A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
N-TYPE BISMUTH TELLURIDE-BASED THERMOELECTRIC MATERIAL HAVING MODULATION STRUCTURE, AND PREPARATION METHOD THEREFOR
An n-type bismuth telluride-based thermoelectric material having a modulation structure, and a preparation method therefor. The material comprises mixed powder of n-type Bi2Te3 and Bi2Te3-xSex in an equimolar ratio, wherein x is greater than or equal to 0.1 and less than or equal to 0.9. The internal structure of crystal atoms of the n-type bismuth telluride-based thermoelectric material having a modulation structure is the modulation structure; the purity of Bi2Te3 powder is greater than or equal to 99.99 wt%, and the particle size of the Bi2Te3 powder is smaller than or equal to 500 μm; and the purity of Bi2Te3-xSex powder is greater than or equal to 99.99 wt%, the particle size of the Bi2Te3-x>Se powder is less than or equal to 500 μm, and x is greater than or equal to 0.1 and less than or equal to 0.9.
Matériau thermoélectrique à base de tellurure de bismuth de type n ayant une structure de modulation, et son procédé de préparation. Le matériau comprend une poudre mixte de Bi2Te3 et de Bi2Te3-xSex selon un rapport équimolaire, x étant supérieur ou égal à 0,1 et inférieur ou égal à 0,9. La structure interne d'atomes cristallins du matériau thermoélectrique à base de tellurure de bismuth de type n ayant une structure de modulation est la structure de modulation ; la pureté de la poudre de Bi2Te3 est supérieure ou égale à 99,99 % en poids, et la taille des particules de la poudre de Bi2Te3 est inférieure ou égale à 500 µm ; et la pureté de la poudre Bi2Te3-xSex est supérieure ou égale à 99,99 % en poids, la taille des particules de la poudre de Bi2Te3-x>Se est inférieure ou égale à 500 µm, et x est supérieur ou égal à 0,1 et inférieur ou égal à 0,9.
一种调制结构的n型碲化铋基热电材料及其制备方法，包括成分为n型Bi2Te3和Bi2Te3-xSex的等摩尔比混合粉末，其中0.1≤x≤0.9，该调制结构的n型碲化铋基热电材料晶体原子内部结构为调制结构，Bi2Te3粉末的纯度为≥99.99wt％，Bi2Te3粉末的粒径≤500μm；Bi2Te3-xSex粉末的纯度为≥99.99wt％，Bi2Te3-xSex粉末的粒径≤500μm，其中0.1≤x≤0.9。
N-TYPE BISMUTH TELLURIDE-BASED THERMOELECTRIC MATERIAL HAVING MODULATION STRUCTURE, AND PREPARATION METHOD THEREFOR
An n-type bismuth telluride-based thermoelectric material having a modulation structure, and a preparation method therefor. The material comprises mixed powder of n-type Bi2Te3 and Bi2Te3-xSex in an equimolar ratio, wherein x is greater than or equal to 0.1 and less than or equal to 0.9. The internal structure of crystal atoms of the n-type bismuth telluride-based thermoelectric material having a modulation structure is the modulation structure; the purity of Bi2Te3 powder is greater than or equal to 99.99 wt%, and the particle size of the Bi2Te3 powder is smaller than or equal to 500 μm; and the purity of Bi2Te3-xSex powder is greater than or equal to 99.99 wt%, the particle size of the Bi2Te3-x>Se powder is less than or equal to 500 μm, and x is greater than or equal to 0.1 and less than or equal to 0.9.
Matériau thermoélectrique à base de tellurure de bismuth de type n ayant une structure de modulation, et son procédé de préparation. Le matériau comprend une poudre mixte de Bi2Te3 et de Bi2Te3-xSex selon un rapport équimolaire, x étant supérieur ou égal à 0,1 et inférieur ou égal à 0,9. La structure interne d'atomes cristallins du matériau thermoélectrique à base de tellurure de bismuth de type n ayant une structure de modulation est la structure de modulation ; la pureté de la poudre de Bi2Te3 est supérieure ou égale à 99,99 % en poids, et la taille des particules de la poudre de Bi2Te3 est inférieure ou égale à 500 µm ; et la pureté de la poudre Bi2Te3-xSex est supérieure ou égale à 99,99 % en poids, la taille des particules de la poudre de Bi2Te3-x>Se est inférieure ou égale à 500 µm, et x est supérieur ou égal à 0,1 et inférieur ou égal à 0,9.
一种调制结构的n型碲化铋基热电材料及其制备方法，包括成分为n型Bi2Te3和Bi2Te3-xSex的等摩尔比混合粉末，其中0.1≤x≤0.9，该调制结构的n型碲化铋基热电材料晶体原子内部结构为调制结构，Bi2Te3粉末的纯度为≥99.99wt％，Bi2Te3粉末的粒径≤500μm；Bi2Te3-xSex粉末的纯度为≥99.99wt％，Bi2Te3-xSex粉末的粒径≤500μm，其中0.1≤x≤0.9。
N-TYPE BISMUTH TELLURIDE-BASED THERMOELECTRIC MATERIAL HAVING MODULATION STRUCTURE, AND PREPARATION METHOD THEREFOR
MATÉRIAU THERMOÉLECTRIQUE À BASE DE TELLURURE DE BISMUTH DE TYPE N AYANT UNE STRUCTURE DE MODULATION, ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
一种调制结构的n型碲化铋基热电材料及其制备方法
LIU FENGMING (author)
2021-10-14
Patent
Electronic Resource
Chinese
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
BISMUTH TELLURIDE THERMOELECTRIC MATERIAL AND PREPARATION METHOD THEREFOR
| European Patent Office | 2022
| European Patent Office | 2020
Preparation method of bismuth telluride-based thermoelectric material
| European Patent Office | 2021
| European Patent Office | 2023
Preparation method of N-type bismuth telluride thermoelectric block material
| European Patent Office | 2020