A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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COPPER/CERAMIC BONDED BODY AND INSULATED CIRCUIT BOARD
The copper/ceramic bonded body according to the present invention comprises a copper member comprising copper or a copper alloy and bonded to a ceramic member, in which, when a cross-sectional surface of the copper member which is taken along the direction of the lamination of the copper member is observed, the ratio D1/D0 of the average crystal grain diameter D1 at a position located at a depth of 50 μm from a surface bonded to the ceramic member as observed in the lamination direction to the total average crystal grain diameter D0 of the copper member is 0.60 or less.
La présente invention concerne un corps lié en cuivre/céramique qui comprend un élément en cuivre comprenant du cuivre ou un alliage de cuivre et lié à un élément en céramique, le rapport D1/D0 du diamètre moyen de grain cristallin D1 à une position située à une profondeur de 50 µm à partir d'une surface liée à l'élément céramique telle qu'observée dans la direction de stratification par rapport au diamètre de grain cristallin moyen total D0 de l'élément de cuivre étant de 0,60 ou moins lorsqu'une surface de section transversale de l'élément en cuivre qui est prise le long de la direction de stratification de l'élément en cuivre est observée.
本発明の銅／セラミックス接合体は、銅又は銅合金からなる銅部材と、セラミックス部材とが接合されてなる銅／セラミックス接合体であって、前記銅部材の積層方向に沿った断面を観察した結果、前記セラミックス部材との接合面から積層方向に５０μｍの位置における平均結晶粒径Ｄ１と前記銅部材の全体の平均結晶粒径Ｄ０との比Ｄ１／Ｄ０が０．６０以下である。
COPPER/CERAMIC BONDED BODY AND INSULATED CIRCUIT BOARD
The copper/ceramic bonded body according to the present invention comprises a copper member comprising copper or a copper alloy and bonded to a ceramic member, in which, when a cross-sectional surface of the copper member which is taken along the direction of the lamination of the copper member is observed, the ratio D1/D0 of the average crystal grain diameter D1 at a position located at a depth of 50 μm from a surface bonded to the ceramic member as observed in the lamination direction to the total average crystal grain diameter D0 of the copper member is 0.60 or less.
La présente invention concerne un corps lié en cuivre/céramique qui comprend un élément en cuivre comprenant du cuivre ou un alliage de cuivre et lié à un élément en céramique, le rapport D1/D0 du diamètre moyen de grain cristallin D1 à une position située à une profondeur de 50 µm à partir d'une surface liée à l'élément céramique telle qu'observée dans la direction de stratification par rapport au diamètre de grain cristallin moyen total D0 de l'élément de cuivre étant de 0,60 ou moins lorsqu'une surface de section transversale de l'élément en cuivre qui est prise le long de la direction de stratification de l'élément en cuivre est observée.
本発明の銅／セラミックス接合体は、銅又は銅合金からなる銅部材と、セラミックス部材とが接合されてなる銅／セラミックス接合体であって、前記銅部材の積層方向に沿った断面を観察した結果、前記セラミックス部材との接合面から積層方向に５０μｍの位置における平均結晶粒径Ｄ１と前記銅部材の全体の平均結晶粒径Ｄ０との比Ｄ１／Ｄ０が０．６０以下である。
COPPER/CERAMIC BONDED BODY AND INSULATED CIRCUIT BOARD
CORPS LIÉ EN CUIVRE/CÉRAMIQUE ET CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ ISOLÉE
銅／セラミックス接合体、および、絶縁回路基板
TAKAKUWA SATOSHI (author) / TERASAKI NOBUYUKI (author) / NISHIMOTO SHUJI (author)
2021-12-02
Patent
Electronic Resource
Japanese