A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SUBSTRATE
규소 분말과 희토류 원소 화합물과 마그네슘 화합물을 함유하는 원료 분말로서, 원료 분말 중의 규소를 질화 규소로 환산한 경우 희토류 원소 화합물을 산화물 환산으로 1mol% 이상 7mol% 이하 함유하고 마그네슘 화합물을 산화물 환산으로 8mol% 이상 15mol% 이하 함유하는 원료 분말을 준비하는 원료 분말 준비 공정과, 원료 분말을 시트 형상으로 성형하여 시트체를 형성하는 시트 성형 공정과, 시트체를 질소 분위기에서 1200℃ 이상 1500℃ 이하로 가열하여 시트체에 포함되는 규소를 질화하는 질화 공정과, 질화 공정을 마친 시트체를 질소 분위기 하에서 소결하는 소결 공정을 포함하는 질화 규소 기판 제조방법을 제공한다.
A method for producing a silicon nitride substrate includes a raw material powder preparation step of preparing a raw material powder containing a silicon powder, a rare earth element compound, and a magnesium compound, wherein, when the amount of silicon in the raw material powder is expressed in terms of a silicon nitride content, the raw material powder contains the rare earth element compound at 1 mol % to 7 mol % in terms of an oxide content and contains the magnesium compound at 8 mol % to 15 mol % in terms of an oxide content; a sheet forming step of forming the raw material powder into a sheet article; a nitriding step of heating the sheet article in a nitrogen atmosphere at 1200° C. to 1500° C. and nitriding silicon contained in the sheet article; and a sintering step of sintering the sheet article under a nitrogen atmosphere after the nitriding step.
METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SUBSTRATE
규소 분말과 희토류 원소 화합물과 마그네슘 화합물을 함유하는 원료 분말로서, 원료 분말 중의 규소를 질화 규소로 환산한 경우 희토류 원소 화합물을 산화물 환산으로 1mol% 이상 7mol% 이하 함유하고 마그네슘 화합물을 산화물 환산으로 8mol% 이상 15mol% 이하 함유하는 원료 분말을 준비하는 원료 분말 준비 공정과, 원료 분말을 시트 형상으로 성형하여 시트체를 형성하는 시트 성형 공정과, 시트체를 질소 분위기에서 1200℃ 이상 1500℃ 이하로 가열하여 시트체에 포함되는 규소를 질화하는 질화 공정과, 질화 공정을 마친 시트체를 질소 분위기 하에서 소결하는 소결 공정을 포함하는 질화 규소 기판 제조방법을 제공한다.
A method for producing a silicon nitride substrate includes a raw material powder preparation step of preparing a raw material powder containing a silicon powder, a rare earth element compound, and a magnesium compound, wherein, when the amount of silicon in the raw material powder is expressed in terms of a silicon nitride content, the raw material powder contains the rare earth element compound at 1 mol % to 7 mol % in terms of an oxide content and contains the magnesium compound at 8 mol % to 15 mol % in terms of an oxide content; a sheet forming step of forming the raw material powder into a sheet article; a nitriding step of heating the sheet article in a nitrogen atmosphere at 1200° C. to 1500° C. and nitriding silicon contained in the sheet article; and a sintering step of sintering the sheet article under a nitrogen atmosphere after the nitriding step.
METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SUBSTRATE
질화 규소 기판 제조방법
KUSANO DAI (author) / TANABE GEN (author) / HIRAO KIYOSHI (author) / HYUGA HIDEKI (author) / ZHOU YOU (author)
2016-09-23
Patent
Electronic Resource
Korean
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
Silicon nitride substrate and method for producing silicon nitride substrate
| European Patent Office | 2017