A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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산화물 반도체막, 박막 트랜지스터, 산화물 소결체, 및 스퍼터링 타깃
In, Ga 및 Sn 을 하기 식 (1) 내지 (3) 을 만족하는 범위의 원자비 0.01 ≤ Ga/(In ＋ Ga ＋ Sn) ≤ 0.30 ···(1) 0.01 ≤ Sn/(In ＋ Ga ＋ Sn) ≤ 0.40 ···(2) 0.55 ≤ In/(In ＋ Ga ＋ Sn) ≤ 0.98 ···(3) 으로 함유하고, 또한, Al 을 하기 식 (4) 를 만족하는 범위의 원자비 0.05 ≤ Al/(In ＋ Ga ＋ Sn ＋ Al) ≤ 0.30···(4) 로 함유하는 산화물 반도체막.
An oxide semiconductor film contains In, Ga, and Sn at respective atomic ratios satisfying formulae (1) to (3): 0.01≤Ga/(In+Ga+Sn)≤0.30 . . . (1); 0.01≤Sn/(In+Ga+Sn)≤0.40 . . . (2); and 0.55≤In/(In+Ga+Sn)≤0.98 . . . (3), and Al at an atomic ratio satisfying a formula (4): 0.05≤Al/(In+Ga+Sn+Al)≤0.30 . . . (4).
산화물 반도체막, 박막 트랜지스터, 산화물 소결체, 및 스퍼터링 타깃
In, Ga 및 Sn 을 하기 식 (1) 내지 (3) 을 만족하는 범위의 원자비 0.01 ≤ Ga/(In ＋ Ga ＋ Sn) ≤ 0.30 ···(1) 0.01 ≤ Sn/(In ＋ Ga ＋ Sn) ≤ 0.40 ···(2) 0.55 ≤ In/(In ＋ Ga ＋ Sn) ≤ 0.98 ···(3) 으로 함유하고, 또한, Al 을 하기 식 (4) 를 만족하는 범위의 원자비 0.05 ≤ Al/(In ＋ Ga ＋ Sn ＋ Al) ≤ 0.30···(4) 로 함유하는 산화물 반도체막.
An oxide semiconductor film contains In, Ga, and Sn at respective atomic ratios satisfying formulae (1) to (3): 0.01≤Ga/(In+Ga+Sn)≤0.30 . . . (1); 0.01≤Sn/(In+Ga+Sn)≤0.40 . . . (2); and 0.55≤In/(In+Ga+Sn)≤0.98 . . . (3), and Al at an atomic ratio satisfying a formula (4): 0.05≤Al/(In+Ga+Sn+Al)≤0.30 . . . (4).
산화물 반도체막, 박막 트랜지스터, 산화물 소결체, 및 스퍼터링 타깃
INOUE KAZUYOSHI (author) / SHIBATA MASATOSHI (author)
2019-10-08
Patent
Electronic Resource
Korean