A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHODS FOR PRODUCING SAME
This semiconductor substrate (10) includes: a drift layer (11), which is a first layer and formed of a single crystal SiC semiconductor; a buffer layer (12a) and a substrate layer (12b) which are a second layer (12) and formed of a SiC semiconductor including polycrystals on the surface of the first layer, wherein the second layer (12) is formed, through CVD growth, on the surface of the drift layer (11) of the first layer, and the drift layer (11) of the first layer is formed by epitaxial growth. The present invention suppresses the occurrence of defects at a bonding interface of a semiconductor substrate including a single crystal SiC layer and a polycrystalline SiC layer, and also reduces manufacturing costs.
Ce substrat semi-conducteur (10) comprend : une couche de dérive (11), qui est une première couche et est constituée d'un semi-conducteur SiC monocristallin ; une couche tampon (12a) et une couche de substrat (12b) qui sont une seconde couche (12) et sont constituées d'un semi-conducteur SiC comprenant des polycristaux sur la surface de la première couche, la seconde couche (12) étant formée, par croissance CVD, sur la surface de la couche de dérive (11) de la première couche, et la couche de dérive (11) de la première couche étant formée par croissance épitaxiale. La présente invention supprime l'apparition de défauts au niveau d'une interface de liaison d'un substrat semi-conducteur comprenant une couche de SiC monocristallin et une couche de SiC polycristallin, et réduit également les coûts de fabrication.
半導体基板（１０）は、単結晶のＳｉＣ半導体で形成された第１層のドリフト層（１１）と、第１層の表面に多結晶を含むＳｉＣ半導体で形成された第２層（１２）のバッファ層（１２ａ）及びサブストレート層（１２ｂ）とを含み、第２層（１２）は、第１層のドリフト層（１１）の表面にＣＶＤ成長により形成され、前記第１層のドリフト層（１１）は、エピタキシャル成長により形成されたものであり、単結晶ＳｉＣ層と多結晶ＳｉＣ層とを含む半導体基板の接合界面に発生する欠陥を抑制し、製造コストも低減する。
SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHODS FOR PRODUCING SAME
This semiconductor substrate (10) includes: a drift layer (11), which is a first layer and formed of a single crystal SiC semiconductor; a buffer layer (12a) and a substrate layer (12b) which are a second layer (12) and formed of a SiC semiconductor including polycrystals on the surface of the first layer, wherein the second layer (12) is formed, through CVD growth, on the surface of the drift layer (11) of the first layer, and the drift layer (11) of the first layer is formed by epitaxial growth. The present invention suppresses the occurrence of defects at a bonding interface of a semiconductor substrate including a single crystal SiC layer and a polycrystalline SiC layer, and also reduces manufacturing costs.
Ce substrat semi-conducteur (10) comprend : une couche de dérive (11), qui est une première couche et est constituée d'un semi-conducteur SiC monocristallin ; une couche tampon (12a) et une couche de substrat (12b) qui sont une seconde couche (12) et sont constituées d'un semi-conducteur SiC comprenant des polycristaux sur la surface de la première couche, la seconde couche (12) étant formée, par croissance CVD, sur la surface de la couche de dérive (11) de la première couche, et la couche de dérive (11) de la première couche étant formée par croissance épitaxiale. La présente invention supprime l'apparition de défauts au niveau d'une interface de liaison d'un substrat semi-conducteur comprenant une couche de SiC monocristallin et une couche de SiC polycristallin, et réduit également les coûts de fabrication.
半導体基板（１０）は、単結晶のＳｉＣ半導体で形成された第１層のドリフト層（１１）と、第１層の表面に多結晶を含むＳｉＣ半導体で形成された第２層（１２）のバッファ層（１２ａ）及びサブストレート層（１２ｂ）とを含み、第２層（１２）は、第１層のドリフト層（１１）の表面にＣＶＤ成長により形成され、前記第１層のドリフト層（１１）は、エピタキシャル成長により形成されたものであり、単結晶ＳｉＣ層と多結晶ＳｉＣ層とを含む半導体基板の接合界面に発生する欠陥を抑制し、製造コストも低減する。
SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHODS FOR PRODUCING SAME
SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR , DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET LEURS PROCÉDÉS DE PRODUCTION
半導体基板及び半導体装置並びにそれらの製造方法
MAEKAWA TAKUJI (author) / MORIMOTO MITSURU (author)
2021-02-04
Patent
Electronic Resource
Japanese
Semiconductor device and ceramic circuit substrate, and producing method of semiconductor device
| European Patent Office | 2016
CERAMIC SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE SUBSTRATE COMPRISING SAME
| European Patent Office | 2025
| European Patent Office | 2024
| European Patent Office | 2024
| European Patent Office | 2019