Provided is a method for continuously producing a silicon nitride sintered compact, whereby it is possible to produce a silicon nitride sintered compact continuously by the sintering using a silicon nitride powder having a high β transformation ratio.　A firing jig 2, in which a material to be fired 1 that comprises a silicon nitride powder having a β transformation ratio of 80% or more and a specific surface area of 7 to 20 m2/g and a sintering additive and has a total aluminum element content adjusted to 800 ppm or less is accommodated, is fed to a continuous firing furnace, and is then heated to a temperature of 1200 to 1800°C under an inert gas atmosphere and under a pressure of 0 MPa•G or more and less than 0.1 MPa•G to sinter silicon nitride, in which the continuous firing furnace is equipped with an airtight-type firing container 5 having an opening/closing door 3 for feeding the firing jig and an opening/closing door 4 for discharging the firing jig at both ends thereof, a heating mechanism 6 arranged on the outer periphery of a body part of the firing container 5, a conveyance mechanism for feeding/discharging the firing jig into/from the firing container, and a gas feeding mechanism for feeding an inert gas into the firing container.

La présente invention concerne un procédé de production en continu d'un comprimé fritté de nitrure de silicium, moyennant quoi il est possible de produire un comprimé fritté de nitrure de silicium de façon continue par le frittage à l'aide d'une poudre de nitrure de silicium ayant un rapport de transformation β élevé.　Un gabarit de cuisson (2), dans lequel un matériau à cuire (1) qui comprend une poudre de nitrure de silicium ayant un rapport de transformation β de 80 % ou plus et une surface spécifique de 7 à 20 m2/g et un additif de frittage et a une teneur totale en élément d'aluminium ajustée à 800 ppm ou moins est reçu, est alimenté dans un four de cuisson continu, et est ensuite chauffé à une température de 1200 à 1800 °C sous une atmosphère de gaz inerte et sous une pression de 0 MPa•G ou plus et inférieure à 0,1 MPa•G pour fritter le nitrure de silicium, dans laquelle le four de cuisson continu est équipé d'un récipient de cuisson étanche à l'air (5) ayant une porte d'ouverture/fermeture (3) pour alimenter le gabarit de cuisson et une porte d'ouverture/fermeture (4) pour décharger le gabarit de cuisson aux deux extrémités de celui-ci, un mécanisme de chauffage (6) disposé sur la périphérie externe d'une partie de corps du récipient de cuisson (5), un mécanisme de transport pour alimenter/décharger le gabarit de cuisson dans/à partir du récipient de cuisson, et un mécanisme d'alimentation en gaz pour introduire un gaz inerte dans le récipient de cuisson.

β化率の高い窒化ケイ素粉末を用いた焼結による窒化ケイ素焼結体の製造を連続的に行うことができる窒化ケイ素焼結体の連続製造方法を提供する。　β化率が８０％以上、比表面積が７～２０ｍ２／ｇの窒化ケイ素粉末と、焼結助剤とを含有し、アルミニウム元素の総含有量が８００ｐｐｍ以下に調整された被焼成体１を収容した焼成用治具２を、上記焼成用治具の供給用開閉扉３と排出用開閉扉４とを端部に有する密閉式の焼成容器５、上記焼成容器５の胴部外周に設けられた加熱機構６、前記焼成用治具を焼成容器内に給排出するための搬送機構、及び、焼成容器内に不活性ガスを供給するためのガス供給機構を備えた連続焼成炉に供給し、不活性ガス雰囲気下及び０ＭＰａ・Ｇ以上０．１ＭＰａ・Ｇ未満の圧力下、１２００～１８００℃の温度に加熱して窒化ケイ素を焼結する。