A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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METHOD FOR MANUFACTURING JOINED SUBSTRATE
The present invention prevents warping, cracking, etc., that occur in a joined substrate when manufacturing a joined substrate in which a copper plate is joined to a silicon nitride ceramic substrate via a joining layer. The silicon nitride ceramic substrate is prepared. A brazing material layer is formed on a main surface of the silicon nitride ceramic substrate. The copper plate is disposed on the brazing material layer. An intermediate product including the silicon nitride ceramic substrate, the brazing material layer, and the copper plate is thus obtained. Hot pressing is carried out on the intermediate product. The joining layer, which joins the copper plate to the silicon nitride ceramic substrate, is thereby generated. When carrying out the hot pressing on the intermediate product, the surface pressure applied to the intermediate product is raised to a maximum pressure, and after the temperature of the intermediate product has been raised to a maximum temperature, the temperature of the intermediate product is lowered from the maximum temperature to 70°C or lower while maintaining the surface pressure applied to the intermediate product at 0.1 MPa to 30 MPa, inclusive.
La présente invention empêche la déformation, la fissuration, etc., qui se produisent dans un substrat assemblé lors de la fabrication d'un substrat assemblé dans laquelle une plaque de cuivre est assemblée à un substrat en céramique au nitrure de silicium par l'intermédiaire d'une couche d'assemblage. Le substrat en céramique au nitrure de silicium est préparé. Une couche de matériau de brasage est formée sur une surface principale du substrat en céramique au nitrure de silicium. La plaque de cuivre est disposée sur la couche de matériau de brasage. Un produit intermédiaire comprenant le substrat en céramique au nitrure de silicium, la couche de matériau de brasage et la plaque de cuivre est ainsi obtenu. Un pressage à chaud est réalisé sur le produit intermédiaire. La couche d'assemblage, qui associe la plaque de cuivre au substrat en céramique au nitrure de silicium, est ainsi produite. Lors de la réalisation du pressage à chaud sur le produit intermédiaire, la pression superficielle appliquée sur le produit intermédiaire est accrue jusqu'à atteindre une pression maximale, et après l'augmentation de la température du produit intermédiaire jusqu'à atteindre une température maximale, la température du produit intermédiaire est abaissée de la température maximale jusqu'à une température inférieure ou égale à 70 °C tout en continuant d'appliquer la pression superficielle sur le produit intermédiaire à une valeur de 0,1 MPa à 30 MPa, inclus.
銅板が接合層を介して窒化ケイ素セラミックス基板に接合された接合基板を製造する際に接合基板に発生する反り、クラック等を抑制する。窒化ケイ素セラミックス基板が準備される。ろう材層が窒化ケイ素セラミックス基板の主面上に形成される。ろう材層上に銅板が配置される。これにより、窒化ケイ素セラミックス基板、ろう材層及び銅板を含む中間品が得られる。中間品に対してホットプレスが行われる。これより、銅板を窒化ケイ素セラミックス基板に接合する接合層が生成する。中間品に対してホットプレスが行われる際には、中間品に加える面圧が最高圧力まで上げられ、中間品の温度が最高温度まで上げられた後に、中間品に加える面圧が０．１ＭＰａ以上３０ＭＰａ以下に維持されたまま、中間品の温度が最高温度から７０℃以下まで下げられる。
METHOD FOR MANUFACTURING JOINED SUBSTRATE
The present invention prevents warping, cracking, etc., that occur in a joined substrate when manufacturing a joined substrate in which a copper plate is joined to a silicon nitride ceramic substrate via a joining layer. The silicon nitride ceramic substrate is prepared. A brazing material layer is formed on a main surface of the silicon nitride ceramic substrate. The copper plate is disposed on the brazing material layer. An intermediate product including the silicon nitride ceramic substrate, the brazing material layer, and the copper plate is thus obtained. Hot pressing is carried out on the intermediate product. The joining layer, which joins the copper plate to the silicon nitride ceramic substrate, is thereby generated. When carrying out the hot pressing on the intermediate product, the surface pressure applied to the intermediate product is raised to a maximum pressure, and after the temperature of the intermediate product has been raised to a maximum temperature, the temperature of the intermediate product is lowered from the maximum temperature to 70°C or lower while maintaining the surface pressure applied to the intermediate product at 0.1 MPa to 30 MPa, inclusive.
La présente invention empêche la déformation, la fissuration, etc., qui se produisent dans un substrat assemblé lors de la fabrication d'un substrat assemblé dans laquelle une plaque de cuivre est assemblée à un substrat en céramique au nitrure de silicium par l'intermédiaire d'une couche d'assemblage. Le substrat en céramique au nitrure de silicium est préparé. Une couche de matériau de brasage est formée sur une surface principale du substrat en céramique au nitrure de silicium. La plaque de cuivre est disposée sur la couche de matériau de brasage. Un produit intermédiaire comprenant le substrat en céramique au nitrure de silicium, la couche de matériau de brasage et la plaque de cuivre est ainsi obtenu. Un pressage à chaud est réalisé sur le produit intermédiaire. La couche d'assemblage, qui associe la plaque de cuivre au substrat en céramique au nitrure de silicium, est ainsi produite. Lors de la réalisation du pressage à chaud sur le produit intermédiaire, la pression superficielle appliquée sur le produit intermédiaire est accrue jusqu'à atteindre une pression maximale, et après l'augmentation de la température du produit intermédiaire jusqu'à atteindre une température maximale, la température du produit intermédiaire est abaissée de la température maximale jusqu'à une température inférieure ou égale à 70 °C tout en continuant d'appliquer la pression superficielle sur le produit intermédiaire à une valeur de 0,1 MPa à 30 MPa, inclus.
銅板が接合層を介して窒化ケイ素セラミックス基板に接合された接合基板を製造する際に接合基板に発生する反り、クラック等を抑制する。窒化ケイ素セラミックス基板が準備される。ろう材層が窒化ケイ素セラミックス基板の主面上に形成される。ろう材層上に銅板が配置される。これにより、窒化ケイ素セラミックス基板、ろう材層及び銅板を含む中間品が得られる。中間品に対してホットプレスが行われる。これより、銅板を窒化ケイ素セラミックス基板に接合する接合層が生成する。中間品に対してホットプレスが行われる際には、中間品に加える面圧が最高圧力まで上げられ、中間品の温度が最高温度まで上げられた後に、中間品に加える面圧が０．１ＭＰａ以上３０ＭＰａ以下に維持されたまま、中間品の温度が最高温度から７０℃以下まで下げられる。
METHOD FOR MANUFACTURING JOINED SUBSTRATE
PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT ASSEMBLÉ
接合基板の製造方法
EBIGASE TAKASHI (author)
2021-06-03
Patent
Electronic Resource
Japanese
JOINED SUBSTRATE AND PRODUCTION METHOD OF JOINED SUBSTRATE
| European Patent Office | 2019
METHOD FOR MANUFACTURING ALUMINUM-CERAMIC JOINED SUBSTRATE
| European Patent Office | 2023
METAL-CERAMIC JOINED SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
| European Patent Office | 2023
ALUMINUM-CERAMIC JOINED SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
| European Patent Office | 2022
METAL-CERAMIC JOINED SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
| European Patent Office | 2020