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SILICON NITRIDE/TITANIUM CARBIDE CERAMIC MATERIAL PREPARATION METHOD BASED ON SPARK PLASMA SINTERING
An Si3N4/TiC ceramic material preparation method based on spark plasma sintering, comprising: by using α-Si3N4 as a matrix, TiC as an additive phase, and Al2O3 and Y2O3 as sintering aids, performing wet ball mill mixing and drying, and then performing spark plasma sintering, the sintering temperature being 1650-1750℃, and the holding time being 20-35 min. The prepared Si3N4/TiC ceramic material has good sintering density, and the bending strength, fracture toughness and hardness of the ceramic material are not less than 700 MPa, 6.1 MPa•m1/2, and 13 GPa.
L'invention concerne un procédé de préparation de matériau céramique de Si3N4/TiC basé sur le frittage flash (spark plasma sintering, SPS), comprenant : la réalisation, en utilisant de l'α-Si3N4 en tant que matrice, du TiC en tant que phase additive, et de l'Al2O3 et de l'Y2O3 en tant qu'adjuvants de frittage, d'un mélange par broyeur à boulets humide et d'un séchage, puis la réalisation d'un frittage flash, la température de frittage étant de 1650-1750 °C, et le temps de maintien étant de 20 à 35 min. Le matériau céramique de Si3N4/TiC préparé présente une bonne densité de frittage, et la résistance à la flexion, la ténacité et la dureté de la matière céramique ne sont pas inférieures à 700 MPa, 6,1 MPa • m1/2, et 13 GPa.
一种基于放电等离子烧结的Si 3N 4/TiC陶瓷材料制备方法，以α-Si 3N 4为基体，TiC为增相，Al 2O 3和Y 2O 3为烧结助剂，经湿法球磨混料、干燥后进行放电等离子烧结，烧结温度1650-1750℃，保温时间20-35min。所制备的Si 3N 4/TiC陶瓷材料具有良好的烧结致密性，陶瓷材料的抗弯强度、断裂韧性和硬度不低于700MPa、6.1MPa·m 1/2和13GPa。
SILICON NITRIDE/TITANIUM CARBIDE CERAMIC MATERIAL PREPARATION METHOD BASED ON SPARK PLASMA SINTERING
An Si3N4/TiC ceramic material preparation method based on spark plasma sintering, comprising: by using α-Si3N4 as a matrix, TiC as an additive phase, and Al2O3 and Y2O3 as sintering aids, performing wet ball mill mixing and drying, and then performing spark plasma sintering, the sintering temperature being 1650-1750℃, and the holding time being 20-35 min. The prepared Si3N4/TiC ceramic material has good sintering density, and the bending strength, fracture toughness and hardness of the ceramic material are not less than 700 MPa, 6.1 MPa•m1/2, and 13 GPa.
L'invention concerne un procédé de préparation de matériau céramique de Si3N4/TiC basé sur le frittage flash (spark plasma sintering, SPS), comprenant : la réalisation, en utilisant de l'α-Si3N4 en tant que matrice, du TiC en tant que phase additive, et de l'Al2O3 et de l'Y2O3 en tant qu'adjuvants de frittage, d'un mélange par broyeur à boulets humide et d'un séchage, puis la réalisation d'un frittage flash, la température de frittage étant de 1650-1750 °C, et le temps de maintien étant de 20 à 35 min. Le matériau céramique de Si3N4/TiC préparé présente une bonne densité de frittage, et la résistance à la flexion, la ténacité et la dureté de la matière céramique ne sont pas inférieures à 700 MPa, 6,1 MPa • m1/2, et 13 GPa.
一种基于放电等离子烧结的Si 3N 4/TiC陶瓷材料制备方法，以α-Si 3N 4为基体，TiC为增相，Al 2O 3和Y 2O 3为烧结助剂，经湿法球磨混料、干燥后进行放电等离子烧结，烧结温度1650-1750℃，保温时间20-35min。所制备的Si 3N 4/TiC陶瓷材料具有良好的烧结致密性，陶瓷材料的抗弯强度、断裂韧性和硬度不低于700MPa、6.1MPa·m 1/2和13GPa。
SILICON NITRIDE/TITANIUM CARBIDE CERAMIC MATERIAL PREPARATION METHOD BASED ON SPARK PLASMA SINTERING
PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE MATÉRIAU CÉRAMIQUE AU NITRURE DE SILICIUM/CARBURE DE TITANE BASÉ SUR LE FRITTAGE FLASH
一种基于放电等离子烧结的氮化硅/碳化钛陶瓷材料制备方法
CHEN ZHAOQIANG (author) / XIAO GUANGCHUN (author) / XU CHONGHAI (author) / YI MINGDONG (author) / ZHANG JINGJIE (author) / ZHANG SHUAI (author)
2022-05-05
Patent
Electronic Resource
Chinese
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
| European Patent Office | 2021
Tungsten carbide-silicon nitride composite material and spark plasma sintering method thereof
| European Patent Office | 2024
Spark Plasma Sintering of Silicon Nitride-Boron Carbide Composites
| British Library Online Contents | 2009
Spark plasma sintering method of silicon carbide/tantalum carbide toughened ceramic
| European Patent Office | 2022
| European Patent Office | 2024