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VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SILICIUMCARBID-FORMKÖRPERS
Verfahren zur Herstellung eines Formkörpers, der wenigstens 85 Vol.-% kristallines Siliciumcarbid und maximal 15 Vol.-% Silicium enthält, umfassend die Schritte: • a) Bereitstellen eines pulverförmigen Gemisches, welches mindestens 60 Vol.-% amorphes Siliciumcarbid und maximal 40 Vol.-% Silicium mit einer Kristallitgröße von 3 - 50 nm enthält, • b) Formgebung des Gemisches durch • b1) Heißpressen oder • b2) Kompaktierung bei Raumtemperatur und nachfolgendem Sintern oder Heißpressen wobei das Sintern oder Heißpressen unter Inertgas oder Vakuum bei einer Temperatur von wenigstens 1400°C erfolgt. Das Volumenverhältnis SiC:Si im pulverförmigen Gemisch ist 95:5 - 99:1.
The invention relates to a method for producing a shaped body that contains at least 85 vol.% crystalline silicon carbide and at most 15 vol.% silicon, comprising the following steps: a) providing a powdered mixture that contains at least 60 vol.% amorphous silicon carbide and at most 40 vol.% silicon having a crystallite size of 3 - 50 nm; b) shaping the mixture by b1) hot pressing, or b2) compacting at room temperature and subsequent sintering or hot pressing, wherein the sintering or hot pressing is carried out in an inert gas or vacuum at a temperature of at least 1400 °C. The volume ratio SiC:Si in the powdered mixture is 95:5 - 99:1.
Procédé de fabrication d'un corps moulé qui contient au moins 85 % en volume d'un carbure de silicium cristallin et au maximum 15 % en volume de silicium, le procédé comprenant les étapes consistant à : a) fournir un mélange poudreux qui contient au moins 60 % en volume de carbure de silicium amorphe et au maximum 40 % en volume de silicium avec une taille de cristallite de 3-50 nm ; b) donner une forme au mélange par b1) compression à chaud ou b2) compactage à température ambiante puis frittage ou compression à chaud, le frittage ou la compression à chaud s'effectuant sous atmosphère de gaz inerte ou sous vide à une température d'au moins 1400°C. Le rapport volumique SiC:Si dans le mélange poudreux vaut 95:5 - 99:1.
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SILICIUMCARBID-FORMKÖRPERS
Verfahren zur Herstellung eines Formkörpers, der wenigstens 85 Vol.-% kristallines Siliciumcarbid und maximal 15 Vol.-% Silicium enthält, umfassend die Schritte: • a) Bereitstellen eines pulverförmigen Gemisches, welches mindestens 60 Vol.-% amorphes Siliciumcarbid und maximal 40 Vol.-% Silicium mit einer Kristallitgröße von 3 - 50 nm enthält, • b) Formgebung des Gemisches durch • b1) Heißpressen oder • b2) Kompaktierung bei Raumtemperatur und nachfolgendem Sintern oder Heißpressen wobei das Sintern oder Heißpressen unter Inertgas oder Vakuum bei einer Temperatur von wenigstens 1400°C erfolgt. Das Volumenverhältnis SiC:Si im pulverförmigen Gemisch ist 95:5 - 99:1.
The invention relates to a method for producing a shaped body that contains at least 85 vol.% crystalline silicon carbide and at most 15 vol.% silicon, comprising the following steps: a) providing a powdered mixture that contains at least 60 vol.% amorphous silicon carbide and at most 40 vol.% silicon having a crystallite size of 3 - 50 nm; b) shaping the mixture by b1) hot pressing, or b2) compacting at room temperature and subsequent sintering or hot pressing, wherein the sintering or hot pressing is carried out in an inert gas or vacuum at a temperature of at least 1400 °C. The volume ratio SiC:Si in the powdered mixture is 95:5 - 99:1.
Procédé de fabrication d'un corps moulé qui contient au moins 85 % en volume d'un carbure de silicium cristallin et au maximum 15 % en volume de silicium, le procédé comprenant les étapes consistant à : a) fournir un mélange poudreux qui contient au moins 60 % en volume de carbure de silicium amorphe et au maximum 40 % en volume de silicium avec une taille de cristallite de 3-50 nm ; b) donner une forme au mélange par b1) compression à chaud ou b2) compactage à température ambiante puis frittage ou compression à chaud, le frittage ou la compression à chaud s'effectuant sous atmosphère de gaz inerte ou sous vide à une température d'au moins 1400°C. Le rapport volumique SiC:Si dans le mélange poudreux vaut 95:5 - 99:1.
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SILICIUMCARBID-FORMKÖRPERS
METHOD FOR PRODUCING A SILICON CARBIDE SHAPED BODY
PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CORPS MOULÉ EN CARBURE DE SILICIUM
LYUBINA JULIA (author) / KRÖLL MICHAEL (author)
2017-06-29
Patent
Electronic Resource
German
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
European Patent Office | 2023
|European Patent Office | 2022
|European Patent Office | 2023
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