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SILICON CARBIDE MEMBER FOR PLASMA TREATMENT DEVICES, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
The present invention addresses the problem of providing a silicon carbide member for plasma treatment devices, which is inexpensive and has good durability. The silicon carbide member for plasma treatment devices according to the present invention is manufactured by mixing an α-structure silicon carbide powder, which is reduced in the content of metallic impurities to 20 ppm or less and has an average particle diameter of 0.3 to 3 μm, with a sintering aid containing 0.5 to 5 parts by weight of B4C or a sintering aid containing Al2O3 and Y2O3 in the total amount of 3 to 15 parts by weight, then sintering the mixture of the α-structure silicon carbide powder and the sintering aid in an argon atmosphere furnace or a high-frequency dielectric heating furnace, and then processing the resultant sintered product.
La présente invention aborde le problème de la réalisation d'un élément au carbure de silicium pour des dispositifs de traitement au plasma, qui est peu coûteux et présente une bonne durabilité. L'élément au carbure de silicium pour des dispositifs de traitement au plasma selon la présente invention est fabriqué en mélangeant une poudre de carbure de silicium à structure α, dont la teneur en impuretés métalliques est réduite à 20 ppm ou moins et qui possède un diamètre de particule moyen de 0,3 à 3 µm, avec un adjuvant de frittage contenant de 0,5 à 5 parts massiques de B4C ou un adjuvant de frittage contenant de l'Al2O3 et de l'Y2O3 dans la quantité totale de 3 à 15 parts massiques, en frittant ensuite le mélange de poudre de carbure de silicium à structure α et de l'adjuvant de frittage dans un four à atmosphère d'argon ou un four de chauffage diélectrique à haute fréquence, et ensuite en traitant le produit fritté ainsi obtenu.
本発明は、低コストで耐久性の良いプラズマ処理装置用炭化ケイ素部材を提供することを目的とする。 本発明のプラズマ処理装置用炭化ケイ素部材は、金属系不純物を２０ｐｐｍ以下に削減した平均粒径が０．３～３μｍのα構造炭化ケイ素粉末と、０．５～５重量部のＢ4Ｃからなる焼結助剤又は３～１５重量部のＡｌ2Ｏ3及びＹ2Ｏ3からなる焼結助剤とを混合し、混合したα構造炭化ケイ素粉末及び焼結助剤をアルゴン雰囲気炉内又は高周波誘電加熱炉内で焼結した後、得られた焼結体を加工して得られる。
SILICON CARBIDE MEMBER FOR PLASMA TREATMENT DEVICES, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
The present invention addresses the problem of providing a silicon carbide member for plasma treatment devices, which is inexpensive and has good durability. The silicon carbide member for plasma treatment devices according to the present invention is manufactured by mixing an α-structure silicon carbide powder, which is reduced in the content of metallic impurities to 20 ppm or less and has an average particle diameter of 0.3 to 3 μm, with a sintering aid containing 0.5 to 5 parts by weight of B4C or a sintering aid containing Al2O3 and Y2O3 in the total amount of 3 to 15 parts by weight, then sintering the mixture of the α-structure silicon carbide powder and the sintering aid in an argon atmosphere furnace or a high-frequency dielectric heating furnace, and then processing the resultant sintered product.
La présente invention aborde le problème de la réalisation d'un élément au carbure de silicium pour des dispositifs de traitement au plasma, qui est peu coûteux et présente une bonne durabilité. L'élément au carbure de silicium pour des dispositifs de traitement au plasma selon la présente invention est fabriqué en mélangeant une poudre de carbure de silicium à structure α, dont la teneur en impuretés métalliques est réduite à 20 ppm ou moins et qui possède un diamètre de particule moyen de 0,3 à 3 µm, avec un adjuvant de frittage contenant de 0,5 à 5 parts massiques de B4C ou un adjuvant de frittage contenant de l'Al2O3 et de l'Y2O3 dans la quantité totale de 3 à 15 parts massiques, en frittant ensuite le mélange de poudre de carbure de silicium à structure α et de l'adjuvant de frittage dans un four à atmosphère d'argon ou un four de chauffage diélectrique à haute fréquence, et ensuite en traitant le produit fritté ainsi obtenu.
本発明は、低コストで耐久性の良いプラズマ処理装置用炭化ケイ素部材を提供することを目的とする。 本発明のプラズマ処理装置用炭化ケイ素部材は、金属系不純物を２０ｐｐｍ以下に削減した平均粒径が０．３～３μｍのα構造炭化ケイ素粉末と、０．５～５重量部のＢ4Ｃからなる焼結助剤又は３～１５重量部のＡｌ2Ｏ3及びＹ2Ｏ3からなる焼結助剤とを混合し、混合したα構造炭化ケイ素粉末及び焼結助剤をアルゴン雰囲気炉内又は高周波誘電加熱炉内で焼結した後、得られた焼結体を加工して得られる。
SILICON CARBIDE MEMBER FOR PLASMA TREATMENT DEVICES, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
ÉLÉMENT AU CARBURE DE SILICIUM POUR DISPOSITIFS DE TRAITEMENT AU PLASMA, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
プラズマ処理装置用炭化ケイ素部材及びその製造方法
OKESAKU MASAHIRO (author) / MIYAHARA MICHITO (author) / ETO HIDEO (author) / OKUDO YUKIO (author) / SAITO MAKOTO (author) / SANDA HIROSHI (author)
2016-10-06
Patent
Electronic Resource
Japanese
SILICON CARBIDE MEMBER FOR PLASMA TREATMENT DEVICES, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
| European Patent Office | 2022
SILICON CARBIDE MEMBER FOR PLASMA TREATMENT APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
| European Patent Office | 2018
| European Patent Office | 2015
METHOD FOR MANUFACTURING REACTION SINTERED SILICON CARBIDE MEMBER
| European Patent Office | 2016