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METAL/NITRIDE LAMINATE AND INSULATED CIRCUIT SUBSTRATE
This metal/nitride laminate comprises a metal solidified layer joined with an active metal nitride layer containing either one or both of Ti-N and Zr-N, and comprises a modified nitride layer formed between the active metal nitride layer and the metal solidified layer and having a composition where some of the active metal of the active metal nitride layer is replaced by either one or both of Al and Si.
Ce stratifié métal/nitrure comprend une couche solidifiée métallique jointe à une couche de nitrure métallique actif contenant l'un ou les deux parmi Ti-N et Zr-N, et comprend une couche de nitrure modifiée formée entre la couche de nitrure métallique actif et la couche solidifiée métallique et ayant une composition dans laquelle une partie du métal actif de la couche de nitrure métallique actif est remplacée par Al et/ou Si.
この金属/窒化物積層体は、金属凝固層とTi-NおよびZr-Nのいずれか一種または二種からなる活性金属窒化物層とが接合された金属/窒化物積層体であって、前記活性金属窒化物層と前記金属凝固層との間に、前記活性金属窒化物層の活性金属の一部がAlおよびSiのいずれか一種または二種で置換された組成である改質窒化物層が形成されている。
METAL/NITRIDE LAMINATE AND INSULATED CIRCUIT SUBSTRATE
This metal/nitride laminate comprises a metal solidified layer joined with an active metal nitride layer containing either one or both of Ti-N and Zr-N, and comprises a modified nitride layer formed between the active metal nitride layer and the metal solidified layer and having a composition where some of the active metal of the active metal nitride layer is replaced by either one or both of Al and Si.
Ce stratifié métal/nitrure comprend une couche solidifiée métallique jointe à une couche de nitrure métallique actif contenant l'un ou les deux parmi Ti-N et Zr-N, et comprend une couche de nitrure modifiée formée entre la couche de nitrure métallique actif et la couche solidifiée métallique et ayant une composition dans laquelle une partie du métal actif de la couche de nitrure métallique actif est remplacée par Al et/ou Si.
この金属/窒化物積層体は、金属凝固層とTi-NおよびZr-Nのいずれか一種または二種からなる活性金属窒化物層とが接合された金属/窒化物積層体であって、前記活性金属窒化物層と前記金属凝固層との間に、前記活性金属窒化物層の活性金属の一部がAlおよびSiのいずれか一種または二種で置換された組成である改質窒化物層が形成されている。
METAL/NITRIDE LAMINATE AND INSULATED CIRCUIT SUBSTRATE
STRATIFIÉ MÉTAL/NITRURE ET SUBSTRAT DE CIRCUIT ISOLÉ
金属/窒化物積層体、および、絶縁回路基板
TERASAKI NOBUYUKI (author)
2024-08-15
Patent
Electronic Resource
Japanese
METAL/NITRIDE LAMINATED BODY AND INSULATED CIRCUIT SUBSTRATE
European Patent Office | 2024
|European Patent Office | 2024
|Silicon nitride substrate and silicon nitride circuit substrate
European Patent Office | 2024
|European Patent Office | 2021
|COPPER/CERAMIC BONDED BODY AND INSULATED CIRCUIT SUBSTRATE
European Patent Office | 2023
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