A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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BONDED BODY AND INSULATED CIRCUIT BOARD
This bonded body (10) is formed by bonding a ceramic member (11) formed from an Al-base ceramic and a copper member (12) formed from copper or a copper alloy. In a bonding layer (30) formed between the ceramic member (11) and the copper member (12), a crystalline active metal compound layer (31) formed from a compound containing an active metal is formed on the side of the ceramic member (11), and, in the range, in the thickness direction, of 0.5-3 μm from the interface of the active metal compound layer (31) facing the copper member (12) towards the copper member (12), the Al concentration is less than or equal to 0.15 at%.
La présente invention concerne un corps lié (10) formé par liaison d'un élément en céramique (11) constitué d'une céramique à base d'Al et d'un élément en cuivre (12) constitué de cuivre ou d'un alliage de cuivre. Dans une couche de liaison (30) formée entre l'élément en céramique (11) et l'élément en cuivre (12), une couche de composé métallique actif cristallin (31) constituée d'un composé contenant un métal actif est formée du côté de l'élément en céramique (11), et, dans la plage, dans la direction de l'épaisseur, de 0,5 à 3 µm à partir de l'interface de la couche de composé métallique actif (31) faisant face à l'élément en cuivre (12) vers l'élément en cuivre (12), la concentration en Al est inférieure ou égale à 0,15 % at.
Ａｌ系セラミックスからなるセラミックス部材（１１）と、銅又は銅合金からなる銅部材（１２）とが接合されてなる接合体（１０）であって、セラミックス部材（１１）と銅部材（１２）との間に形成された接合層（３０）においては、セラミックス部材（１１）側に、活性金属を含む化合物からなる結晶質の活性金属化合物層（３１）が形成されており、活性金属化合物層（３１）の銅部材（１２）側の界面から銅部材（１２）に向かって０．５μｍから３μｍの厚み範囲におけるＡｌ濃度が０．１５ａｔ％以下である。
BONDED BODY AND INSULATED CIRCUIT BOARD
This bonded body (10) is formed by bonding a ceramic member (11) formed from an Al-base ceramic and a copper member (12) formed from copper or a copper alloy. In a bonding layer (30) formed between the ceramic member (11) and the copper member (12), a crystalline active metal compound layer (31) formed from a compound containing an active metal is formed on the side of the ceramic member (11), and, in the range, in the thickness direction, of 0.5-3 μm from the interface of the active metal compound layer (31) facing the copper member (12) towards the copper member (12), the Al concentration is less than or equal to 0.15 at%.
La présente invention concerne un corps lié (10) formé par liaison d'un élément en céramique (11) constitué d'une céramique à base d'Al et d'un élément en cuivre (12) constitué de cuivre ou d'un alliage de cuivre. Dans une couche de liaison (30) formée entre l'élément en céramique (11) et l'élément en cuivre (12), une couche de composé métallique actif cristallin (31) constituée d'un composé contenant un métal actif est formée du côté de l'élément en céramique (11), et, dans la plage, dans la direction de l'épaisseur, de 0,5 à 3 µm à partir de l'interface de la couche de composé métallique actif (31) faisant face à l'élément en cuivre (12) vers l'élément en cuivre (12), la concentration en Al est inférieure ou égale à 0,15 % at.
Ａｌ系セラミックスからなるセラミックス部材（１１）と、銅又は銅合金からなる銅部材（１２）とが接合されてなる接合体（１０）であって、セラミックス部材（１１）と銅部材（１２）との間に形成された接合層（３０）においては、セラミックス部材（１１）側に、活性金属を含む化合物からなる結晶質の活性金属化合物層（３１）が形成されており、活性金属化合物層（３１）の銅部材（１２）側の界面から銅部材（１２）に向かって０．５μｍから３μｍの厚み範囲におけるＡｌ濃度が０．１５ａｔ％以下である。
BONDED BODY AND INSULATED CIRCUIT BOARD
CORPS LIÉ ET CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ ISOLÉE
接合体、及び、絶縁回路基板
TERASAKI NOBUYUKI (author)
2019-05-02
Patent
Electronic Resource
Japanese