A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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SHIELD LAYER, METHOD FOR PRODUCING SHIELD LAYER, AND OXIDE SPUTTERING TARGET
Provided is a shield layer (20) disposed on a liquid-crystal display panel (10) and characterized by comprising an oxide that contains, using 100 atom% for the total of the metal components, In in the range of 60 to 80 atom% with the balance being Si and unavoidable impurity metal elements. The shield layer (20) may also contain Zr in the range of 1 to 32 atom% using 100 atom% for the total of the metal components.
L'invention concerne une couche de protection (20) disposée sur un panneau d'affichage à cristaux liquides (10) et caractérisée en ce qu'elle comprend un oxyde qui contient, en utilisant 100 % d'atomes pour le total des constituants métalliques, du In dans la plage de 60 à 80 % d'atomes, le reste étant constitué de Si et d'éléments métalliques constituant des impuretés inévitables. La couche de protection (20) peut aussi contenir du Zr dans la plage de 1 à 32 % d'atomes en utilisant 100 % d'atomes pour le total des constituants métalliques.
液晶ディスプレイパネル（１０）に配設されるシールド層（２０）であって、金属成分の合計を１００原子％として、Ｉｎを６０原子％以上８０原子％以下の範囲で含み、残部がＳｉ及び不可避不純物金属元素とされた酸化物からなることを特徴とし、また、金属成分の合計を１００原子％として、さらに、Ｚｒを１原子％以上３２原子％以下の範囲で含んでいてもよい。
SHIELD LAYER, METHOD FOR PRODUCING SHIELD LAYER, AND OXIDE SPUTTERING TARGET
Provided is a shield layer (20) disposed on a liquid-crystal display panel (10) and characterized by comprising an oxide that contains, using 100 atom% for the total of the metal components, In in the range of 60 to 80 atom% with the balance being Si and unavoidable impurity metal elements. The shield layer (20) may also contain Zr in the range of 1 to 32 atom% using 100 atom% for the total of the metal components.
L'invention concerne une couche de protection (20) disposée sur un panneau d'affichage à cristaux liquides (10) et caractérisée en ce qu'elle comprend un oxyde qui contient, en utilisant 100 % d'atomes pour le total des constituants métalliques, du In dans la plage de 60 à 80 % d'atomes, le reste étant constitué de Si et d'éléments métalliques constituant des impuretés inévitables. La couche de protection (20) peut aussi contenir du Zr dans la plage de 1 à 32 % d'atomes en utilisant 100 % d'atomes pour le total des constituants métalliques.
液晶ディスプレイパネル（１０）に配設されるシールド層（２０）であって、金属成分の合計を１００原子％として、Ｉｎを６０原子％以上８０原子％以下の範囲で含み、残部がＳｉ及び不可避不純物金属元素とされた酸化物からなることを特徴とし、また、金属成分の合計を１００原子％として、さらに、Ｚｒを１原子％以上３２原子％以下の範囲で含んでいてもよい。
SHIELD LAYER, METHOD FOR PRODUCING SHIELD LAYER, AND OXIDE SPUTTERING TARGET
COUCHE DE PROTECTION, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE COUCHE DE PROTECTION, ET CIBLE DE PULVÉRISATION D'OXYDE
シールド層、シールド層の製造方法、及び、酸化物スパッタリングターゲット
MORI RIE (author) / YAMAGUCHI GO (author)
2019-10-31
Patent
Electronic Resource
Japanese
IPC:
C23C
Beschichten metallischer Werkstoffe
,
COATING METALLIC MATERIAL
/
C04B
Kalk
,
LIME
/
G02B
Optische Elemente, Systeme oder Geräte
,
OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
/
G06F
ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
,
Elektrische digitale Datenverarbeitung
/
H05K
PRINTED CIRCUITS
,
Gedruckte Schaltungen
SHIELD LAYER AND MANUFACTURING METHOD OF SHIELD LAYER AND OXIDE SPUTTERING TARGET
| European Patent Office | 2019
| European Patent Office | 2021
| European Patent Office | 2020
RADIATION SHIELD BOARD, AND METHOD OF PRODUCING RADIATION SHIELD BOARD
| European Patent Office | 2019