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DOUBLE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE
An approach to provide a structure of a double magnetic tunnel junction device (1200) with two spacers (404, 707) that includes a bottom magnetic tunnel junction stack (204), a spin conducting layer (208) on the bottom magnetic tunnel junction stack, a top magnetic tunnel junction stack (210) on the spin conduction layer, a first dielectric spacer (404) on sides of the top magnetic tunnel junction stack and a portion of a top surface of the spin conduction layer, and a second dielectric spacer (707) on the first spacer. The double magnetic tunnel device includes the top magnetic tunnel junction stack with a width that is less than the width of the bottom magnetic tunnel junction stack.
La présente invention concerne une approche pour fournir une structure d'un dispositif de jonction à double tunnel magnétique (1200) avec deux entretoises (404, 707) qui comprend un empilement de jonction à effet tunnel magnétique inférieur (204), une couche conductrice de spin (208) sur l'empilement de jonction à effet tunnel magnétique inférieur, un empilement de jonction à effet tunnel magnétique supérieur (210) sur la couche de conduction de spin, un premier espaceur diélectrique (404) sur les côtés de l'empilement de jonction de tunnel magnétique supérieur et une partie d'une surface supérieure de la couche de conduction de spin, et un second espaceur diélectrique (707) sur le premier espaceur. Le dispositif à double tunnel magnétique comprend l'empilement de jonction à effet tunnel magnétique supérieur ayant une largeur qui est inférieure à la largeur de l'empilement de jonction à effet tunnel magnétique inférieur.
DOUBLE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE
An approach to provide a structure of a double magnetic tunnel junction device (1200) with two spacers (404, 707) that includes a bottom magnetic tunnel junction stack (204), a spin conducting layer (208) on the bottom magnetic tunnel junction stack, a top magnetic tunnel junction stack (210) on the spin conduction layer, a first dielectric spacer (404) on sides of the top magnetic tunnel junction stack and a portion of a top surface of the spin conduction layer, and a second dielectric spacer (707) on the first spacer. The double magnetic tunnel device includes the top magnetic tunnel junction stack with a width that is less than the width of the bottom magnetic tunnel junction stack.
La présente invention concerne une approche pour fournir une structure d'un dispositif de jonction à double tunnel magnétique (1200) avec deux entretoises (404, 707) qui comprend un empilement de jonction à effet tunnel magnétique inférieur (204), une couche conductrice de spin (208) sur l'empilement de jonction à effet tunnel magnétique inférieur, un empilement de jonction à effet tunnel magnétique supérieur (210) sur la couche de conduction de spin, un premier espaceur diélectrique (404) sur les côtés de l'empilement de jonction de tunnel magnétique supérieur et une partie d'une surface supérieure de la couche de conduction de spin, et un second espaceur diélectrique (707) sur le premier espaceur. Le dispositif à double tunnel magnétique comprend l'empilement de jonction à effet tunnel magnétique supérieur ayant une largeur qui est inférieure à la largeur de l'empilement de jonction à effet tunnel magnétique inférieur.
DOUBLE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE
DISPOSITIF DE JONCTION À EFFET TUNNEL MAGNÉTIQUE DOUBLE
HASHEMI POUYA (author) / KOTHANDARAMAN CHANDRASEKARA (author) / MARCHACK NATHAN (author)
2023-02-09
Patent
Electronic Resource
English
Magnetic tunnel junction (MTJ) and magnetic tunnel junction (MTJ) array
European Patent Office | 2023
|MODIFIED DOUBLE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION STRUCTURE SUITABLE FOR BEOL INTEGRATION
European Patent Office | 2021
|TOP BUFFER LAYER FOR MAGNETIC TUNNEL JUNCTION APPLICATION
European Patent Office | 2020
|Experimental investigations of SiO2 based ferrite magnetic tunnel junction
British Library Online Contents | 2013
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