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COMPOSITE MATERIAL, HEAT DISSIPATION SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
The present invention comprises a heat dissipation substrate which is in a plate shape and is formed of a composite material including metal and silicon carbide. The surface of the heat dissipation substrate on one side is partitioned into a plurality of regions in a grid shape. Each of a length B1 of a lengthwise side and a length L1 of a widthwise side of each of the plurality of regions is 10 mm-25 mm. The plurality of regions 2 in the grid shape occupy 70% or more of the total area of the surface of the heat dissipation substrate 1 on the one side. Each point of the plurality of regions in the grid shape has heat conductivity of 140 W/(m·K) or higher. A variation coefficient of the heat conductivity in the plurality of regions in the grid shape is less than 3.0%. The variation coefficient is expressed by standard deviation/average×100 (%).
La présente invention comprend un substrat de dissipation de chaleur en forme de plaque qui est constitué d'un matériau composite contenant du métal et du carbure de silicium. La surface du substrat de dissipation de chaleur sur un côté est divisée en une pluralité de régions en forme de grille. Une longueur B1 d'un côté de la longueur et une longueur L1 d'un côté de la largeur de chacune de la pluralité de régions sont comprises entre 10 mm et 25 mm. La pluralité de régions 2 en forme de grille occupe 70 % ou plus de la surface totale de la surface du substrat de dissipation de chaleur 1 sur le côté susmentionné. Chaque point de la pluralité de régions en forme de grille a une conductivité thermique supérieure ou égale à 140 W/(m-K). Le coefficient de variation de la conductivité thermique dans la pluralité de régions en forme de grille est inférieur à 3,0 %. Le coefficient de variation est exprimé par l'expression : écart-type / moyenne × 100 (%).
金属と炭化珪素を含む複合材料からなる板状の放熱基板を有し、放熱基板の片側表面を格子状の複数領域に区切り、複数領域の各々の縦辺の長さB1および横辺の長さL1が10mm以上25mm以下であり、格子状の複数領域2は放熱基板1の片側表面の全体面積に対して70%以上を占め、格子状の複数領域の各点において熱伝導率が140W/(m・K)以上であり、格子状の複数領域内で熱伝導率の変動係数が3.0%未満であり、変動係数は標準偏差/平均値×100(%)で表される。
COMPOSITE MATERIAL, HEAT DISSIPATION SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
The present invention comprises a heat dissipation substrate which is in a plate shape and is formed of a composite material including metal and silicon carbide. The surface of the heat dissipation substrate on one side is partitioned into a plurality of regions in a grid shape. Each of a length B1 of a lengthwise side and a length L1 of a widthwise side of each of the plurality of regions is 10 mm-25 mm. The plurality of regions 2 in the grid shape occupy 70% or more of the total area of the surface of the heat dissipation substrate 1 on the one side. Each point of the plurality of regions in the grid shape has heat conductivity of 140 W/(m·K) or higher. A variation coefficient of the heat conductivity in the plurality of regions in the grid shape is less than 3.0%. The variation coefficient is expressed by standard deviation/average×100 (%).
La présente invention comprend un substrat de dissipation de chaleur en forme de plaque qui est constitué d'un matériau composite contenant du métal et du carbure de silicium. La surface du substrat de dissipation de chaleur sur un côté est divisée en une pluralité de régions en forme de grille. Une longueur B1 d'un côté de la longueur et une longueur L1 d'un côté de la largeur de chacune de la pluralité de régions sont comprises entre 10 mm et 25 mm. La pluralité de régions 2 en forme de grille occupe 70 % ou plus de la surface totale de la surface du substrat de dissipation de chaleur 1 sur le côté susmentionné. Chaque point de la pluralité de régions en forme de grille a une conductivité thermique supérieure ou égale à 140 W/(m-K). Le coefficient de variation de la conductivité thermique dans la pluralité de régions en forme de grille est inférieur à 3,0 %. Le coefficient de variation est exprimé par l'expression : écart-type / moyenne × 100 (%).
金属と炭化珪素を含む複合材料からなる板状の放熱基板を有し、放熱基板の片側表面を格子状の複数領域に区切り、複数領域の各々の縦辺の長さB1および横辺の長さL1が10mm以上25mm以下であり、格子状の複数領域2は放熱基板1の片側表面の全体面積に対して70%以上を占め、格子状の複数領域の各点において熱伝導率が140W/(m・K)以上であり、格子状の複数領域内で熱伝導率の変動係数が3.0%未満であり、変動係数は標準偏差/平均値×100(%)で表される。
COMPOSITE MATERIAL, HEAT DISSIPATION SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
MATÉRIAU COMPOSITE, SUBSTRAT DE DISSIPATION DE CHALEUR ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
複合材料、放熱基板および半導体装置
KOYAMA SHIGEKI (author)
2024-02-29
Patent
Electronic Resource
Japanese
Preparation method of heat dissipation composite material
European Patent Office | 2021
|European Patent Office | 2021
|HEAT DISSIPATION SUBSTRATE AND MODULE FOR SEMICONDUCTOR USING THE SAME
European Patent Office | 2016
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