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SILICON NITRIDE SINTERED BODY, WEAR-RESISTANT MEMBER, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
This silicon nitride sintered body according to an embodiment is characterized by: including silicon nitride crystal particles and a grain boundary phase; and showing seven or more peaks detected in the range from 400 cm-1 to 1200 cm-1 when a 20 μm × 20 μm region in an arbitrary cross section of the silicon nitride sintered body is analyzed using Raman spectroscopy, where the strongest peak of the seven of more peaks is not found in the range from 515 cm-1 to 525 cm-1. Also, at least three of the seven or more peaks are preferably in the range from 530 cm-1 to 830 cm-1. At least one of the seven or more peaks is preferably in the range from 440 cm-1 to 460 cm-1.
Ce corps fritté de nitrure de silicium, selon un mode de réalisation, est caractérisé en ce qu'il : comprend des particules cristallines de nitrure de silicium et une phase intergranulaire ; et présente sept pics ou plus détectés dans la plage de 400 cm-1 à 1 200 cm-1 lorsqu'une région de 20 μm × 20 μm dans une section transversale arbitraire du corps fritté de nitrure de silicium est analysée à l'aide d'une spectroscopie Raman, le pic le plus fort des sept pics ou plus n'étant pas compris dans la plage de 515 cm-1 à 525 cm-1. De plus, au moins trois des sept pics ou plus sont préférentiellement compris dans la plage de 530 cm-1 à 830 cm-1. Au moins un des sept pics ou plus est préférentiellement compris dans la plage de 440 cm-1 à 460 cm-1.
実施形態に係る窒化珪素焼結体は、窒化珪素結晶粒子及び粒界相を備え、前記窒化珪素焼結体の任意の断面において20μm×20μmの領域をラマン分光分析した場合に、400cm-1以上1200cm-1以下の範囲内に7つ以上のピークが検出され、前記7つ以上のピークの最強ピークは515cm-1以上525cm-1以下の範囲にないことを特徴とする。また、前記7つ以上のピークの少なくとも3つは、530cm-1以上830cm-1以下の範囲内にあることが好ましい。前記7つ以上のピークの少なくとも1つは、440cm-1以上460cm-1以下の範囲内にあることが好ましい。
SILICON NITRIDE SINTERED BODY, WEAR-RESISTANT MEMBER, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
This silicon nitride sintered body according to an embodiment is characterized by: including silicon nitride crystal particles and a grain boundary phase; and showing seven or more peaks detected in the range from 400 cm-1 to 1200 cm-1 when a 20 μm × 20 μm region in an arbitrary cross section of the silicon nitride sintered body is analyzed using Raman spectroscopy, where the strongest peak of the seven of more peaks is not found in the range from 515 cm-1 to 525 cm-1. Also, at least three of the seven or more peaks are preferably in the range from 530 cm-1 to 830 cm-1. At least one of the seven or more peaks is preferably in the range from 440 cm-1 to 460 cm-1.
Ce corps fritté de nitrure de silicium, selon un mode de réalisation, est caractérisé en ce qu'il : comprend des particules cristallines de nitrure de silicium et une phase intergranulaire ; et présente sept pics ou plus détectés dans la plage de 400 cm-1 à 1 200 cm-1 lorsqu'une région de 20 μm × 20 μm dans une section transversale arbitraire du corps fritté de nitrure de silicium est analysée à l'aide d'une spectroscopie Raman, le pic le plus fort des sept pics ou plus n'étant pas compris dans la plage de 515 cm-1 à 525 cm-1. De plus, au moins trois des sept pics ou plus sont préférentiellement compris dans la plage de 530 cm-1 à 830 cm-1. Au moins un des sept pics ou plus est préférentiellement compris dans la plage de 440 cm-1 à 460 cm-1.
実施形態に係る窒化珪素焼結体は、窒化珪素結晶粒子及び粒界相を備え、前記窒化珪素焼結体の任意の断面において20μm×20μmの領域をラマン分光分析した場合に、400cm-1以上1200cm-1以下の範囲内に7つ以上のピークが検出され、前記7つ以上のピークの最強ピークは515cm-1以上525cm-1以下の範囲にないことを特徴とする。また、前記7つ以上のピークの少なくとも3つは、530cm-1以上830cm-1以下の範囲内にあることが好ましい。前記7つ以上のピークの少なくとも1つは、440cm-1以上460cm-1以下の範囲内にあることが好ましい。
SILICON NITRIDE SINTERED BODY, WEAR-RESISTANT MEMBER, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
CORPS FRITTÉ DE NITRURE DE SILICIUM, ÉLÉMENT RÉSISTANT À L'USURE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN CORPS FRITTÉ DE NITRURE DE SILICIUM
窒化珪素焼結体、耐摩耗性部材、及び窒化珪素焼結体の製造方法
SANO SHOYA (author) / AOKI KATSUYUKI (author) / FUNAKI KAI (author) / OOKUBO KAZUYA (author)
2022-10-06
Patent
Electronic Resource
Japanese
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