A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
COMPOSITE SINTERED BODY, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE MEMBER, AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOSITE SINTERED BODY
This composite sintered body comprises Al2O3 and MgAl2O4. The Al2O3 content in the composite sintered body is at least 95.5 wt%. The average sintered particle size of the Al2O3 in the composite sintered body is 2 μm to 4 μm, inclusive. The standard deviation of the sintered particle size distribution of the Al2O3 in the composite sintered body is no more than 0.35. The bulk density of the composite sintered body is 3.94 g/cm3 to 3.98 g/cm3, inclusive. The ratio of the crystal phase amounts of the MgAl2O4 and the Al2O3 in the composite sintered body is 0.003 to 0.01, inclusive. Through this configuration, a composite sintered body having a high withstand voltage and a high volume resistivity can be provided.
Ce corps fritté composite comprend Al2O3 et MgAl2O4. La teneur en Al2O3 dans le corps fritté composite est d'au moins 95,5 % en poids. La taille moyenne des particules frittées de l'Al2O3 dans le corps fritté composite est de 2 µm à 4 µm inclus. L'écart type de la distribution de tailles des particules frittées de l'Al2O3 dans le corps fritté composite n'est pas supérieur à 0,35; la densité apparente du corps fritté composite est de 3,94 g/cm3 à 3,98 g/cm3, inclus. Le rapport des quantités de phase cristalline de MgAl2O4 et d'Al2O3 dans le corps fritté composite est de 0,003 à 0,01, inclus. Par cette configuration, un corps fritté composite ayant une tension de tenue élevée et une résistivité volumique élevée peut être produit.
複合焼結体は、Al2O3と、MgAl2O4とを備える。当該複合焼結体におけるAl2O3の含有率は、95.5重量%以上である。当該複合焼結体におけるAl2O3の平均焼結粒径は、2μm以上かつ4μm以下である。当該複合焼結体におけるAl2O3の焼結粒径分布の標準偏差は、0.35以下である。当該複合焼結体の嵩密度は、3.94g/cm3以上かつ3.98g/cm3以下である。当該複合焼結体におけるMgAl2O4とAl2O3との結晶相量の比は、0.003以上かつ0.01以下である。これにより、高い耐電圧および高い体積抵抗率を有する複合焼結体を提供することができる。
COMPOSITE SINTERED BODY, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE MEMBER, AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOSITE SINTERED BODY
This composite sintered body comprises Al2O3 and MgAl2O4. The Al2O3 content in the composite sintered body is at least 95.5 wt%. The average sintered particle size of the Al2O3 in the composite sintered body is 2 μm to 4 μm, inclusive. The standard deviation of the sintered particle size distribution of the Al2O3 in the composite sintered body is no more than 0.35. The bulk density of the composite sintered body is 3.94 g/cm3 to 3.98 g/cm3, inclusive. The ratio of the crystal phase amounts of the MgAl2O4 and the Al2O3 in the composite sintered body is 0.003 to 0.01, inclusive. Through this configuration, a composite sintered body having a high withstand voltage and a high volume resistivity can be provided.
Ce corps fritté composite comprend Al2O3 et MgAl2O4. La teneur en Al2O3 dans le corps fritté composite est d'au moins 95,5 % en poids. La taille moyenne des particules frittées de l'Al2O3 dans le corps fritté composite est de 2 µm à 4 µm inclus. L'écart type de la distribution de tailles des particules frittées de l'Al2O3 dans le corps fritté composite n'est pas supérieur à 0,35; la densité apparente du corps fritté composite est de 3,94 g/cm3 à 3,98 g/cm3, inclus. Le rapport des quantités de phase cristalline de MgAl2O4 et d'Al2O3 dans le corps fritté composite est de 0,003 à 0,01, inclus. Par cette configuration, un corps fritté composite ayant une tension de tenue élevée et une résistivité volumique élevée peut être produit.
複合焼結体は、Al2O3と、MgAl2O4とを備える。当該複合焼結体におけるAl2O3の含有率は、95.5重量%以上である。当該複合焼結体におけるAl2O3の平均焼結粒径は、2μm以上かつ4μm以下である。当該複合焼結体におけるAl2O3の焼結粒径分布の標準偏差は、0.35以下である。当該複合焼結体の嵩密度は、3.94g/cm3以上かつ3.98g/cm3以下である。当該複合焼結体におけるMgAl2O4とAl2O3との結晶相量の比は、0.003以上かつ0.01以下である。これにより、高い耐電圧および高い体積抵抗率を有する複合焼結体を提供することができる。
COMPOSITE SINTERED BODY, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE MEMBER, AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOSITE SINTERED BODY
CORPS FRITTÉ COMPOSITE, COMPOSANT DE DISPOSITIF DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CORPS FRITTÉ COMPOSITE
複合焼結体、半導体製造装置部材および複合焼結体の製造方法
ATSUJI KYOHEI (author) / NISHIMURA NOBORU (author) / NAGAI ASUMI (author) / KATSUDA YUJI (author)
2019-10-03
Patent
Electronic Resource
Japanese
European Patent Office | 2022
|European Patent Office | 2023
|European Patent Office | 2020
|European Patent Office | 2024
European Patent Office | 2019
|