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OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
An IGZO sintered body that is an oxide sintered body that comprises indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn), oxygen (O), and unavoidable impurities, the IGZO sintered body being characterized by having a flexural strength of 50 MPa or higher and by having a bulk resistance of 100 mΩcm or lower. The present invention addresses the problem of providing a sputtering target that can reduce target cracking and particle generation during film formation by DC sputtering and that can be used to form a favorable thin film.
La présente invention concerne un corps fritté d'IGZO qui est un corps fritté d'oxyde qui comprend de l'indium (In), du gallium (Ga), du zinc (Zn), de l'oxygène (O), et des impuretés inévitables, le corps fritté d'IGZO étant caractérisé en ce qu'il présente une résistance à la flexion de 50 MPa ou plus et par le fait qu'il présente une résistance en vrac de 100 mΩcm ou moins. La présente invention aborde le problème de fourniture d'une cible de pulvérisation qui peut réduire le craquage de la cible et la production de particules durant la formation de film par pulvérisation cathodique CC et qui peut être utilisée pour former un film favorable fin.
インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）及び不可避的不純物からなる酸化物焼結体であって、抗折強度が５０ＭＰａ以上、バルク抵抗が１００ｍΩｃｍ以下、であることを特徴とするＩＧＺＯ焼結体。ＤＣスパッタリングによる成膜時にターゲット割れやパーティクル発生を低減し、良好な薄膜を形成することができるスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
An IGZO sintered body that is an oxide sintered body that comprises indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn), oxygen (O), and unavoidable impurities, the IGZO sintered body being characterized by having a flexural strength of 50 MPa or higher and by having a bulk resistance of 100 mΩcm or lower. The present invention addresses the problem of providing a sputtering target that can reduce target cracking and particle generation during film formation by DC sputtering and that can be used to form a favorable thin film.
La présente invention concerne un corps fritté d'IGZO qui est un corps fritté d'oxyde qui comprend de l'indium (In), du gallium (Ga), du zinc (Zn), de l'oxygène (O), et des impuretés inévitables, le corps fritté d'IGZO étant caractérisé en ce qu'il présente une résistance à la flexion de 50 MPa ou plus et par le fait qu'il présente une résistance en vrac de 100 mΩcm ou moins. La présente invention aborde le problème de fourniture d'une cible de pulvérisation qui peut réduire le craquage de la cible et la production de particules durant la formation de film par pulvérisation cathodique CC et qui peut être utilisée pour former un film favorable fin.
インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）及び不可避的不純物からなる酸化物焼結体であって、抗折強度が５０ＭＰａ以上、バルク抵抗が１００ｍΩｃｍ以下、であることを特徴とするＩＧＺＯ焼結体。ＤＣスパッタリングによる成膜時にターゲット割れやパーティクル発生を低減し、良好な薄膜を形成することができるスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
CORPS FRITTÉ D'OXYDE ET CIBLE DE PULVÉRISATION COMPRENANT LE CORPS FRITTÉ D'OXYDE
酸化物焼結体及び該酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット
YAMAGUCHI YOHEI (author) / KURIHARA TOSHIYA (author) / KAKUTA KOJI (author)
2016-09-01
Patent
Electronic Resource
Japanese
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
| European Patent Office | 2017
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
European Patent Office | 2018
Sintered oxide body and sputtering target comprising said sintered oxide body
| European Patent Office | 2015
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING THE OXIDE SINTERED BODY
| European Patent Office | 2017
OXIDE SINTERED BODY, AND SPUTTERING TARGET COMPRISING THE OXIDE SINTERED BODY
| European Patent Office | 2016