODY, AND METHOD OF PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL
When producing an SiC single crystal with a solution method, a crucible having SiC as the primary component and having an oxygen content of no greater than 100 ppm is used as the crucible that serves as a housing unit of an Si-C solution. In another embodiment, a sintered body having SiC as the primary component and having an oxygen content of no greater than 100 ppm is housed inside of the crucible serving as the housing unit of an Si-C solution. Such an SiC crucible or SiC sintered body is obtained by forming / sintering an SiC raw material powder having an oxygen content of 2000 ppm or less. In both cases, SiC, the primary component, becomes a source of Si and C, which elute into the Si-C solution through heating, and since the oxygen content is no greater than 100 ppm, the generation of gas in the Si-C solution is suppressed. As a result, SiC single crystals with few defects and high quality can be produced stably and over a long period of time.
Dans un mode de réalisation selon l'invention, lors de la production d'un monocristal de SiC par un procédé en solution, un creuset comprenant du SiC à titre de composant principal et ayant une teneur en oxygène n'excédant pas 100 ppm est utilisé comme creuset servant d'unité de cuve d'une solution de Si-C. Dans un autre mode de réalisation, un corps fritté comprenant du SiC à titre de composant principal et ayant une teneur en oxygène n'excédant pas 100 ppm est placé à l'intérieur du creuset servant d'unité de cuve d'une solution de Si-C. Le creuset en SiC ou le corps fritté en SiC est obtenu par mise en forme/frittage d'une poudre de SiC de départ ayant une teneur en oxygène de 2000 ppm ou moins. Dans les deux cas, le composant principal, SiC, devient une source de Si et C, qui s'éluent dans la solution de Si-C par chauffage, et comme la teneur en oxygène n'est pas supérieure à 100 ppm, la génération de gaz dans la solution de Si-C est supprimée. Par conséquent, des monocristaux de SiC comportant peu de défauts et de qualité élevée peuvent être produits de manière stable et sur une longue période de temps.
本発明では、溶液法でＳｉＣ単結晶を製造するに際し、Ｓｉ－Ｃ溶液の収容部として用いる坩堝として、ＳｉＣを主成分とする酸素含有量が１００ｐｐｍ以下の坩堝を用いる。また、別の態様では、Ｓｉ－Ｃ溶液の収容部としての坩堝内にＳｉＣを主成分とする酸素含有量が１００ｐｐｍ以下の焼結体を収容する。このようなＳｉＣ坩堝やＳｉＣ焼結体は、酸素含有量が２０００ｐｐｍ以下のＳｉＣ原料粉を成形・焼成して得られる。これらの主成分であるＳｉＣはＳｉおよびＣの源となり、加熱によりＳｉ－Ｃ溶液中にＳｉおよびＣが溶出するが、酸素含有量が１００ｐｐｍ以下であるためＳｉ－Ｃ溶液中でのガス発生が抑制される。その結果、低欠陥で高品質なＳｉＣ単結晶を、長時間に渡って安定的に製造することが可能となる。
SiC CRUCIBLE, SiC SINTERED BODY, AND METHOD OF PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL
CREUSET EN SiC, CORPS FRITTÉ EN SiC, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL DE SiC
ＳｉＣ坩堝およびＳｉＣ焼結体ならびにＳｉＣ単結晶の製造方法
SHINYA NAOFUMI (author) / HAMAGUCHI YU (author) / YAMAGATA NORIO (author) / YAMADA OSAMU (author) / MINOWA TAKEHISA (author)
2017-02-09
Patent
Electronic Resource
Japanese
SiC CRUCIBLE, SiC SINTERED BODY, AND METHOD OF PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL
| European Patent Office | 2018
SiC crucible, SiC sintered body, and method of producing SiC single crystal
| European Patent Office | 2022
SiC SiC SiC SiC CRUCIBLE SiC SINTERED BODY AND METHOD OF PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL
European Patent Office | 2024
SiC SiC SiC SiC CRUCIBLE SiC SINTERED BODY AND METHOD OF PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL
| European Patent Office | 2023
CRUCIBLE, METHOD FOR PRODUCING CRUCIBLE, AND METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL
| European Patent Office | 2024