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SILICON CARBIDE MEMBER FOR PLASMA TREATMENT APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
The purpose of the present invention is to provide a low-cost, durable silicon carbide member for a plasma treatment apparatus. This silicon carbide member for a plasma treatment apparatus is obtained by mixing powdered alpha silicon carbide having an average particle size of 0.3–3 μm, a metal impurity content reduced to more than 20 ppm but no more than 70 ppm, and containing 50 ppm or less Al impurities, and a sintering aid comprising 0.5–5 parts by weight B4C or a total of 3–15 parts by weight Al2O3 and Y2O3, sintering the mixed powdered alpha silicon carbide and sintering aid in an argon atmosphere oven or a radio-frequency dielectric heating oven, and then machining the obtained sintered compact.
La présente invention vise à fournir un élément en carbure de silicium durable et à faible coût pour un appareil de traitement au plasma. La présente invention concerne par conséquent un élément en carbure de silicium pour un appareil de traitement au plasma qui est obtenu par mélange de carbure de silicium alpha pulvérulent ayant une taille de particule moyenne de 0,3 à 3 µm, une teneur en impuretés métalliques réduite à plus de 20 ppm mais pas plus de 70 ppm, et contenant 50 ppm ou moins d'impuretés d'Al, et d'un adjuvant de frittage comprenant 0,5 à 5 parties en poids de B4C ou un total de 3 à 15 parties en poids d'Al 2O3 et d'Y2O3, par frittage du carbure de silicium alpha en poudre et de l'adjuvant de frittage mélangés dans un four à atmosphère d'argon ou un four de chauffage diélectrique radio-fréquence, puis par usinage du comprimé fritté obtenu.
本発明は、低コストで耐久性の良いプラズマ処理装置用炭化ケイ素部材を提供することを目的とする。 本発明のプラズマ処理装置用炭化ケイ素部材は、金属系不純物を２０ｐｐｍ超７０ｐｐｍ以下に削減し、かつ、Ａｌ不純物を５０ｐｐｍ以下含有する平均粒径が０．３～３μｍのα構造炭化ケイ素粉末と、０．５～５重量部のＢ4Ｃからなる焼結助剤又はＡｌ2Ｏ3及びＹ2Ｏ3の合計量が３～１５重量部からなる焼結助剤とを混合し、混合したα構造炭化ケイ素粉末及び焼結助剤をアルゴン雰囲気炉内又は高周波誘電加熱炉内で焼結した後、得られた焼結体を加工して得られる。
SILICON CARBIDE MEMBER FOR PLASMA TREATMENT APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
The purpose of the present invention is to provide a low-cost, durable silicon carbide member for a plasma treatment apparatus. This silicon carbide member for a plasma treatment apparatus is obtained by mixing powdered alpha silicon carbide having an average particle size of 0.3–3 μm, a metal impurity content reduced to more than 20 ppm but no more than 70 ppm, and containing 50 ppm or less Al impurities, and a sintering aid comprising 0.5–5 parts by weight B4C or a total of 3–15 parts by weight Al2O3 and Y2O3, sintering the mixed powdered alpha silicon carbide and sintering aid in an argon atmosphere oven or a radio-frequency dielectric heating oven, and then machining the obtained sintered compact.
La présente invention vise à fournir un élément en carbure de silicium durable et à faible coût pour un appareil de traitement au plasma. La présente invention concerne par conséquent un élément en carbure de silicium pour un appareil de traitement au plasma qui est obtenu par mélange de carbure de silicium alpha pulvérulent ayant une taille de particule moyenne de 0,3 à 3 µm, une teneur en impuretés métalliques réduite à plus de 20 ppm mais pas plus de 70 ppm, et contenant 50 ppm ou moins d'impuretés d'Al, et d'un adjuvant de frittage comprenant 0,5 à 5 parties en poids de B4C ou un total de 3 à 15 parties en poids d'Al 2O3 et d'Y2O3, par frittage du carbure de silicium alpha en poudre et de l'adjuvant de frittage mélangés dans un four à atmosphère d'argon ou un four de chauffage diélectrique radio-fréquence, puis par usinage du comprimé fritté obtenu.
本発明は、低コストで耐久性の良いプラズマ処理装置用炭化ケイ素部材を提供することを目的とする。 本発明のプラズマ処理装置用炭化ケイ素部材は、金属系不純物を２０ｐｐｍ超７０ｐｐｍ以下に削減し、かつ、Ａｌ不純物を５０ｐｐｍ以下含有する平均粒径が０．３～３μｍのα構造炭化ケイ素粉末と、０．５～５重量部のＢ4Ｃからなる焼結助剤又はＡｌ2Ｏ3及びＹ2Ｏ3の合計量が３～１５重量部からなる焼結助剤とを混合し、混合したα構造炭化ケイ素粉末及び焼結助剤をアルゴン雰囲気炉内又は高周波誘電加熱炉内で焼結した後、得られた焼結体を加工して得られる。
SILICON CARBIDE MEMBER FOR PLASMA TREATMENT APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
ÉLÉMENT EN CARBURE DE SILICIUM POUR APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
プラズマ処理装置用炭化ケイ素部材及びその製造方法
SUZUKI TOMOHISA (author) / MIYAHARA MICHITO (author) / SASAKI MASARU (author)
2018-04-05
Patent
Electronic Resource
Japanese
SILICON CARBIDE MEMBER FOR PLASMA TREATMENT DEVICES, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
| European Patent Office | 2016
SILICON CARBIDE MEMBER FOR PLASMA TREATMENT DEVICES, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
| European Patent Office | 2022