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ULTRAFAST HIGH-TEMPERATURE SINTERING METHOD
The present invention relates to a method for producing a sintered inorganic substrate, comprising providing an inorganic substrate between a first and a second carbon-comprising thermally conductive substrate, providing the first and the second thermally conductive substrate and the inorganic substrate between a third and a fourth thermally conductive substrate, heating the third and/or the fourth thermally conductive substrate at a heating rate of at least 50 °C/s to a temperature between 750 °C and 1400 °C, thereby heating the first and/or the second thermally conductive substrate, respectively, and sintering the inorganic substrate by heating the inorganic substrate at a temperature between 750 °C and 1400 °C with the heated first and/or second thermally conductive substrate, wherein the third and the fourth thermally conductive substrates comprise, independently from one another, one or more of a monocrystalline metal oxide and/or a monocrystalline metal nitride.
La présente invention concerne un procédé de production d'un substrat inorganique fritté, comprenant la fourniture d'un substrat inorganique entre un premier et un deuxième substrat thermoconducteur comprenant du carbone, la fourniture du premier et du deuxième substrat thermoconducteur et du substrat inorganique entre un troisième et un quatrième substrat thermoconducteur, le chauffage du troisième et/ou du quatrième substrat thermoconducteur à une vitesse de chauffage d'au moins 50 °C/s à une température située entre 750 °C et 1 400 °C, ce qui permet de chauffer le premier et/ou le deuxième substrat thermoconducteur, respectivement, et le frittage du substrat inorganique par chauffage du substrat inorganique à une température comprise entre 750 °C et 1 400 °C avec le premier et/ou le deuxième substrat thermoconducteur chauffé, les troisième et quatrième substrats thermoconducteurs comprenant, indépendamment l'un de l'autre, un ou plusieurs éléments parmi un oxyde métallique monocristallin et/ou un nitrure métallique monocristallin.
ULTRAFAST HIGH-TEMPERATURE SINTERING METHOD
The present invention relates to a method for producing a sintered inorganic substrate, comprising providing an inorganic substrate between a first and a second carbon-comprising thermally conductive substrate, providing the first and the second thermally conductive substrate and the inorganic substrate between a third and a fourth thermally conductive substrate, heating the third and/or the fourth thermally conductive substrate at a heating rate of at least 50 °C/s to a temperature between 750 °C and 1400 °C, thereby heating the first and/or the second thermally conductive substrate, respectively, and sintering the inorganic substrate by heating the inorganic substrate at a temperature between 750 °C and 1400 °C with the heated first and/or second thermally conductive substrate, wherein the third and the fourth thermally conductive substrates comprise, independently from one another, one or more of a monocrystalline metal oxide and/or a monocrystalline metal nitride.
La présente invention concerne un procédé de production d'un substrat inorganique fritté, comprenant la fourniture d'un substrat inorganique entre un premier et un deuxième substrat thermoconducteur comprenant du carbone, la fourniture du premier et du deuxième substrat thermoconducteur et du substrat inorganique entre un troisième et un quatrième substrat thermoconducteur, le chauffage du troisième et/ou du quatrième substrat thermoconducteur à une vitesse de chauffage d'au moins 50 °C/s à une température située entre 750 °C et 1 400 °C, ce qui permet de chauffer le premier et/ou le deuxième substrat thermoconducteur, respectivement, et le frittage du substrat inorganique par chauffage du substrat inorganique à une température comprise entre 750 °C et 1 400 °C avec le premier et/ou le deuxième substrat thermoconducteur chauffé, les troisième et quatrième substrats thermoconducteurs comprenant, indépendamment l'un de l'autre, un ou plusieurs éléments parmi un oxyde métallique monocristallin et/ou un nitrure métallique monocristallin.
ULTRAFAST HIGH-TEMPERATURE SINTERING METHOD
PROCÉDÉ DE FRITTAGE ULTRA-RAPIDE À HAUTE TEMPÉRATURE
ZHANG HUANYU (author) / OKUR FARUK (author) / KRAVCHYK KOSTIANTYN (author) / PFENNINGER RETO (author) / DUBEY ROMAIN JEAN-CHRISTOPHE (author) / KOVALENKO MAKSYM (author) / PEREGO DANIELE (author) / SCHEIFELE WERNER (author) / DE LOS COBOS OLIVIA (author)
2024-04-11
Patent
Electronic Resource
English
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
/
B32B
LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
,
Schichtkörper, d.h. aus Ebenen oder gewölbten Schichten, z.B. mit zell- oder wabenförmiger Form, aufgebaute Erzeugnisse
/
F27D
Einzelheiten oder Zubehör für Industrieöfen, Schachtöfen, Brennöfen oder Retorten, soweit sie nicht auf eine Ofenart eingeschränkt sind
,
DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
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