A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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SPUTTERING TARGET, METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET, OXIDE THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE
This sputtering target comprises an oxide-sintered body containing indium oxide as the main component. The oxide-sintered body has a density of at least 6.9 g/cm3 as measured by the Archimedean method. The average crystal grain size of crystal grains of indium oxide contained in the oxide-sintered body is 5-25 μm. In a field of view when the surface of the oxide-sintered body is observed at a magnification factor of 500 times, the area proportion of pores surrounded by at least three adjacent crystal grains to the area of the field of view is at most 3%.
Cette cible de pulvérisation comprend un corps fritté à base d'oxyde contenant de l'oxyde d'indium en tant que composant principal. Le corps fritté à base d'oxyde possède une densité d'au moins 6,9 g/cm3 telle que mesurée par le principe d'Archimède. La taille moyenne de grain cristallin des grains cristallins d'oxyde d'indium contenus dans le corps fritté à base d'oxyde est de 5 à 25 µm. Dans un champ de vue lorsque la surface du corps fritté à base d'oxyde est observée à un facteur de grossissement de 500 fois, la proportion surfacique de pores entourés par au moins trois grains cristallins adjacents à la zone du champ de vue est d'au plus 3 %.
酸化インジウムを主成分とする酸化物焼結体を備えるスパッタリングターゲットであって、前記酸化物焼結体は、アルキメデス法により測定される前記酸化物焼結体の密度が、６．９ｇ／ｃｍ３以上であり、前記酸化物焼結体に含まれる酸化インジウムの結晶粒の平均結晶粒径が、５μｍ以上、２５μｍ以下であり、前記酸化物焼結体の表面を５００倍の倍率で観察したときの視野において、前記視野の面積に対して、隣接する３つ以上の前記結晶粒で囲まれた空孔の面積比率が、３％以下である、スパッタリングターゲット。
SPUTTERING TARGET, METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET, OXIDE THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE
This sputtering target comprises an oxide-sintered body containing indium oxide as the main component. The oxide-sintered body has a density of at least 6.9 g/cm3 as measured by the Archimedean method. The average crystal grain size of crystal grains of indium oxide contained in the oxide-sintered body is 5-25 μm. In a field of view when the surface of the oxide-sintered body is observed at a magnification factor of 500 times, the area proportion of pores surrounded by at least three adjacent crystal grains to the area of the field of view is at most 3%.
Cette cible de pulvérisation comprend un corps fritté à base d'oxyde contenant de l'oxyde d'indium en tant que composant principal. Le corps fritté à base d'oxyde possède une densité d'au moins 6,9 g/cm3 telle que mesurée par le principe d'Archimède. La taille moyenne de grain cristallin des grains cristallins d'oxyde d'indium contenus dans le corps fritté à base d'oxyde est de 5 à 25 µm. Dans un champ de vue lorsque la surface du corps fritté à base d'oxyde est observée à un facteur de grossissement de 500 fois, la proportion surfacique de pores entourés par au moins trois grains cristallins adjacents à la zone du champ de vue est d'au plus 3 %.
酸化インジウムを主成分とする酸化物焼結体を備えるスパッタリングターゲットであって、前記酸化物焼結体は、アルキメデス法により測定される前記酸化物焼結体の密度が、６．９ｇ／ｃｍ３以上であり、前記酸化物焼結体に含まれる酸化インジウムの結晶粒の平均結晶粒径が、５μｍ以上、２５μｍ以下であり、前記酸化物焼結体の表面を５００倍の倍率で観察したときの視野において、前記視野の面積に対して、隣接する３つ以上の前記結晶粒で囲まれた空孔の面積比率が、３％以下である、スパッタリングターゲット。
SPUTTERING TARGET, METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET, OXIDE THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE
CIBLE DE PULVÉRISATION, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CIBLE DE PULVÉRISATION, COUCHE MINCE D'OXYDE, TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲットの製造方法、酸化物薄膜、薄膜トランジスタ、及び電子機器
SASAKI DAICHI (author) / KAIJO AKIRA (author)
2024-10-03
Patent
Electronic Resource
Japanese
| European Patent Office | 2024
| European Patent Office | 2023
| European Patent Office | 2024
Sputtering target, oxide semiconductor thin film, thin film transistor, and electronic device
| European Patent Office | 2020
SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE
| European Patent Office | 2019