A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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Memufacturing method of High thermal conductivity AlN subtrate
The present invention relates to a method for manufacturing an aluminum nitride substrate having thermal conductivity, which comprises: an aluminum nitride powder preparing step of plasticizing an aluminum nitride raw material to prepare aluminum nitride powder including 0.1 to 1 part by weight of oxygen with respect to 100 parts by weight of aluminum nitride; a slurry preparing step of inputting mixed powder mixed with the aluminum nitride powder and a sintering aid, a ball body, and a binder in a solvent including a dispersant, and stirring the same to prepare slurry; a green sheet manufacturing step of molding the prepared slurry in a thin film shape, and drying the same to manufacture a green sheet; and a substrate manufacturing step of manufacturing a substrate by cutting the molded green sheet into a predetermined size. According to the present invention, the aluminum nitride powder having a uniform particle diameter and a low oxygen content is provided, and the sintering aid having a particle diameter of submicron is added to the provided aluminum nitride powder, such that high thermal conductivity is excellent, and molding density is high and uniform.
본 발명은 고열전도성 질화알루미늄 기판의 제조방법에 관한 것으로서, 질화알루미늄 원료를 소성하여 질화알루미늄 100 중량부에 대하여 0.1 내지 1 중량부의 산소를 포함하는 질화알루미늄 분체를 제조하는 질화알루미늄 분체 제조단계와, 분산제를 포함하는 용매에 상기 질화알루미늄 분체와 소결조제가 혼합된 혼합분체과, 볼체 및 바인더를 투입하고 이를 교반하여 슬러리를 제조하는 슬러리 제조단계와, 제조된 상기 슬러리를 박막형상으로 성형하고, 이를 건조하여 그린시트를 제조하는 그린시트 제조단계 및 성형된 상기 그린시트를 미리 설정된 크기로 재단하여 기판을 제조하는 기판 제조단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고열전도성 질화알루미늄 기판의 제조방법을 제공한다. 상기와 같은 본 발명에 따르면, 입경이 균일하고 산소 함유율이 적은 질화알루미늄 분체를 제공함과 제공된 질화알루미튬 분체에 입경이 서브마이크론인 소결조제를 첨가함으로써 고열전도성이 매우 우수하고, 성형밀도가 높고 균일한 효과가 있다.
Memufacturing method of High thermal conductivity AlN subtrate
The present invention relates to a method for manufacturing an aluminum nitride substrate having thermal conductivity, which comprises: an aluminum nitride powder preparing step of plasticizing an aluminum nitride raw material to prepare aluminum nitride powder including 0.1 to 1 part by weight of oxygen with respect to 100 parts by weight of aluminum nitride; a slurry preparing step of inputting mixed powder mixed with the aluminum nitride powder and a sintering aid, a ball body, and a binder in a solvent including a dispersant, and stirring the same to prepare slurry; a green sheet manufacturing step of molding the prepared slurry in a thin film shape, and drying the same to manufacture a green sheet; and a substrate manufacturing step of manufacturing a substrate by cutting the molded green sheet into a predetermined size. According to the present invention, the aluminum nitride powder having a uniform particle diameter and a low oxygen content is provided, and the sintering aid having a particle diameter of submicron is added to the provided aluminum nitride powder, such that high thermal conductivity is excellent, and molding density is high and uniform.
본 발명은 고열전도성 질화알루미늄 기판의 제조방법에 관한 것으로서, 질화알루미늄 원료를 소성하여 질화알루미늄 100 중량부에 대하여 0.1 내지 1 중량부의 산소를 포함하는 질화알루미늄 분체를 제조하는 질화알루미늄 분체 제조단계와, 분산제를 포함하는 용매에 상기 질화알루미늄 분체와 소결조제가 혼합된 혼합분체과, 볼체 및 바인더를 투입하고 이를 교반하여 슬러리를 제조하는 슬러리 제조단계와, 제조된 상기 슬러리를 박막형상으로 성형하고, 이를 건조하여 그린시트를 제조하는 그린시트 제조단계 및 성형된 상기 그린시트를 미리 설정된 크기로 재단하여 기판을 제조하는 기판 제조단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고열전도성 질화알루미늄 기판의 제조방법을 제공한다. 상기와 같은 본 발명에 따르면, 입경이 균일하고 산소 함유율이 적은 질화알루미늄 분체를 제공함과 제공된 질화알루미튬 분체에 입경이 서브마이크론인 소결조제를 첨가함으로써 고열전도성이 매우 우수하고, 성형밀도가 높고 균일한 효과가 있다.
Memufacturing method of High thermal conductivity AlN subtrate
180 W/mk 내지 230 W/mk의 열전도성을 갖는 질화알루미늄 기판의 제조방법
JO IN CHUL (author)
2020-02-27
Patent
Electronic Resource
Korean
European Patent Office | 2020
High Thermal Conductivity Materials
| British Library Online Contents | 2001