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VERFAHREN ZUM ABTRENNEN VON VERUNREINIGUNGEN VON SILICIUMCARBID UND TEMPERATURBEHANDELTES UND GEREINIGTES SILICIUMCARBID-PULVER
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Technischen Keramik und betrifft ein Verfahren zum Abtrennen von Verunreinigungen von Siliciumcarbid, welches an SiC- Pulvern von Schleifschlämmen eingesetzt werden kann, und temperaturbehandeltes und gereinigtes Siliciumcarbid-Pulver. Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren anzugeben, mit dem verschiedene Verunreinigungen mit einem einfachen und wirtschaftlichen Verfahren im Wesentlichen vollständig entfernt werden. Gelöst wird die Aufgabe durch ein Verfahren, bei dem pulverförmige SiC- Abfallprodukte, die mindestens 50 Ma.-% SiC und eine mittlere Korngrößen d50 zwischen 0,5 bis 1000 µm aufweisen, und einer Temperaturbehandlung unterzogen und abgekühlt worden sind, mechanisch behandelt und physikalisch getrennt werden, und nachfolgend eine Aufteilung der physikalisch getrennten SiC-Pulver in zwei Fraktionen durchgeführt wird, von denen in einer Fraktion die Masse an Verunreinigungen mindestens um den Faktor 2 höher ist als in der anderen Fraktion.
The invention concerns the area of ceramics an relates to a method for separating impurities from silicon carbide, said method being applicable to SiC powders from grinding sludges, and to temperature-treated and purified silicon carbide powder. The aim of the invention is to provide a method with which different impurities are substantially completely removed using a simple and economical process. This is achieved by a method in which pulverulent SiC waste products that have a mass percent of SiC of at least 50% and an average grain size d50 ranging from 0.5 to 1000 µm and have been subjected to a temperature treatment and cooled are mechanically treated and physically separated. The physically separated SiC powder is then divided into two fractions, one of which has a mass of impurities that is greater than the mass of impurities in the other fraction at least by a factor of 2.
L'invention concerne la surface de la céramique et est liée à un procédé de séparation d'impuretés à partir de carbure de silicium, ledit procédé pouvant être appliqué à des poudres de SiC provenant de boues de broyage, et à une poudre de carbure de silicium traitée par voie thermique et purifiée. L'invention a pour but de fournir un procédé permettant d'éliminer quasiment complètement différentes impuretés à l'aide d'un procédé simple et économique. Ce but est atteint par un procédé dans lequel des déchets de SiC pulvérulents qui ont un pourcentage en masse de SiC supérieur ou égal à 50 % et une taille de grain moyenne d50 allant de 0,5 à 1000 µm et qui ont été soumis à un traitement thermique et refroidis sont traités mécaniquement et physiquement séparés. La poudre de SiC physiquement séparée est ensuite divisée en deux fractions, l'une ayant une masse d'impuretés qui est supérieure à la masse d'impuretés de l'autre fraction d'au moins un facteur 2.
VERFAHREN ZUM ABTRENNEN VON VERUNREINIGUNGEN VON SILICIUMCARBID UND TEMPERATURBEHANDELTES UND GEREINIGTES SILICIUMCARBID-PULVER
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Technischen Keramik und betrifft ein Verfahren zum Abtrennen von Verunreinigungen von Siliciumcarbid, welches an SiC- Pulvern von Schleifschlämmen eingesetzt werden kann, und temperaturbehandeltes und gereinigtes Siliciumcarbid-Pulver. Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren anzugeben, mit dem verschiedene Verunreinigungen mit einem einfachen und wirtschaftlichen Verfahren im Wesentlichen vollständig entfernt werden. Gelöst wird die Aufgabe durch ein Verfahren, bei dem pulverförmige SiC- Abfallprodukte, die mindestens 50 Ma.-% SiC und eine mittlere Korngrößen d50 zwischen 0,5 bis 1000 µm aufweisen, und einer Temperaturbehandlung unterzogen und abgekühlt worden sind, mechanisch behandelt und physikalisch getrennt werden, und nachfolgend eine Aufteilung der physikalisch getrennten SiC-Pulver in zwei Fraktionen durchgeführt wird, von denen in einer Fraktion die Masse an Verunreinigungen mindestens um den Faktor 2 höher ist als in der anderen Fraktion.
The invention concerns the area of ceramics an relates to a method for separating impurities from silicon carbide, said method being applicable to SiC powders from grinding sludges, and to temperature-treated and purified silicon carbide powder. The aim of the invention is to provide a method with which different impurities are substantially completely removed using a simple and economical process. This is achieved by a method in which pulverulent SiC waste products that have a mass percent of SiC of at least 50% and an average grain size d50 ranging from 0.5 to 1000 µm and have been subjected to a temperature treatment and cooled are mechanically treated and physically separated. The physically separated SiC powder is then divided into two fractions, one of which has a mass of impurities that is greater than the mass of impurities in the other fraction at least by a factor of 2.
L'invention concerne la surface de la céramique et est liée à un procédé de séparation d'impuretés à partir de carbure de silicium, ledit procédé pouvant être appliqué à des poudres de SiC provenant de boues de broyage, et à une poudre de carbure de silicium traitée par voie thermique et purifiée. L'invention a pour but de fournir un procédé permettant d'éliminer quasiment complètement différentes impuretés à l'aide d'un procédé simple et économique. Ce but est atteint par un procédé dans lequel des déchets de SiC pulvérulents qui ont un pourcentage en masse de SiC supérieur ou égal à 50 % et une taille de grain moyenne d50 allant de 0,5 à 1000 µm et qui ont été soumis à un traitement thermique et refroidis sont traités mécaniquement et physiquement séparés. La poudre de SiC physiquement séparée est ensuite divisée en deux fractions, l'une ayant une masse d'impuretés qui est supérieure à la masse d'impuretés de l'autre fraction d'au moins un facteur 2.
VERFAHREN ZUM ABTRENNEN VON VERUNREINIGUNGEN VON SILICIUMCARBID UND TEMPERATURBEHANDELTES UND GEREINIGTES SILICIUMCARBID-PULVER
METHOD FOR SEPARATING IMPURITIES FROM SILICON CARBIDE, AND TEMPERATURE-TREATED AND PURIFIED SILICON CARBIDE POWDER
PROCÉDÉ DE SÉPARATION D'IMPURETÉS À PARTIR DE CARBURE DE SILICIUM, ET POUDRE DE CARBURE DE SILICIUM TRAITÉE PAR VOIE THERMIQUE ET PURIFIÉE
ADLER JÖRG (author) / HEYMER HEIKE (author) / HAUSMANN MATTHIAS (author) / KLIETZ WENZEL (author) / RÄTHEL JAN (author) / GARBES JOSEF (author)
2021-08-05
Patent
Electronic Resource
German
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