A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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SPUTTERING TARGET, METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET, OXIDE THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE
A sputtering target comprising an oxide sintered body containing indium oxide as the main component, wherein the oxide sintered body has a contained hydrogen concentration of 5×1016 atoms/cm3 or greater, the atomic concentration ratio (O element/In element) of indium (In) element and oxygen (O) element is at least 1.3 to less than 2.5, and the density of the oxide sintered body measured by the Archimedes method is 6.0 g/cm3 or greater.
L'invention concerne une cible de pulvérisation comprenant un corps fritté d'oxyde contenant de l'oxyde d'indium en tant que composant principal, le corps fritté d'oxyde ayant une concentration d'hydrogène contenue de 5×1016 atomes/cm3 ou plus, le rapport de concentration atomique (élément O/élément In) d'élément d'indium (In) et d'élément d'oxygène (O) étant d'au moins 1,3 à moins de 2,5, et la densité du corps fritté d'oxyde mesurée par le procédé d'Archimède étant de 6,0 g/cm3 ou plus.
酸化インジウムを主成分として含む酸化物焼結体を備えるスパッタリングターゲットであって、前記酸化物焼結体は、含有水素濃度が、５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、Ｉｎ（インジウム）元素とＯ（酸素）元素との原子濃度比（Ｏ元素／Ｉｎ元素）が、１．３以上、２．５未満であり、アルキメデス法により測定される前記酸化物焼結体の密度が、６．０ｇ／ｃｍ３以上である、スパッタリングターゲット。
SPUTTERING TARGET, METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET, OXIDE THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE
A sputtering target comprising an oxide sintered body containing indium oxide as the main component, wherein the oxide sintered body has a contained hydrogen concentration of 5×1016 atoms/cm3 or greater, the atomic concentration ratio (O element/In element) of indium (In) element and oxygen (O) element is at least 1.3 to less than 2.5, and the density of the oxide sintered body measured by the Archimedes method is 6.0 g/cm3 or greater.
L'invention concerne une cible de pulvérisation comprenant un corps fritté d'oxyde contenant de l'oxyde d'indium en tant que composant principal, le corps fritté d'oxyde ayant une concentration d'hydrogène contenue de 5×1016 atomes/cm3 ou plus, le rapport de concentration atomique (élément O/élément In) d'élément d'indium (In) et d'élément d'oxygène (O) étant d'au moins 1,3 à moins de 2,5, et la densité du corps fritté d'oxyde mesurée par le procédé d'Archimède étant de 6,0 g/cm3 ou plus.
酸化インジウムを主成分として含む酸化物焼結体を備えるスパッタリングターゲットであって、前記酸化物焼結体は、含有水素濃度が、５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、Ｉｎ（インジウム）元素とＯ（酸素）元素との原子濃度比（Ｏ元素／Ｉｎ元素）が、１．３以上、２．５未満であり、アルキメデス法により測定される前記酸化物焼結体の密度が、６．０ｇ／ｃｍ３以上である、スパッタリングターゲット。
SPUTTERING TARGET, METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET, OXIDE THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE
CIBLE DE PULVÉRISATION, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CIBLE DE PULVÉRISATION, COUCHE MINCE D'OXYDE, TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲットの製造方法、酸化物薄膜、薄膜トランジスタ、及び電子機器
SASAKI DAICHI (author) / KAIJO AKIRA (author) / OYAMA MASASHI (author) / KAWASHIMA EMI (author)
2023-10-05
Patent
Electronic Resource
Japanese
| European Patent Office | 2024
| European Patent Office | 2024
| European Patent Office | 2024
Sputtering target, oxide semiconductor thin film, thin film transistor, and electronic device
| European Patent Office | 2020
SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE
| European Patent Office | 2019