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OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
An oxide sintered body according to an aspect of an embodiment of the present invention includes indium, niobium, tin, and oxygen, wherein this oxide sintered body contains at least 90.0 mass% of indium in terms of In2O3, 3.5-6.5 mass% of niobium in terms of Nb2O5, and 0.5-2 mass% of tin in terms of SnO2.
Selon un aspect d'un mode de réalisation, la présente invention concerne un corps fritté à base d'oxyde comprenant de l'indium, du niobium, de l'étain et de l'oxygène. Ce corps fritté à base d'oxyde contient au moins 90,0 % en masse d'indium en termes d'In2O3, de 3,5 à 6,5 % en masse de niobium en termes de Nb2O5, et de 0,5 à 2 % en masse d'étain en termes de SnO2.
実施形態の一様態に係る酸化物焼結体は、インジウム、ニオブ、スズおよび酸素を含む酸化物焼結体であって、インジウムをＩｎ２Ｏ３換算で９０．０質量％以上含有し、ニオブをＮｂ２Ｏ５換算で３．５～６．５質量％含有し、スズをＳｎＯ２換算で０．５～２質量％含有する。
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
An oxide sintered body according to an aspect of an embodiment of the present invention includes indium, niobium, tin, and oxygen, wherein this oxide sintered body contains at least 90.0 mass% of indium in terms of In2O3, 3.5-6.5 mass% of niobium in terms of Nb2O5, and 0.5-2 mass% of tin in terms of SnO2.
Selon un aspect d'un mode de réalisation, la présente invention concerne un corps fritté à base d'oxyde comprenant de l'indium, du niobium, de l'étain et de l'oxygène. Ce corps fritté à base d'oxyde contient au moins 90,0 % en masse d'indium en termes d'In2O3, de 3,5 à 6,5 % en masse de niobium en termes de Nb2O5, et de 0,5 à 2 % en masse d'étain en termes de SnO2.
実施形態の一様態に係る酸化物焼結体は、インジウム、ニオブ、スズおよび酸素を含む酸化物焼結体であって、インジウムをＩｎ２Ｏ３換算で９０．０質量％以上含有し、ニオブをＮｂ２Ｏ５換算で３．５～６．５質量％含有し、スズをＳｎＯ２換算で０．５～２質量％含有する。
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
CORPS FRITTÉ À BASE D'OXYDE, CIBLE DE PULVÉRISATION ET FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT
酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび透明導電膜
MATSUMOTO KENSHI (author) / YANO TOMOYASU (author)
2019-10-03
Patent
Electronic Resource
Japanese
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