A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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ORIENTED ALUMINA SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH
In an oriented alumina substrate for epitaxial growth according to one embodiment of the present invention, the tilt angle of crystal grains which form the surface is at least 1˚, but not more than 3˚, and the average sintered grain size is at least 20 µm. Here, the tilt angle refers to the full width at half maximum (XRC∙FWHM) of an X-ray rocking curve. The average sintered grain size is a value measured using an image captured by a scanning electron microscope after the plate surface of the oriented alumina substrate has been subjected to thermal etching. A semiconductor device prepared using this oriented alumina substrate for epitaxial growth has improved properties in comparison to conventional semiconductor devices.
Cette invention concerne un substrat d'alumine orienté pour croissance épitaxiale qui, selon un mode de réalisation, est caractérisé par l'angle d'inclinaison des grains cristallins qui forment la surface d'au moins 1°, mais inférieur ou égal à 3°, et une taille de grain fritté moyenne d'au moins 20 µm, l'angle d'inclinaison se référant ici à la largeur à mi-hauteur d'une courbe de réflexion des rayons X (XRC∙FWHM). Le diamètre de grain fritté moyen est une valeur mesurée à l'aide d'une image capturée par un microscope électronique à balayage après que la surface du substrat d'alumine orienté a été soumise à une gravure thermique. Un dispositif à semi-conducteurs préparé à l'aide du substrat d'alumine orienté pour croissance épitaxiale selon l'invention possède des propriétés améliorées comparativement aux dispositifs à semi-conducteurs classiques.
本発明の一実施形態であるエピタキシャル成長用配向アルミナ基板は、表面を構成する結晶粒子のチルト角が１°以上３°以下であり、平均焼結粒径が２０μｍ以上のものである。ここで、チルト角とは、Ｘ線ロッキングカーブ半値幅（ＸＲＣ・ＦＷＨＭ）を指す。平均焼結粒径とは、配向アルミナ基板の板面にサーマルエッチングを行った後、走査電子顕微鏡にて撮影した画像を用いて測定した値である。このエピタキシャル成長用配向アルミナ基板を利用して作製した半導体デバイスは、従来に比べて特性が向上する。
ORIENTED ALUMINA SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH
In an oriented alumina substrate for epitaxial growth according to one embodiment of the present invention, the tilt angle of crystal grains which form the surface is at least 1˚, but not more than 3˚, and the average sintered grain size is at least 20 µm. Here, the tilt angle refers to the full width at half maximum (XRC∙FWHM) of an X-ray rocking curve. The average sintered grain size is a value measured using an image captured by a scanning electron microscope after the plate surface of the oriented alumina substrate has been subjected to thermal etching. A semiconductor device prepared using this oriented alumina substrate for epitaxial growth has improved properties in comparison to conventional semiconductor devices.
Cette invention concerne un substrat d'alumine orienté pour croissance épitaxiale qui, selon un mode de réalisation, est caractérisé par l'angle d'inclinaison des grains cristallins qui forment la surface d'au moins 1°, mais inférieur ou égal à 3°, et une taille de grain fritté moyenne d'au moins 20 µm, l'angle d'inclinaison se référant ici à la largeur à mi-hauteur d'une courbe de réflexion des rayons X (XRC∙FWHM). Le diamètre de grain fritté moyen est une valeur mesurée à l'aide d'une image capturée par un microscope électronique à balayage après que la surface du substrat d'alumine orienté a été soumise à une gravure thermique. Un dispositif à semi-conducteurs préparé à l'aide du substrat d'alumine orienté pour croissance épitaxiale selon l'invention possède des propriétés améliorées comparativement aux dispositifs à semi-conducteurs classiques.
本発明の一実施形態であるエピタキシャル成長用配向アルミナ基板は、表面を構成する結晶粒子のチルト角が１°以上３°以下であり、平均焼結粒径が２０μｍ以上のものである。ここで、チルト角とは、Ｘ線ロッキングカーブ半値幅（ＸＲＣ・ＦＷＨＭ）を指す。平均焼結粒径とは、配向アルミナ基板の板面にサーマルエッチングを行った後、走査電子顕微鏡にて撮影した画像を用いて測定した値である。このエピタキシャル成長用配向アルミナ基板を利用して作製した半導体デバイスは、従来に比べて特性が向上する。
ORIENTED ALUMINA SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH
SUBSTRAT D'ALUMINE ORIENTÉ POUR CROISSANCE ÉPITAXIALE
エピタキシャル成長用配向アルミナ基板
WATANABE MORIMICHI (author) / SATO KEI (author) / MATSUSHIMA KIYOSHI (author) / NANATAKI TSUTOMU (author)
2017-04-06
Patent
Electronic Resource
Japanese
Wetting of microstructured alumina fabricated by epitaxial growth of Al4B2O9 whiskers
| British Library Online Contents | 2015
Epitaxial growth of PbTe film on Si substrate
| British Library Online Contents | 1998