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DIELECTRIC CERAMICS COMPOSITION FOR HIGH FREQUENCY DEVICE MANUFACTURING METHOD OF THE SAME AND LTCC SUBSTRATE THEREBY
본 발명에 따른 유전체 조성물은, 보로실리케이트 유리 프릿 분말과, 산화알루미늄, 산화규소 및 코디어라이트 중에서 선택된 하나 이상의 필러 분말을 포함하는 조성으로 구성되고, 비정질 구조, 또는 비정질 및 결정질의 공존 구조만을 갖되 결정질 구조는 갖지 않는 고용체를 이룬다. 이때, 상기 조성은, 상기 유전체 조성물의 총량에 대비하여, 40~70 vol% 함량의 보로실리케이트 유리 프릿 분말과, 30~60 vol% 함량의 필러 분말을 포함할 수 있다. 또한, 상기 보로실리케이트 유리 프릿 분말의 평균 입경(D50)은 0.1~2㎛ 범위일 수 있다. 본 발명에 따른 유전체 조성물의 고용체는 2.0~3.3의 유전율(εr)과 Q×f0 = 2500~15000 G㎐ (이때, f0: 공진 주파수, Q: 상기 공진 주파수 f0에서의 상기 유리 소결체의 품질계수)의 우수한 마이크로파 유전특성을 갖는다.
DIELECTRIC CERAMICS COMPOSITION FOR HIGH FREQUENCY DEVICE MANUFACTURING METHOD OF THE SAME AND LTCC SUBSTRATE THEREBY
본 발명에 따른 유전체 조성물은, 보로실리케이트 유리 프릿 분말과, 산화알루미늄, 산화규소 및 코디어라이트 중에서 선택된 하나 이상의 필러 분말을 포함하는 조성으로 구성되고, 비정질 구조, 또는 비정질 및 결정질의 공존 구조만을 갖되 결정질 구조는 갖지 않는 고용체를 이룬다. 이때, 상기 조성은, 상기 유전체 조성물의 총량에 대비하여, 40~70 vol% 함량의 보로실리케이트 유리 프릿 분말과, 30~60 vol% 함량의 필러 분말을 포함할 수 있다. 또한, 상기 보로실리케이트 유리 프릿 분말의 평균 입경(D50)은 0.1~2㎛ 범위일 수 있다. 본 발명에 따른 유전체 조성물의 고용체는 2.0~3.3의 유전율(εr)과 Q×f0 = 2500~15000 G㎐ (이때, f0: 공진 주파수, Q: 상기 공진 주파수 f0에서의 상기 유리 소결체의 품질계수)의 우수한 마이크로파 유전특성을 갖는다.
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고주파 소자용 유전체 조성물, 그의 제조방법 및 그에 의한 저온동시소성 세라믹스 기판
2024-12-12
Patent
Electronic Resource
Korean
European Patent Office | 2024
|European Patent Office | 2023
|European Patent Office | 2024
European Patent Office | 2023
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