A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE CARRIER FOR PLASMA ETCHING AND SILICON CARBIDE CARRIER
The present disclosure relates to the technical field of carrier, and specifically relates to a method for manufacturing a silicon carbide carrier for plasma etching and a silicon carbide carrier. The method for manufacturing the silicon carbide carrier comprises the following steps: (1) plain blank forming: using granulated silicon carbide powder of a solid-phase sintering system, and forming a silicon carbide blank satisfying a size requirement by means of first dry pressing and then isostatic pressing, or a direct isostatic pressing process; (2) plain blank processing: according to a finished product size and a high-temperature sintering shrinkage rate of a plasma etching carrier disc, reserving a certain amount of sintering allowance in the outer circle, total thickness and front and back groove depths, and processing the formed plain blank; (3) sintering at high temperature: sintering the processed silicon carbide carrier blank at a high temperature; (4) finish processing: first, performing precision grinding and surface grinding of the outer circle of the carrier disc, followed by processing the reverse side of the carrier disc using the back groove depth as a reference; then processing the front surface of the carrier plate using the total thickness requirement of the carrier plate as a reference; and finally, performing precision grinding processing on a wafer groove to meet a groove depth requirement.
La présente invention concerne le domaine technique des supports, et concerne en particulier un procédé de fabrication d'un support en carbure de silicium destiné à la gravure au plasma et le support en carbure de silicium. Le procédé de fabrication du support en carbure de silicium comprend les étapes suivantes : (1) une étape de formation d'une ébauche brute consistant à utiliser une poudre de carbure de silicium granulée d'un système de frittage en phase solide, et à former une ébauche en carbure de silicium satisfaisant à une exigence de taille par le biais d'un premier pressage à sec puis d'un pressage isostatique, ou d'un processus de pressage isostatique direct ; (2) une étape de traitement de l'ébauche brute consistant à : selon la taille du produit fini et le taux de rétrécissement de frittage à haute température d'un disque de support de gravure au plasma, réserver une certaine quantité de marge de frittage dans le cercle externe, l'épaisseur totale et les profondeurs des rainures avant et arrière, et traiter l'ébauche brute ainsi obtenue ; (3) une étape de frittage à haute température consistant à fritter à haute température l'ébauche de support en carbure de silicium traitée ; (4) une étape de traitement de finition consistant à : tout d'abord, réaliser un meulage de précision et un meulage de surface du cercle externe du disque de support, puis traiter l'envers du disque de support en utilisant la profondeur de la rainure arrière comme référence ; ensuite, traiter la surface avant de la plaque de support en utilisant l'exigence d'épaisseur totale de la plaque de support comme référence ; et enfin, réaliser un traitement de meulage de précision sur une rainure de tranche pour répondre à une exigence de profondeur de rainure.
本申请属于载盘技术领域，具体涉及一种等离子刻蚀用碳化硅载盘的制造方法及碳化硅载盘。碳化硅载盘的制造方法包括如下步骤：(1)素胚成型：采用固相烧结体系的碳化硅造粒粉体，通过先干压后等静压或者直接等静压工艺成型出满足尺寸要求的碳化硅素胚；(2)素胚加工：根据等离子刻蚀载盘的成品尺寸和高温烧结收缩率，对外圆、总厚度、正反面槽深预留一定的烧结余量，对成型的素胚进行加工；(3)高温烧结：将加工后的碳化硅载盘素胚进行高温烧结；(4)精加工：先对载盘外圆进行精密研磨和平面研磨，然后以反面槽深为基准，加工载盘的反面；再以载盘总厚度要求为基准，加工载盘的正面；最后进行晶圆槽的精密磨加工，达到槽深要求即可。
METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE CARRIER FOR PLASMA ETCHING AND SILICON CARBIDE CARRIER
The present disclosure relates to the technical field of carrier, and specifically relates to a method for manufacturing a silicon carbide carrier for plasma etching and a silicon carbide carrier. The method for manufacturing the silicon carbide carrier comprises the following steps: (1) plain blank forming: using granulated silicon carbide powder of a solid-phase sintering system, and forming a silicon carbide blank satisfying a size requirement by means of first dry pressing and then isostatic pressing, or a direct isostatic pressing process; (2) plain blank processing: according to a finished product size and a high-temperature sintering shrinkage rate of a plasma etching carrier disc, reserving a certain amount of sintering allowance in the outer circle, total thickness and front and back groove depths, and processing the formed plain blank; (3) sintering at high temperature: sintering the processed silicon carbide carrier blank at a high temperature; (4) finish processing: first, performing precision grinding and surface grinding of the outer circle of the carrier disc, followed by processing the reverse side of the carrier disc using the back groove depth as a reference; then processing the front surface of the carrier plate using the total thickness requirement of the carrier plate as a reference; and finally, performing precision grinding processing on a wafer groove to meet a groove depth requirement.
La présente invention concerne le domaine technique des supports, et concerne en particulier un procédé de fabrication d'un support en carbure de silicium destiné à la gravure au plasma et le support en carbure de silicium. Le procédé de fabrication du support en carbure de silicium comprend les étapes suivantes : (1) une étape de formation d'une ébauche brute consistant à utiliser une poudre de carbure de silicium granulée d'un système de frittage en phase solide, et à former une ébauche en carbure de silicium satisfaisant à une exigence de taille par le biais d'un premier pressage à sec puis d'un pressage isostatique, ou d'un processus de pressage isostatique direct ; (2) une étape de traitement de l'ébauche brute consistant à : selon la taille du produit fini et le taux de rétrécissement de frittage à haute température d'un disque de support de gravure au plasma, réserver une certaine quantité de marge de frittage dans le cercle externe, l'épaisseur totale et les profondeurs des rainures avant et arrière, et traiter l'ébauche brute ainsi obtenue ; (3) une étape de frittage à haute température consistant à fritter à haute température l'ébauche de support en carbure de silicium traitée ; (4) une étape de traitement de finition consistant à : tout d'abord, réaliser un meulage de précision et un meulage de surface du cercle externe du disque de support, puis traiter l'envers du disque de support en utilisant la profondeur de la rainure arrière comme référence ; ensuite, traiter la surface avant de la plaque de support en utilisant l'exigence d'épaisseur totale de la plaque de support comme référence ; et enfin, réaliser un traitement de meulage de précision sur une rainure de tranche pour répondre à une exigence de profondeur de rainure.
本申请属于载盘技术领域，具体涉及一种等离子刻蚀用碳化硅载盘的制造方法及碳化硅载盘。碳化硅载盘的制造方法包括如下步骤：(1)素胚成型：采用固相烧结体系的碳化硅造粒粉体，通过先干压后等静压或者直接等静压工艺成型出满足尺寸要求的碳化硅素胚；(2)素胚加工：根据等离子刻蚀载盘的成品尺寸和高温烧结收缩率，对外圆、总厚度、正反面槽深预留一定的烧结余量，对成型的素胚进行加工；(3)高温烧结：将加工后的碳化硅载盘素胚进行高温烧结；(4)精加工：先对载盘外圆进行精密研磨和平面研磨，然后以反面槽深为基准，加工载盘的反面；再以载盘总厚度要求为基准，加工载盘的正面；最后进行晶圆槽的精密磨加工，达到槽深要求即可。
METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE CARRIER FOR PLASMA ETCHING AND SILICON CARBIDE CARRIER
PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUPPORT EN CARBURE DE SILICIUM DESTINÉ À LA GRAVURE AU PLASMA ET SUPPORT EN CARBURE DE SILICIUM
一种等离子刻蚀用碳化硅载盘的制造方法及碳化硅载盘
YAN YONGJIE (author) / YAO YUXI (author)
2023-03-02
Patent
Electronic Resource
Chinese
METHOD FOR PREPARING POROUS SILICON CARBIDE CERAMIC CARRIER
| European Patent Office | 2021
Staggered silicon carbide honeycomb ceramic carrier section plugging device
| European Patent Office | 2021
| European Patent Office | 2022
Manufacturing method of silicon carbide product and silicon carbide product
| European Patent Office | 2024
| European Patent Office | 2023