A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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SILICON CARBIDE POWDER, SILICON CARBIDE SINTERED BODY, SILICON CARBIDE SLURRY, AND PREPARATION METHOD THEREFOR
The present invention relates to a method for preparing a silicon carbide sintered body, and a silicon carbide sintered body obtained thereby, the method comprising the steps of: preparing a synthetic powder through mechanical alloying from a silicon carbide material and a sintering aid material; and sintering the synthetic powder, wherein the sintering aid is at least any one selected from the group consisting of an Al-C system, an Al-B-C system and a B-C system, and a silicon carbide sintered body, which is densified even while being sintered at a low temperature and has high strength and electrical conductivity, can be prepared.
La présente invention concerne un procédé de préparation d'un corps fritté en carbure de silicium, et le corps fritté en carbure de silicium ainsi obtenu, le procédé comprenant les étapes suivantes : préparation d'une poudre synthétique par formation mécanique d'un alliage à partir d'un matériau de carbure de silicium et d'un matériau d'aide au frittage ; et frittage de la poudre synthétique, l'aide au frittage étant au moins un matériau choisi dans le groupe constitué par un système Al-C, un système Al-B-C et un système B-C, ledit procédé permettant de préparer un corps fritté en carbure de silicium, qui est densifié même s'il est fritté à basse température et présente une résistance mécanique et une conductivité électrique élevées.
본 발명은 탄화규소 원료물질 및 소결조제 원료물질을 기계적 합금화(mechanical alloying) 공정에 의해 합성 분말로 제조하는 단계; 및 상기 합성 분말을 소결하는 단계를 포함하고, 상기 소결조제는 Al-C계, Al-B-C계 및 B-C 계로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 탄화규소 소결체의 제조방법 및 이에 따른 탄화규소 소결체에 관한 것으로, 저온에서 소결되면서도 치밀화되며, 높은 강도 및 전기전도성을 갖는 탄화규소 소결체를 제조할 수 있다.
SILICON CARBIDE POWDER, SILICON CARBIDE SINTERED BODY, SILICON CARBIDE SLURRY, AND PREPARATION METHOD THEREFOR
The present invention relates to a method for preparing a silicon carbide sintered body, and a silicon carbide sintered body obtained thereby, the method comprising the steps of: preparing a synthetic powder through mechanical alloying from a silicon carbide material and a sintering aid material; and sintering the synthetic powder, wherein the sintering aid is at least any one selected from the group consisting of an Al-C system, an Al-B-C system and a B-C system, and a silicon carbide sintered body, which is densified even while being sintered at a low temperature and has high strength and electrical conductivity, can be prepared.
La présente invention concerne un procédé de préparation d'un corps fritté en carbure de silicium, et le corps fritté en carbure de silicium ainsi obtenu, le procédé comprenant les étapes suivantes : préparation d'une poudre synthétique par formation mécanique d'un alliage à partir d'un matériau de carbure de silicium et d'un matériau d'aide au frittage ; et frittage de la poudre synthétique, l'aide au frittage étant au moins un matériau choisi dans le groupe constitué par un système Al-C, un système Al-B-C et un système B-C, ledit procédé permettant de préparer un corps fritté en carbure de silicium, qui est densifié même s'il est fritté à basse température et présente une résistance mécanique et une conductivité électrique élevées.
본 발명은 탄화규소 원료물질 및 소결조제 원료물질을 기계적 합금화(mechanical alloying) 공정에 의해 합성 분말로 제조하는 단계; 및 상기 합성 분말을 소결하는 단계를 포함하고, 상기 소결조제는 Al-C계, Al-B-C계 및 B-C 계로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 탄화규소 소결체의 제조방법 및 이에 따른 탄화규소 소결체에 관한 것으로, 저온에서 소결되면서도 치밀화되며, 높은 강도 및 전기전도성을 갖는 탄화규소 소결체를 제조할 수 있다.
SILICON CARBIDE POWDER, SILICON CARBIDE SINTERED BODY, SILICON CARBIDE SLURRY, AND PREPARATION METHOD THEREFOR
POUDRE DE CARBURE DE SILICIUM, CORPS FRITTÉ EN CARBURE DE SILICIUM, SUSPENSION ÉPAISSE DE CARBURE DE SILICIUM, ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
탄화규소 분말, 탄화규소 소결체, 탄화규소 슬러리 및 이의 제조방법
LEE SEA HOON (author) / YOON BOLA (author) / KIM JIN MYUNG (author)
2017-02-02
Patent
Electronic Resource
Korean
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