A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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TOP BUFFER LAYER FOR MAGNETIC TUNNEL JUNCTION APPLICATION
Embodiments of the disclosure provide methods and apparatus for fabricating magnetic tunnel junction (MTJ) structures on a substrate for MRAM applications. In one embodiment, a magnetic tunnel junction (MTJ) device structure includes a junction structure disposed on a substrate, the junction structure comprising a first ferromagnetic layer and a second ferromagnetic layer sandwiching a tunneling barrier layer, a dielectric capping layer disposed on the junction structure, a metal capping layer disposed on the junction structure, and a top buffer layer disposed on the metal capping layer.
Des modes de réalisation de l'invention concernent des procédés et un appareil pour fabriquer des structures de jonction à effet tunnel magnétique (MTJ) sur un substrat pour des applications de mémoire vive magnétique (MRAM). Dans un mode de réalisation, une structure de dispositif de jonction à effet tunnel magnétique (MTJ) comprend une structure de jonction disposée sur un substrat, la structure de jonction comprenant une première couche ferromagnétique et une seconde couche ferromagnétique prenant en sandwich une couche barrière à effet tunnel, une couche de recouvrement diélectrique disposée sur la structure de jonction, une couche de recouvrement métallique disposée sur la structure de jonction, et une couche tampon supérieure disposée sur la couche de recouvrement métallique.
TOP BUFFER LAYER FOR MAGNETIC TUNNEL JUNCTION APPLICATION
Embodiments of the disclosure provide methods and apparatus for fabricating magnetic tunnel junction (MTJ) structures on a substrate for MRAM applications. In one embodiment, a magnetic tunnel junction (MTJ) device structure includes a junction structure disposed on a substrate, the junction structure comprising a first ferromagnetic layer and a second ferromagnetic layer sandwiching a tunneling barrier layer, a dielectric capping layer disposed on the junction structure, a metal capping layer disposed on the junction structure, and a top buffer layer disposed on the metal capping layer.
Des modes de réalisation de l'invention concernent des procédés et un appareil pour fabriquer des structures de jonction à effet tunnel magnétique (MTJ) sur un substrat pour des applications de mémoire vive magnétique (MRAM). Dans un mode de réalisation, une structure de dispositif de jonction à effet tunnel magnétique (MTJ) comprend une structure de jonction disposée sur un substrat, la structure de jonction comprenant une première couche ferromagnétique et une seconde couche ferromagnétique prenant en sandwich une couche barrière à effet tunnel, une couche de recouvrement diélectrique disposée sur la structure de jonction, une couche de recouvrement métallique disposée sur la structure de jonction, et une couche tampon supérieure disposée sur la couche de recouvrement métallique.
TOP BUFFER LAYER FOR MAGNETIC TUNNEL JUNCTION APPLICATION
COUCHE TAMPON SUPÉRIEURE POUR APPLICATION DE JONCTION À EFFET TUNNEL MAGNÉTIQUE
XUE LIN (author) / PARK CHANDO (author) / CHING CHI HONG (author) / AHN JAESOO (author) / PAKALA MAHENDRA (author)
2020-12-24
Patent
Electronic Resource
English
IPC:
H10N
Magnetic tunnel junction (MTJ) and magnetic tunnel junction (MTJ) array
| European Patent Office | 2023
NON-CONFORMAL PROTECTIVE SIDEWALL LAYER FOR SLOPED MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICES
| European Patent Office | 2019
Optimizing free layer of Magnetic Tunnel Junction for true random number generator
| DOAJ | 2023
Ultra‐Thin SnOx Buffer Layer Enables High‐Efficiency Quantum Junction Photovoltaics
| Wiley | 2022