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OXIDE SINTERED COMPACT AND SPUTTERING TARGET
The present invention relates to an oxide sintered compact, the component elements of which are In, Sn, Ti and O, the In content being 88.0-98.2 mass% calculated as In2O3, Sn content being 1.0-8.0 mass% calculated as SnO2 and Ti content being 0.8-4.0 mass% calculated as TiO2. With this oxide sintered contact, it is possible to obtain a sputtering target, which can form a thin film from which a transparent electrically conductive film of high transparency can be obtained and from which a transparent electrically conductive film that also has low resistance can be obtained without performing heat treatment at high temperature.
La présente invention concerne un comprimé fritté d'oxyde, dont les éléments constitutifs sont In, Sn, Ti et O, la teneur en In étant de 88,0 à 98,2 % en masse calculée en In2O3, la teneur en Sn étant de 1,0 à 8,0 % en masse calculée en SnO2 et la teneur en Ti étant de 0,8 à 4,0 % en masse calculée en TiO2. Avec ce compact fritté d'oxyde, il est possible d'obtenir une cible de pulvérisation cathodique, qui peut former un film mince à partir duquel un film électriquement conducteur transparent de transparence élevée peut être obtenu et à partir duquel un film électriquement conducteur transparent qui a également une faible résistance peut être obtenu sans effectuer un traitement thermique à haute température.
本発明は、構成元素がＩｎ、Ｓｎ、ＴｉおよびＯであり、Ｉｎの含有比率がＩｎ2Ｏ3換算で８８．０～９８．２質量％であり、Ｓｎの含有比率がＳｎＯ2換算で１．０～８．０質量％であり、Ｔｉの含有比率がＴｉＯ2換算で０．８～４．０質量％である酸化物焼結体である。本発明の酸化物焼結体により、透明性が高い透明導電膜、また、さらに抵抗が低い透明導電膜を、高温の熱処理をしなくても得ることができる薄膜を成膜できるスパッタリングターゲットを得ることができる。
OXIDE SINTERED COMPACT AND SPUTTERING TARGET
The present invention relates to an oxide sintered compact, the component elements of which are In, Sn, Ti and O, the In content being 88.0-98.2 mass% calculated as In2O3, Sn content being 1.0-8.0 mass% calculated as SnO2 and Ti content being 0.8-4.0 mass% calculated as TiO2. With this oxide sintered contact, it is possible to obtain a sputtering target, which can form a thin film from which a transparent electrically conductive film of high transparency can be obtained and from which a transparent electrically conductive film that also has low resistance can be obtained without performing heat treatment at high temperature.
La présente invention concerne un comprimé fritté d'oxyde, dont les éléments constitutifs sont In, Sn, Ti et O, la teneur en In étant de 88,0 à 98,2 % en masse calculée en In2O3, la teneur en Sn étant de 1,0 à 8,0 % en masse calculée en SnO2 et la teneur en Ti étant de 0,8 à 4,0 % en masse calculée en TiO2. Avec ce compact fritté d'oxyde, il est possible d'obtenir une cible de pulvérisation cathodique, qui peut former un film mince à partir duquel un film électriquement conducteur transparent de transparence élevée peut être obtenu et à partir duquel un film électriquement conducteur transparent qui a également une faible résistance peut être obtenu sans effectuer un traitement thermique à haute température.
本発明は、構成元素がＩｎ、Ｓｎ、ＴｉおよびＯであり、Ｉｎの含有比率がＩｎ2Ｏ3換算で８８．０～９８．２質量％であり、Ｓｎの含有比率がＳｎＯ2換算で１．０～８．０質量％であり、Ｔｉの含有比率がＴｉＯ2換算で０．８～４．０質量％である酸化物焼結体である。本発明の酸化物焼結体により、透明性が高い透明導電膜、また、さらに抵抗が低い透明導電膜を、高温の熱処理をしなくても得ることができる薄膜を成膜できるスパッタリングターゲットを得ることができる。
OXIDE SINTERED COMPACT AND SPUTTERING TARGET
COMPACT FRITTÉ D'OXYDE ET CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット
MATSUMOTO KENSHI (author) / INOUE MASAKI (author) / NAKAMURA SHINICHIRO (author) / YANO TOMOYASU (author)
2019-02-14
Patent
Electronic Resource
Japanese
Oxide sintered compact and sputtering target formed from said oxide sintered compact
| European Patent Office | 2018
OXIDE SINTERED COMPACT AND SPUTTERING TARGET FORMED FROM SAID OXIDE SINTERED COMPACT
| European Patent Office | 2018
Oxide sintered compact and sputtering target formed from said oxide sintered compact
| European Patent Office | 2018