A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET
The present invention is related to an oxide sintered body which is formed from the metal elements In, Ga, Zn, and Sn, and includes Ga2In6Sn2O16, ZnGa2O4, and InGaZnO4, wherein, when [In], [Ga], [Zn], and [Sn] represent the ratios (atom%) of the content of each of In, Ga, Zn, and Sn to all metal elements included in the oxide sintered body and excluding oxygen, said ratios satisfy formulae (1)-(3), namely [Ga]≥37 atom%, [Sn]≤15 atom%, and [Ga]/([In]+[Zn])≥0.7. According to the present invention, the formation of cracks during bonding can be inhibited, even in an In-Ga-Zn-Sn oxide sintered body to which a large quantity of Ga has been added.
La présente invention concerne un corps fritté à base d'oxyde qui est formé à partir des éléments métalliques In, Ga, Zn et Sn, et comprend Ga2In6Sn2O16, ZnGa2O4, et InGaZnO4. Quand [In], [Ga], [Zn], et [Sn] représentent les rapports (% atomique) de la teneur de chacun parmi In, Ga, Zn et Sn à tous les éléments métalliques inclus dans le corps fritté à base d'oxyde à l'exclusion de l'oxygène, lesdits rapports satisfont aux formules (1)-(3), à savoir [Ga] ≥ 37 % atomique, [Sn] ≤ 15 % atomique, et [Ga]/([In] + [Zn]) ≥ 0,7. Selon la présente invention, la formation de fissures pendant la liaison peut être inhibée, même dans un corps fritté à base d'oxyde In-Ga-Zn-Sn auquel une grande quantité de Ga a été ajoutée.
本発明は、金属元素がＩｎ、Ｇａ、Ｚｎ及びＳｎから構成され、Ｇａ２Ｉｎ６Ｓｎ２Ｏ１６、ＺｎＧａ２Ｏ４およびＩｎＧａＺｎＯ４を含む酸化物焼結体であって、酸化物焼結体に含まれる酸素を除く全金属元素に対する、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ及びＳｎの含有量の割合（原子％）を、それぞれ［Ｉｎ］、［Ｇａ］、［Ｚｎ］及び［Ｓｎ］としたとき、式（１）～（３）を満足する酸化物焼結体に関する。［Ｇａ］≧３７原子％・・・（１）、［Ｓｎ］≦１５原子％・・・（２）、［Ｇａ］／（［Ｉｎ］＋［Ｚｎ］）≧０．７・・・（３）。本発明によれば、Ｇａが多量に添加されたＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｓｎ系酸化物焼結体においても、ボンディング時の割れの発生を抑制できる。
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET
The present invention is related to an oxide sintered body which is formed from the metal elements In, Ga, Zn, and Sn, and includes Ga2In6Sn2O16, ZnGa2O4, and InGaZnO4, wherein, when [In], [Ga], [Zn], and [Sn] represent the ratios (atom%) of the content of each of In, Ga, Zn, and Sn to all metal elements included in the oxide sintered body and excluding oxygen, said ratios satisfy formulae (1)-(3), namely [Ga]≥37 atom%, [Sn]≤15 atom%, and [Ga]/([In]+[Zn])≥0.7. According to the present invention, the formation of cracks during bonding can be inhibited, even in an In-Ga-Zn-Sn oxide sintered body to which a large quantity of Ga has been added.
La présente invention concerne un corps fritté à base d'oxyde qui est formé à partir des éléments métalliques In, Ga, Zn et Sn, et comprend Ga2In6Sn2O16, ZnGa2O4, et InGaZnO4. Quand [In], [Ga], [Zn], et [Sn] représentent les rapports (% atomique) de la teneur de chacun parmi In, Ga, Zn et Sn à tous les éléments métalliques inclus dans le corps fritté à base d'oxyde à l'exclusion de l'oxygène, lesdits rapports satisfont aux formules (1)-(3), à savoir [Ga] ≥ 37 % atomique, [Sn] ≤ 15 % atomique, et [Ga]/([In] + [Zn]) ≥ 0,7. Selon la présente invention, la formation de fissures pendant la liaison peut être inhibée, même dans un corps fritté à base d'oxyde In-Ga-Zn-Sn auquel une grande quantité de Ga a été ajoutée.
本発明は、金属元素がＩｎ、Ｇａ、Ｚｎ及びＳｎから構成され、Ｇａ２Ｉｎ６Ｓｎ２Ｏ１６、ＺｎＧａ２Ｏ４およびＩｎＧａＺｎＯ４を含む酸化物焼結体であって、酸化物焼結体に含まれる酸素を除く全金属元素に対する、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ及びＳｎの含有量の割合（原子％）を、それぞれ［Ｉｎ］、［Ｇａ］、［Ｚｎ］及び［Ｓｎ］としたとき、式（１）～（３）を満足する酸化物焼結体に関する。［Ｇａ］≧３７原子％・・・（１）、［Ｓｎ］≦１５原子％・・・（２）、［Ｇａ］／（［Ｉｎ］＋［Ｚｎ］）≧０．７・・・（３）。本発明によれば、Ｇａが多量に添加されたＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｓｎ系酸化物焼結体においても、ボンディング時の割れの発生を抑制できる。
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET
CORPS FRITTÉ À BASE D'OXYDE ET CIBLE DE PULVÉRISATION
酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット
NISHIYAMA KOHEI (author) / TAO YUKI (author)
2018-11-22
Patent
Electronic Resource
Japanese
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
| European Patent Office | 2017
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
| European Patent Office | 2016
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
European Patent Office | 2018