A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SUBSTRATE
Provided is a method for producing a silicon nitride substrate, said method comprising: a raw material powder preparation step of preparing a raw material powder containing a silicon powder, a rare earth element compound and a magnesium compound, wherein, when the amount of silicon in the raw material powder is expressed in terms of a silicon nitride content, the raw material powder contains the rare earth element compound in an amount of 1 to 7 mol% inclusive in terms of an oxide content and also contains the magnesium compound in an amount of 8 to 15 mol% inclusive in terms of an oxide content; a sheet molding step of molding the raw material powder into a sheet-like shape to form a sheet-like article; a nitriding step of heating the sheet-like article in a nitrogen atmosphere at 1200 to 1500°C inclusive to nitride silicon contained in the sheet-like article; and a sintering step of sintering the sheet-like article, which has been undergone the nitriding step, under a nitrogen atmosphere.
La présente invention se rapporte à un procédé de production d'un substrat en nitrure de silicium, ledit procédé comprenant : une étape de préparation d'une poudre de matière première consistant à préparer une poudre de matière première contenant une poudre de silicium, un composé d'un élément des terres rares et un composé de magnésium, la poudre de matière première contenant, lorsque la quantité de silicium dans la poudre de matière première est exprimée en termes d'une teneur en nitrure de silicium, de 1 à 7 % en moles, bornes incluses, du composé d'élément des terres rares en termes de teneur en oxyde et, également, de 8 à 15 % en moles, bornes incluses, du composé de magnésium en termes de teneur en oxyde ; une étape de moulage en feuilles consistant à mouler la poudre de matière première en forme de feuille pour obtenir un article en forme de feuille ; une étape de nitruration consistant à chauffer l'article en forme de feuille sous une atmosphère d'azote et à une température comprise entre 1 200 et 1 500 °C, bornes incluses, pour nitrurer le silicium contenu dans l'article en forme de feuille ; et une étape de frittage consistant à fritter, sous une atmosphère d'azote, l'article en forme de feuille ayant subi l'étape de nitruration.
【解決手段】ケイ素粉末と、希土類元素化合物と、マグネシウム化合物とを含有する原料粉末であって、原料粉末中のケイ素を窒化ケイ素に換算した場合に、希土類元素化合物を酸化物換算で１ｍｏｌ％以上７ｍｏｌ％以下含有し、マグネシウム化合物を酸化物換算で８ｍｏｌ％以上１５ｍｏｌ％以下含有する原料粉末を準備する原料粉末準備工程と、 原料粉末をシート状に成形してシート体を形成するシート成形工程と、 シート体を窒素雰囲気中、１２００℃以上１５００℃以下で加熱し、シート体に含まれるケイ素を窒化する窒化工程と、 窒化工程を終えたシート体を窒素雰囲気下で焼結する焼結工程と、を有する窒化ケイ素基板の製造方法を提供する。
METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SUBSTRATE
Provided is a method for producing a silicon nitride substrate, said method comprising: a raw material powder preparation step of preparing a raw material powder containing a silicon powder, a rare earth element compound and a magnesium compound, wherein, when the amount of silicon in the raw material powder is expressed in terms of a silicon nitride content, the raw material powder contains the rare earth element compound in an amount of 1 to 7 mol% inclusive in terms of an oxide content and also contains the magnesium compound in an amount of 8 to 15 mol% inclusive in terms of an oxide content; a sheet molding step of molding the raw material powder into a sheet-like shape to form a sheet-like article; a nitriding step of heating the sheet-like article in a nitrogen atmosphere at 1200 to 1500°C inclusive to nitride silicon contained in the sheet-like article; and a sintering step of sintering the sheet-like article, which has been undergone the nitriding step, under a nitrogen atmosphere.
La présente invention se rapporte à un procédé de production d'un substrat en nitrure de silicium, ledit procédé comprenant : une étape de préparation d'une poudre de matière première consistant à préparer une poudre de matière première contenant une poudre de silicium, un composé d'un élément des terres rares et un composé de magnésium, la poudre de matière première contenant, lorsque la quantité de silicium dans la poudre de matière première est exprimée en termes d'une teneur en nitrure de silicium, de 1 à 7 % en moles, bornes incluses, du composé d'élément des terres rares en termes de teneur en oxyde et, également, de 8 à 15 % en moles, bornes incluses, du composé de magnésium en termes de teneur en oxyde ; une étape de moulage en feuilles consistant à mouler la poudre de matière première en forme de feuille pour obtenir un article en forme de feuille ; une étape de nitruration consistant à chauffer l'article en forme de feuille sous une atmosphère d'azote et à une température comprise entre 1 200 et 1 500 °C, bornes incluses, pour nitrurer le silicium contenu dans l'article en forme de feuille ; et une étape de frittage consistant à fritter, sous une atmosphère d'azote, l'article en forme de feuille ayant subi l'étape de nitruration.
【解決手段】ケイ素粉末と、希土類元素化合物と、マグネシウム化合物とを含有する原料粉末であって、原料粉末中のケイ素を窒化ケイ素に換算した場合に、希土類元素化合物を酸化物換算で１ｍｏｌ％以上７ｍｏｌ％以下含有し、マグネシウム化合物を酸化物換算で８ｍｏｌ％以上１５ｍｏｌ％以下含有する原料粉末を準備する原料粉末準備工程と、 原料粉末をシート状に成形してシート体を形成するシート成形工程と、 シート体を窒素雰囲気中、１２００℃以上１５００℃以下で加熱し、シート体に含まれるケイ素を窒化する窒化工程と、 窒化工程を終えたシート体を窒素雰囲気下で焼結する焼結工程と、を有する窒化ケイ素基板の製造方法を提供する。
METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SUBSTRATE
PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT EN NITRURE DE SILICIUM
窒化ケイ素基板の製造方法
KUSANO DAI (author) / TANABE GEN (author) / HIRAO KIYOSHI (author) / HYUGA HIDEKI (author) / ZHOU YOU (author)
2015-10-08
Patent
Electronic Resource
Japanese
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
Silicon nitride substrate and method for producing silicon nitride substrate
| European Patent Office | 2017