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TRÄGERSUBSTRAT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES TRÄGERSUBSTRATS
Trägersubstrat (1), insbesondere ein Metall-Keramik-Substrat, als Träger für elektrische Bauteile in Form einer Leiterplatte, umfassend: - mindestens eine Metallschicht (10) und - ein Isolationselement (30), insbesondere ein Keramikelement, ein Glaselement, ein Glaskeramikelement und/oder ein hochtemperaturbeständiges Kunststoffelement, wobei sich die mindestens eine Metallschicht (10) und das Isolationselement (30) entlang einer Haupterstreckungsebene (HSE) erstrecken und entlang einer senkrecht zur Haupterstreckungsebene (HSE) verlaufenden Stapelrichtung (S) übereinander angeordnet sind, wobei im gefertigten Trägersubstrat (1) eine Bindungsschicht (12) zwischen der mindestens einen Metallschicht (10) und dem Isolationselement (30) ausgebildet ist, und wobei eine Kontaktschicht (13) der Bindungsschicht (12) - bevorzugt eine Titan-Stickstoff-Verbindung und/oder eine Titan-Silizium-Verbindung umfasst und - eine in Stapelrichtung (S) bemessene erste Dicke, gemittelt über mehrere Messpunkte innerhalb einer oder mehrere vorbestimmten Flächen (F), die parallel zur Haupterstreckungsebene (HSE) verläuft oder verlaufen, aufweist, die kleiner als 900 nm, bevorzugt kleiner als 700 nm und bevorzugt kleiner als 500 nm ist.
The invention relates to a support substrate (1), in particular a metal-ceramic substrate, as a support for electric components in the form of a printed circuit board, comprising: - at least one metal layer (10) and - an insulation element (30), in particular a ceramic element, a glass element, a glass-ceramic element, and/or a high temperature-resistant plastic element, wherein the at least one metal layer (10) and the insulation element (30) extend along a main extension plane (HSE) and are arranged one over the other along a stacking direction (S) which runs perpendicularly to the main extension plane (HSE). A binding layer (12) is formed between the at least one metal layer (10) and the insulation element (30) in the completed support substrate (1), and a contact layer (13) of the binding layer (12) - comprises preferably a titanium-nitrogen compound and/or a titanium-silicon compound and - has a first thickness, which is measured in the stacking direction (S) and which is averaged over a plurality of measurement points within one or more specified surfaces (F) that run/runs parallel to the main extension plane (HSE), said thickness equaling less than 900 nm, preferably less than 700 nm, preferably less than 500 nm.
L'invention concerne un substrat de support (1), en particulier un substrat métal-céramique, en tant que support pour des composants électriques sous la forme d'une carte de circuit imprimé, comprenant : au moins une couche métallique (10) et un élément d'isolation (30), en particulier un élément en céramique, un élément en verre, un élément en vitrocéramique et/ou un élément en plastique résistant aux hautes températures, la ou les couches métalliques (10) et l'élément d'isolation (30) s'étendant le long d'un plan d'extension principal (HSE) et étant disposés l'un sur l'autre le long d'une direction d'empilement (S) qui s'étend perpendiculairement au plan d'extension principal (HSE). Une couche de liaison (12) est formée entre la ou les couches métalliques (10) et l'élément isolant (30) dans le substrat de support achevé (1), et une couche de contact (13) de la couche de liaison (12) comprend de préférence un composé titane-azote et/ou un composé titane-silicium et a une première épaisseur, qui est mesurée dans la direction d'empilement (S) et qui est moyennée sur une pluralité de points de mesure à l'intérieur d'une ou plusieurs surfaces spécifiées (F) qui s'étend/s'étendent parallèlement au plan d'extension principal (HSE), ladite épaisseur étant inférieure à 900 nm, de préférence inférieure à 700 nm, de préférence inférieure à 500 nm.
TRÄGERSUBSTRAT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES TRÄGERSUBSTRATS
Trägersubstrat (1), insbesondere ein Metall-Keramik-Substrat, als Träger für elektrische Bauteile in Form einer Leiterplatte, umfassend: - mindestens eine Metallschicht (10) und - ein Isolationselement (30), insbesondere ein Keramikelement, ein Glaselement, ein Glaskeramikelement und/oder ein hochtemperaturbeständiges Kunststoffelement, wobei sich die mindestens eine Metallschicht (10) und das Isolationselement (30) entlang einer Haupterstreckungsebene (HSE) erstrecken und entlang einer senkrecht zur Haupterstreckungsebene (HSE) verlaufenden Stapelrichtung (S) übereinander angeordnet sind, wobei im gefertigten Trägersubstrat (1) eine Bindungsschicht (12) zwischen der mindestens einen Metallschicht (10) und dem Isolationselement (30) ausgebildet ist, und wobei eine Kontaktschicht (13) der Bindungsschicht (12) - bevorzugt eine Titan-Stickstoff-Verbindung und/oder eine Titan-Silizium-Verbindung umfasst und - eine in Stapelrichtung (S) bemessene erste Dicke, gemittelt über mehrere Messpunkte innerhalb einer oder mehrere vorbestimmten Flächen (F), die parallel zur Haupterstreckungsebene (HSE) verläuft oder verlaufen, aufweist, die kleiner als 900 nm, bevorzugt kleiner als 700 nm und bevorzugt kleiner als 500 nm ist.
The invention relates to a support substrate (1), in particular a metal-ceramic substrate, as a support for electric components in the form of a printed circuit board, comprising: - at least one metal layer (10) and - an insulation element (30), in particular a ceramic element, a glass element, a glass-ceramic element, and/or a high temperature-resistant plastic element, wherein the at least one metal layer (10) and the insulation element (30) extend along a main extension plane (HSE) and are arranged one over the other along a stacking direction (S) which runs perpendicularly to the main extension plane (HSE). A binding layer (12) is formed between the at least one metal layer (10) and the insulation element (30) in the completed support substrate (1), and a contact layer (13) of the binding layer (12) - comprises preferably a titanium-nitrogen compound and/or a titanium-silicon compound and - has a first thickness, which is measured in the stacking direction (S) and which is averaged over a plurality of measurement points within one or more specified surfaces (F) that run/runs parallel to the main extension plane (HSE), said thickness equaling less than 900 nm, preferably less than 700 nm, preferably less than 500 nm.
L'invention concerne un substrat de support (1), en particulier un substrat métal-céramique, en tant que support pour des composants électriques sous la forme d'une carte de circuit imprimé, comprenant : au moins une couche métallique (10) et un élément d'isolation (30), en particulier un élément en céramique, un élément en verre, un élément en vitrocéramique et/ou un élément en plastique résistant aux hautes températures, la ou les couches métalliques (10) et l'élément d'isolation (30) s'étendant le long d'un plan d'extension principal (HSE) et étant disposés l'un sur l'autre le long d'une direction d'empilement (S) qui s'étend perpendiculairement au plan d'extension principal (HSE). Une couche de liaison (12) est formée entre la ou les couches métalliques (10) et l'élément isolant (30) dans le substrat de support achevé (1), et une couche de contact (13) de la couche de liaison (12) comprend de préférence un composé titane-azote et/ou un composé titane-silicium et a une première épaisseur, qui est mesurée dans la direction d'empilement (S) et qui est moyennée sur une pluralité de points de mesure à l'intérieur d'une ou plusieurs surfaces spécifiées (F) qui s'étend/s'étendent parallèlement au plan d'extension principal (HSE), ladite épaisseur étant inférieure à 900 nm, de préférence inférieure à 700 nm, de préférence inférieure à 500 nm.
TRÄGERSUBSTRAT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES TRÄGERSUBSTRATS
SUPPORT SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING A SUPPORT SUBSTRATE
SUBSTRAT DE SUPPORT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT DE SUPPORT
BRITTING STEFAN (author) / SCHMIRLER MARTINA (author)
2024-11-28
Patent
Electronic Resource
German
TRÄGERSUBSTRAT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES TRÄGERSUBSTRATS
European Patent Office | 2024
|TRÄGERSUBSTRAT FÜR ELEKTRISCHE BAUTEILE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN TRÄGERSUBSTRATS
European Patent Office | 2023
|European Patent Office | 2024
|European Patent Office | 2022
|European Patent Office | 2024
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