A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
SILICON CARBIDE JOINT AND METAL PENETRATION CONNECTION METHOD THEREFOR
A silicon carbide joint and a metal penetration connection method therefor. The metal penetration connection method comprises the following steps: S1. formulating a first metal raw material and a second metal raw material to form a connection material; S2. arranging the connection material between the connection faces of two silicon carbide parts, so that the connection material and the two silicon carbide parts form a sandwich structure; S3. placing the sandwich structure in a sintering environment having a metal phase and sintering same, wherein during the sintering process, the metal phase penetrates into the connection material and fills air holes generated in the connection material; and S4. after sintering, densifying the connection material to form a connection layer, so as to connect the two silicon carbide parts to form a silicon carbide joint. According to the metal penetration connection method for the silicon carbide joint, the metal phase penetrates into the connection material, so that the densification of the connection material is achieved, the silicon carbide joint with high strength connection and good air tightness is obtained, and the requirements for the shape, structure, etc., of silicon carbide are reduced.
L'invention concerne un assemblage en carbure de silicium et un procédé de liaison par pénétration de métal s'y rapportant. Le procédé de liaison par pénétration de métal comprend les étapes suivantes : S1. la formulation d'une première matière première métallique et d'une seconde matière première métallique pour former un matériau de liaison ; S2. la disposition du matériau de liaison entre les faces de liaison de deux pièces en carbure de silicium, de telle sorte que le matériau de liaison et les deux pièces en carbure de silicium forment une structure en sandwich ; S3. le placement de la structure en sandwich dans un environnement de frittage ayant une phase métallique et le frittage de celle-ci, la phase métallique, lors du processus de frittage, pénétrant dans le matériau de liaison et remplissant les trous d'air créés dans le matériau de liaison ; et S4. après le frittage, la densification du matériau de liaison pour former une couche de liaison, de manière à relier les deux pièces en carbure de silicium pour former un assemblage en carbure de silicium. Selon le procédé de liaison par pénétration de métal pour l'assemblage en carbure de silicium, la phase métallique pénètre dans le matériau de liaison, de sorte que la densification du matériau de liaison est réalisée, l'assemblage en carbure de silicium avec une liaison à haute résistance et ayant une bonne étanchéité à l'air est obtenu et les exigences pour la forme, la structure, etc. du carbure de silicium sont réduites.
一种碳化硅接头及其金属渗透连接方法，金属渗透连接方法包括以下步骤：S1、将第一金属原料和第二金属原料配制形成连接材料；S2、将所述连接材料设置在两个碳化硅件的连接面之间，与两个碳化硅件形成三明治结构；S3、将所述三明治结构置于具有金属相的烧结环境中并进行烧结；烧结过程中，所述金属相渗透至所述连接材料内并填充在连接材料中产生的气孔中；S4、烧结后，所述连接材料致密化形成连接层，将两个碳化硅件连接形成碳化硅接头。该碳化硅接头的金属渗透连接方法，以金属相渗透至连接材料中，实现连接材料的致密化，得到高强连接且气密性好的碳化硅接头，降低对碳化硅形状结构等的要求。
SILICON CARBIDE JOINT AND METAL PENETRATION CONNECTION METHOD THEREFOR
A silicon carbide joint and a metal penetration connection method therefor. The metal penetration connection method comprises the following steps: S1. formulating a first metal raw material and a second metal raw material to form a connection material; S2. arranging the connection material between the connection faces of two silicon carbide parts, so that the connection material and the two silicon carbide parts form a sandwich structure; S3. placing the sandwich structure in a sintering environment having a metal phase and sintering same, wherein during the sintering process, the metal phase penetrates into the connection material and fills air holes generated in the connection material; and S4. after sintering, densifying the connection material to form a connection layer, so as to connect the two silicon carbide parts to form a silicon carbide joint. According to the metal penetration connection method for the silicon carbide joint, the metal phase penetrates into the connection material, so that the densification of the connection material is achieved, the silicon carbide joint with high strength connection and good air tightness is obtained, and the requirements for the shape, structure, etc., of silicon carbide are reduced.
L'invention concerne un assemblage en carbure de silicium et un procédé de liaison par pénétration de métal s'y rapportant. Le procédé de liaison par pénétration de métal comprend les étapes suivantes : S1. la formulation d'une première matière première métallique et d'une seconde matière première métallique pour former un matériau de liaison ; S2. la disposition du matériau de liaison entre les faces de liaison de deux pièces en carbure de silicium, de telle sorte que le matériau de liaison et les deux pièces en carbure de silicium forment une structure en sandwich ; S3. le placement de la structure en sandwich dans un environnement de frittage ayant une phase métallique et le frittage de celle-ci, la phase métallique, lors du processus de frittage, pénétrant dans le matériau de liaison et remplissant les trous d'air créés dans le matériau de liaison ; et S4. après le frittage, la densification du matériau de liaison pour former une couche de liaison, de manière à relier les deux pièces en carbure de silicium pour former un assemblage en carbure de silicium. Selon le procédé de liaison par pénétration de métal pour l'assemblage en carbure de silicium, la phase métallique pénètre dans le matériau de liaison, de sorte que la densification du matériau de liaison est réalisée, l'assemblage en carbure de silicium avec une liaison à haute résistance et ayant une bonne étanchéité à l'air est obtenu et les exigences pour la forme, la structure, etc. du carbure de silicium sont réduites.
一种碳化硅接头及其金属渗透连接方法，金属渗透连接方法包括以下步骤：S1、将第一金属原料和第二金属原料配制形成连接材料；S2、将所述连接材料设置在两个碳化硅件的连接面之间，与两个碳化硅件形成三明治结构；S3、将所述三明治结构置于具有金属相的烧结环境中并进行烧结；烧结过程中，所述金属相渗透至所述连接材料内并填充在连接材料中产生的气孔中；S4、烧结后，所述连接材料致密化形成连接层，将两个碳化硅件连接形成碳化硅接头。该碳化硅接头的金属渗透连接方法，以金属相渗透至连接材料中，实现连接材料的致密化，得到高强连接且气密性好的碳化硅接头，降低对碳化硅形状结构等的要求。
SILICON CARBIDE JOINT AND METAL PENETRATION CONNECTION METHOD THEREFOR
ASSEMBLAGE EN CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE LIAISON PAR PÉNÉTRATION DE MÉTAL S'Y RAPPORTANT
碳化硅接头及其金属渗透连接方法
WU LIXIANG (author) / XUE JIAXIANG (author) / LIAO YEHONG (author) / REN QISEN (author) / ZHAI JIANHAN (author) / ZHANG YONGDONG (author) / ZHANG XIANSHENG (author)
2023-05-04
Patent
Electronic Resource
Chinese
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
SILICON CARBIDE JOINT AND METAL PENETRATION CONNECTION METHOD THEREFOR
| European Patent Office | 2024
| European Patent Office | 2023
Silicon carbide ceramic connection method and silicon carbide cladding
| European Patent Office | 2021
| European Patent Office | 2017
| European Patent Office | 2024